Wikibooks itwikibooks https://it.wikibooks.org/wiki/Pagina_principale MediaWiki 1.45.0-wmf.7 first-letter Media Speciale Discussione Utente Discussioni utente Wikibooks Discussioni Wikibooks File Discussioni file MediaWiki Discussioni MediaWiki Template Discussioni template Aiuto Discussioni aiuto Categoria Discussioni categoria Progetto Discussioni progetto Ripiano Discussioni ripiano TimedText TimedText talk Modulo Discussioni modulo 0 5364 478122 476370 2025-06-25T13:16:17Z Pasquale.Carelli 528 cambiato titolo iniziale 478122 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Pompe da vuoto== Una pompa da vuoto è un meccanismo attivo che rimuove del gas a bassa pressione e, nella maggior parte dei casi, lo comprime ad una pressione maggiore espellendolo dalla sua uscita. In genere le pompe da vuoto hanno una velocità di aspirazione costante in un certo intervallo di valori e tale velocità diminuisce fino ad annullarsi al di fuori dell'intervallo di funzionamento. Le pompe che funzionano in regime viscoso sono fisicamente molto diverse da quelle che funzionano in regime molecolare. Quindi per raggiungere alto vuoto bisogna necessariamente avere in cascata pompe da vuoto che operano seguendo principi fisici differenti. Riepilogando quanto introdotto nella sezione precedente si chiama velocità di pompaggio il volume che fluisce all'ingresso della pompa nell'unità di tempo, come unità di misura si usano litri al secondo o metri cubi all'ora. La portata indica la quantità di materia portata via nell'unità di tempo, ed è data dal prodotto della velocità di pompaggio per la pressione all'ingresso. Se la temperatura è costante, valendo l'equazione di stato dei gas perfetti, tale grandezza è proporzionale alla quantità di materia portata via dalla pompa nell'unità di tempo. Quando si parla di buchi, degassamento o riflusso indietro, si misurano in unità del volume entrante moltiplicato la pressione a cui il fenomeno avviene, in maniera tale che il confronto con la portata sia facilmente calcolabile. Le pompe da vuoto differiscono in altri dettagli quali i materiali delle guarnizioni, la resistenza alla corrosione, le pressioni di operazione, l'affidabilità, l'intervallo di tempo tra interventi tecnici, la tolleranza ai liquidi e le vibrazioni. Un sistema da vuoto tipico per l'alto vuoto è costituito, in condizioni di regime, da una pompa primaria che funziona da pressione atmosferica fino al limite del funzionamento (in genere dove finisce il regime viscoso) ed aspira l'uscita dei gas compressi provenienti da una pompa per alto vuoto che è connessa al sistema da vuoto vero e proprio. Nel caso di UHV o EHV le pompe in cascata diventano almeno tre. Per conservare la quantità di materia la velocità di aspirazione della pompa primaria, moltiplicata per la pressione di uscita della pompa di alto vuoto, deve essere pari al carico della pompa di alto vuoto. Questo comporta un dimensionamento ben studiato per i sistemi da vuoto. Ben diverso è il regime transitorio, in cui necessariamente la camera da vuoto deve essere portata sotto vuoto da un pompa primaria, non necessariamente la stessa in serie alla pompa di alto vuoto, e una volta raggiunto il limite del vuoto viscoso, il sistema va collegato al sistema di alto vuoto. =Pompe primarie = Nel regime viscoso il meccanismo più semplice per fare il vuoto consiste nello spostamento ciclico di una parete. In questo caso meccanicamente viene fatta espandere ciclicamente una cavità. In questa maniera il gas da aspirare affluisce dalla camera da vuoto, entra nella pompa da vuoto dove viene aspirato. Quindi la cavità viene sigillata ed il gas viene compresso. Infine il gas viene espulso verso l'atmosfera (o su un secondo stadio in serie). Esempio di tali pompe sono le pompe rotative e le pompe roots. [[File:Pompa rotativa.svg|thumb|left|350px|Schema di funzionamento di una pompa rotativa;a) il gas viene aspirato dalla camera da vuoto; b) il gas viene compresso; c)il gas viene espulso tramite la valvola]] ===[[w:Pompa per vuoto rotativa|Pompe rotative]]=== Le pompe rotative sono costituite da un rotore provvisto di palette mobili che ruota eccentricamente in uno statore. Le palette vengono tenute a contatto con la superficie interna dello statore da una molla e dalla forza centrifuga. Tra le palette e lo statore è sempre presente un velo d'olio come elemento di tenuta. La variazione di volume della camera crea depressioni (fase di aspirazione) e compressioni del gas aspirato (fase di scarico). Nella fase di aspirazione il gas viene estratto dalla camera da vuoto tramite il manicotto di aspirazione, successivamente grazie all'eccentricità del rotore la camera continua ad aumentare di volume. Una volta raggiunto il volume massimo il manicotto di aspirazione viene chiuso da una seconda paletta mentre la camera della pompa comincia a diminuire di volume consentendo ai gas di essere compresso ed espulso dal manicotto di scarico. Le pompe rotative raggiungono pressioni di circa <math>10^{-2}</math> mbar con una velocità di pompaggio anche di centinaia di litri al secondo. Le pompe rotative sono le più diffuse, le meglio sviluppate e le più economiche. Lo svantaggio di questo tipo di pompe è la presenza di olio che causa la contaminazione dei gas presenti nella camera da vuoto, in quanto anche in condizioni di regime viscoso vi è sempre un flusso indietro (''back-streaming'') nella camera da vuoto. Tale olio anche se speciale è un contaminante indesiderato nei processi tecnologici avanzati. Soluzione a questo problema sono o l'utilizzo di pompe rotative a secco, che però hanno minore portata, o l'interposizione di trappole ad azoto liquido connesse in serie alla pompa per bloccare i vapori d'olio. Le pompe rotative a due stadi riescono ad avere una velocità di pompaggio costante da pressione atmosferica fino a <math>10^{-2}\ mbar</math>, la velocità di pompaggio si annulla a pressioni inferiori a <math>10^{-3}\ mbar</math>. Pompando sistemi con gas miscelati con vapori condensabili (ad esempio acqua o solventi organici) per evitare la contaminazione dell'olio, nella fase di compressione viene aggiunto azoto secco che permette di diluire il gas ed espellerlo nella fase successiva (la valvola manuale che permette tale operazione si chiama tecnicamente ''ballast''). Se viene fatto il ''gas ballast'' la pressione limite di pompaggio si riduce in maniera sensibile. ===[[w:Roots (pompa da vuoto)|Pompe roots]]=== [[Image:Rotary_lobe.png|left|thumb|250px|Sezione di una pompa roots; si vedono i lobi che ruotando comprimono il gas]] Le pompe roots sono composte da una camera ovale in cui sono alloggiati due rotori con due lobi che si muovono in direzioni opposte è in definitiva un ventilatore. Questo tipo di pompa funziona senza olio, quindi si evita la contaminazione dei gas, lo svantaggio è che a causa dell'attrito i pistoni non possono entrare in contatto tra di loro e con la parete esterna quindi in fase di progettazione si lascia tra i componenti uno spazio di circa 0.1 mm. Le pompe roots possono raggiungere pressioni inferiori a <math>10^{-2}</math> mbar con una grande portata. A causa della grande viscosità dell'aria a pressione atmosferica, non possono funzionare a pieno regime, ma hanno bisogno di un controllo progressivo della velocità di rotazione. Se infatti venissero fatti funzionare a pieno regime a partire dalla pressione atmosferica i rotori si scalderebbero eccessivamente dilatandosi, entrando in contatto tra di loro e con le pareti della camera con effetti distruttivi. Il sistema di controllo progressivo rappresenta una delle peculiarità di tali pompe. A causa del fatto che hanno un piccolo rapporto di compressione hanno bisogno di funzionare con una pompa primaria che aspira il gas in uscita e lo porta a pressione atmosferica. ===Pompe a secco === Sono delle pompe che stanno diventando sempre più diffuse nell'industria di microelettronica. Sono costituite da rotori di differenti profili montati su un asse comune sincronizzate da un ingranaggio esterno che è messo in movimento da un motore. Ve ne sono di vari tipi a vite ([[w:en:Screw pump|''screw'']]), ad artiglio (''claw'') e a scorrimento ([[w:Pompa scroll|''pompa scroll'']]). La parte meccanica è completamente isolata da guarnizioni dalla parte sotto vuoto. Il rapporto di compressione della singola pompa ad artiglio è basso per cui è necessario avere molti stadi in serie per potere funzionare tra <math>10^{-2}</math> mbar e pressione atmosferica. Le pompe a vite sono quelle con la maggiore velocità di aspirazione e sono molti affidabili. Le pompe a scorrimento hanno invece bassa velocità di aspirazione e con difficoltà arrivano fino a vuoti di 0.1 mbar. Il loro costo è molto maggiore di una pompa rotativa, ma malgrado le caratteristiche inferiori, l'assenza di olio le fanno preferire alle più comuni pompe rotative. === [[w:Pompa a membrana|Pompa a membrana]] === [[Image:Bomba_diafragma.jpg|left|thumb|250px|Schema di una pompa a membrana]] Le pompe a membrana o a diaframma, in cui la variazione di volume è data dall'oscillazione di una membrana che chiude un lato di una camera. Il vantaggio di questa soluzione è l'assoluta impermeabilità ottenuta con l'eliminazione dello scorrimento tra parti, inoltre l'assenza di oli al suo interno fa sì che la pompa venga utilizzata soprattutto per non contaminare il gas. La velocità di aspirazione è estremamente limitata in quanto, il volume, che viene messo in movimento nell'unità di tempo e che determina la velocità della pompa, è chiaramente molto piccolo ed il loro vuoto limite è tipicamente 10 mbar. = Pompe secondarie= Sono le pompe che funzionano a partire da un certo vuoto e quindi necessitano di un primo stadio di pompaggio mediante una pompa primaria. Vi sono due grandi categorie le pompe cinetiche che trasferiscono [[w:Quantità di moto|quantità di moto]] alle molecole del gas per asportarlo e le pompe ad intrappolamento. == Pompe Cinetiche== Le molecole del gas sono trascinate dal lato sotto vuoto al lato di scarico (che è mantenuto a pressione inferiore a quella atmosferica da una pompa primaria) mediante il trasferimento di impulso che agisce singolarmente sulle molecole del gas. Questa modalità di pompaggio è possibile solo al di sotto di qualche mbar, cioè in condizioni di vuoto molecolare. La velocità di aspirazione di una pompa cinetica è spesso ordini di grandezza maggiore di una pompa primaria, ma lavorando a pressioni inferiori la quantità di materia asportata è in realtà generalmente bassa. Il problema principale del regime di lavoro è il flusso indietro (''backstreaming'') sempre presente. Non esiste, a causa del meccanismo di funzionamento, nessun tipo di ostacolo (valvola), se non la dinamica di aspirazione tra il vuoto e lo scarico. Le pompe a trasferimento di quantità di moto sono più efficaci per alcuni gas che per altri. A causa di tale selettività la composizione del gas residuo nella camera da vuoto è diversa dalla composizione dei gas di partenza. Le pompe in regime molecolare agiscono su una superficie molto maggiore delle pompe primarie al fine di avere una alta velocità di pompaggio. Non vi è nessuna guarnizione tra l'uscita e l'ingresso. Quindi una piccola pressione sull'uscita può facilmente risalire indietro attraverso la pompa. A causa di un fenomeno di questo tipo la pompa va in blocco. In alto vuoto. tuttavia, gradienti di pressione hanno scarso effetto e le pompe molecolari possono avere la piena funzionalità. ===[[w:Pompa a diffusione|Pompe a diffusione]]=== [[File:Pompa a diffusione.png|thumb|left|300px|Pompa a diffusione]] Nelle pompe a diffusione si utilizza un getto di molecole sotto forma di vapore che ha la funzione di trasferire per urto quantità di moto alle molecole del gas da espellere. Nelle prime pompe venivano usati vapori di mercurio, in seguito sostituito con olio con bassa tensione di vapore. L'olio alla base della pompa viene scaldato e portato in ebollizione. Salendo, il vapore viene incanalato attraverso delle strozzature che lo deviano verso il basso e lo portano ad una velocità di alcune centinaia di m/s. Le molecole del gas che incontrano le molecole di vapore subiscono un trascinamento verso la base della pompa dove è presente l'ingresso di una pompa meccanica che assicura il pre-vuoto (condizione necessaria per il funzionamento della pompa a diffusione). Quando le molecole di vapore urtano sulla parete esterna subiscono un raffreddamento che le fa condensare permettendone il ritorno nella vasca di raccolta alla base della pompa. Per garantire una temperatura sufficientemente bassa le pareti della pompa sono circondate da una serpentina in cui circola del liquido refrigerante. Con riferimento all'immagine si nota che il getto di vapore trasferendo quantità di moto alle molecole di gas crea due zone a differente pressione. Il rapporto tra le pressioni può essere espresso tramite la formula <math>\frac {p_2}{p_1}=e^{\rho v \frac{L}{D}}\ </math> dove <math>\rho</math> è la densità del vapore, v la sua velocità, L lo spessore e D è un coefficiente che dipende dal peso molecolare degli elementi che compongono gas e olio. Minore è il peso molecolare del gas da estrarre più grande è D, di conseguenza il rapporto tra le pressioni tende a 1. Quindi la pompa a diffusione è poco efficace nell'estrarre gas molto leggeri come l'elio o l'idrogeno. Una pompa a diffusione funziona tra 0.1 mbar <math>10^{-9}\ mbar</math>. Sono oramai ritenute delle pompe del passato, infatti richiedono elevata manutenzione, utilizzano liquidi speciali spesso dannosi per l'ambiente e la salute e richiedono impianti di raffreddamento complessi. ===[[w:Pompa turbomolecolare|Pompe turbomolecolari]]=== [[Image:Cut through turbomolecular pump.jpg|thumb|Sezione di una pompa turbomolecolare]] Una pompa turbomolecolare è un tipo di pompa che contiene un rotore che ruota ad elevata velocità angolare, questo tipo di pompa è la più utilizzata attualmente in regime di Alto Vuoto. Queste pompe funzionano sul principio che in regime molecolare può essere dato alle singole molecole di gas un impulso nella direzione desiderata mediante urti ripetuti con una superficie solida in moto. In una pompa turbomolecolare una turbina in rotazione rapida urta le molecole che provengono dall'ingresso e mediante urti successivi le trascina verso lo scarico, portando quindi il gas dall'ingresso all'uscita. La maggior parte delle pompe turbomolecolare usa molti stadi costituiti da rotori e statori in serie. Quando le molecole del gas entrano nell'ingresso, ricevono un impulso dal rotore che è fatto da un gran numero di lamelle metalliche angolate. Quindi l'energia meccanica delle lamelle viene trasferita alle molecole di gas. Le molecole avendo acquistato tale quantità di moto si dirigono preferenzialemnte nei fori posti alla base dello statore, dove incontrano un nuovo stadio che impartisce altro impulso, fino ad arrivare all'uscita del sistema. La velocità del rotore è simile alla velocità termica delle molecole del gas. [[Image:Turbo pump schematic.gif|thumb|right|250 px|Schema di una pompa turbomolecolare.]] Tipicamente il rapporto di compressione di ogni stado è circa ~10, quindi via via che gli stadi si avvicinano allo scarico possono diventare più piccoli di quelli più vicini all'ingresso. Questo comporterebbe dei problemi tecnici difficili da superare si preferisce aumentare il diametro del rotore piuttosto che ridurre le dimensioni delle lamelle. Le pompe turbomolecolare lavorano a velocità angolari molte elevate (decine di migliaia di giri al minuto). L'utilizzo di cuscinetti che riducano l'attrito dell'asse di rotazione è un problema tecnologico importante, risolto spesso con cuscinetti magnetici. In regime viscoso automaticamente le pompe molecolari smettono di funzionare in quanto la velocità di aspirazione si riduce, inoltre le sottili lamelle verrebbero deformate da un flusso troppo elevato di materia. In genere sono aggiunti dei sistemi automatici che scollegano il rotore quando la pressione supera certi valori. La temperatura delle lamelle va regolata opportunamente, infatti è necessario un certo raffreddamento per migliorare il rapporto di compressione, ma un raffreddamento eccessivo provocherebbe la condensazione di acqua ed altri gas sulle lamelle. A causa del movimento relativo del rotore e dello statore, le molecole urtano preferenzialmente il lato inferiore delle lamelle. Poiché la superficie delle lamelle è inclinata verso il basso, la maggior parte delle molecole che urtano si allontanano nella direzione in basso. Lo spessore delle lame non può essere troppo sottile in quanto si deformerebbero lavorando ad alta pressione, ma nemmeno troppo spesse per ridurre il momento di inerzia del rotore. Per avere una elevata velocità di aspirazione le lamelle sono a 45°. Quando viene interrotto il funzionamento di una pompa turbomolecolare è opportuno un flusso laminare di gas secco, in modo da evitare il ''backstreaming'' dalla pompa primaria che contamina la camera. Quindi la transizione dal vuoto, ad un flusso di gas secco e in seguito al fermo della pompa deve essere sincronizzato con precisione per evitare sforzi meccanici e la sovrappressione dell'uscita. Sistemi di membrane e valvole sulla uscita sono aggiunti a questo scopo. Una pompa turbomolecolare funziona tra 0.01 mbar e <math>10^{-9}\ mbar</math>. È la pompa più utilizzata per sistemi in alto vuoto, ne esistono di un numero molto vario di velocità di pompaggio. ==Pompe ad intrappolamento== Si definiscono pompe ad intrappolamento quelle che catturano i gas residui in un solido o su una superficie assorbente. Esempio sono le '''[[w:Pompa criogenica|criopompe]]''', '''[[w:Pompa getter|getter]]''' e le '''[[w:Pompa ionica (fisica)|pompe ioniche]]'''. Le ''pompe ad intrappolamento'' sono usate nei sistemi di ultra alto vuoto, ma hanno una limitazione nel tempo di operazione in quanto la materia non viene asportata dalla camera da vuoto durante il funzionamento, ma accumulata. Quindi tali pompe periodicamente saturano e richiedono la rigenerazione o la sostituzione. La rigenerazione può portare il sistema di nuovo ad alta pressione e temperatura (se si tratta di pompe criogeniche). Poiché il tempo di operazione dipende dalla quantità totale di materia aspirata, utilizzare le pompe ad assorbimento a getter o ioniche in alto vuoto è assolutamente sconsigliabile, in quanto riduce ad un valore inaccettabile il tempo di operatività. ===Pompe Ioniche=== Gli ioni sono pompati facilmente poiché sono più reattivi con le superfici rispetto alle molecole neutre e se sufficientemente energetici possono essere fisicamente intrappolati nelle pareti della pompa. Combinando opportunamente dei campi magnetici ed elettrici in condizioni di vuoto spinto si riesce a rendere il percorso dei singoli elettroni così lungo da avere una elevata probabilità di ionizzare le molecole presenti nella zona di interesse. Le pompe ioniche funzionano con il principio che alcuni materiali depositati come film sottili assorbono facilemnte gas presenti nella camera da vuoto mediante adsorbimento. Il [[w:Titanio|Titanio]] tra gli elementi è quello che ha una più spiccata tendenza in questo senso. Una pompa ionica può raggiungere vuoti migliori di 10^-11 mbar in condizioni ideali. Il funzionamento consiste nell'utilizzare un forte campo elettrico ottenuto con elevate differenze di potenziale comprese 3kV e 7kV, tra un catodo e massa allo scopo di ionizzare i gas. Dovendo lavorare in HV o UHC è necessario anche un elevato campo magnetico di 0.1-0.2T che grazie al fatto che la traiettoria degli elettroni diventa molto lunga permettono di mantenere la scarica anche in condizioni di alto vuoto. Il catodo è costituito da Titanio che viene bombardato dagli ioni positivi e si deposita sulla camera da vuoto, il Titanio forma un film sottile che assorbe il gas residuo. La quantità di film di Titanio evaporato nell'unità di tempo dipende dal gas residuo, maggiore è il gas residuo maggiore è la corrente e maggiore il film che va depositato. Le pompe ioniche sono contemporaneamente delle pompe da vuoto e dei misuratori di vuoto residuo: misurando semplicemente la corrente si ha una informazione sul vuoto, corrente alta basso vuoto e viceversa. ===Pompe getter=== Nelle pompe getter il metodo utilizzato per l'eliminazione dei gas è l'adsorbimento chimico. La pompa getter è sostanzialmente composta da una superficie composta da materiale fortemente reagente con le componenti del gas che si vuole eliminare; questa superficie viene scaldata a temperature elevate (da 750 a 1500 gradi in funzione del materiale) in modo da formare un film altamente reattivo sulla superficie. In questo modo le molecole di gas seguiranno il processo dell'adsorbimento chimico formando un legame molto forte con le molecole superficiali. Solitamente il materiale utilizzato è il titanio che oltre ad avere una bassa tensione di vapore si lega con molti tipi di gas presenti nell'aria (es. ossigeno, azoto, idrogeno) formando ossidi e nitruri che sono composti stabili. Questo tipo di pompa è efficace soltanto con i gas reattivi nei confronti del materiale di cui è composta la superficie di assorbimento inoltre, essendo l'adsorbimento di tipo chimico, sulla superficie può formarsi solo uno strato monomolecolare quindi la pompa satura velocemente e richiede rigenerazioni frequenti. La pompa getter richiede in serie una pompa meccanica che garantisca il prevuoto; oltre a questa in un sistema da vuoto è solitamente presente in parallelo alla pompa getter anche una pompa che elimini i gas residui che non reagiscono con quest'ultima (es. criopompe). === Criopompe=== Una criopompa è una pompa che intrappola gas e vapori condensandoli su una superficie fredda. L’efficacia dipende dal punto di congelamento o di evaporazione dei gas da rimuovere rispetto alla temperatura della criopompa. Le criopompe utilizzano normalmente per il raffreddamento [[w:Elio|elio]] compresso. L’elio è infatti il gas con la più bassa temperatura di liquefazione. Una superficie sotto vuoto, connessa allo stadio più freddo di un compressore a ciclo chiuso ad elio, costituisce la pompa criogenica. La superficie di condensazione viene in genere mantenuta estesa per aumentare la velocità di aspirazione. Nel tempo, la superficie viene saturato dal gas condensato e quindi la velocità di pompaggio si annulla. La pompa mantiene i gas condensati fino a quando rimane fredda, ma non riesce più a condensare nuovo gas. Se il vuoto di partenza non è abbastanza basso, la saturazione avviene rapidamente per questa ragione queste pompe vengono utilizzate solo in alto o ultraalto vuoto. La criopompa è una pompa veloce e pulita nell’intervallo tra 10⁻³ e 10⁻⁹ mbar. Attualmente esistono dei refrigeratori compatti a due stadi a circuito chiuso con elio con un buon coefficiente di prestazione. Il primo stadio ha una temperatura tra i 60 e 80 K, mentre il secondo stadio funziona tra i 10 e i 20 K. Anche a queste temperature, i gas più leggeri, idrogeno ed elio, hanno una bassa efficienza di intrappolamento e quindi costituiscono le molecole predominanti nei sistemi di ultra alto vuoto. Poiché la maggior parte dei gas alla temperature di 10 K hanno tensioni di vapore inferiori a 10^-11 mbar tali pompe risultano estremanente efficaci per quasi tutti i gas (tranne elio e idrogeno). Per intrappolare tali gas più leggeri in uno stadio che precede la pompa criogenica, speso si usano delle pompe ad adsobimento, costituite da sostanze molto porose, cioè con un elevato rapporto superficie volume come la [[w:Zeolite|zeolite]] o il [[w:Carbone attivo|carbone attivo]]. Quando il materiale assorbente satura, l’efficacia dell’assorbimento diminuisce, ma può essere rigenerato riscaldandolo a bassa pressione. La riduzione dei costi degli impianti a ciclo chiuso rende sempre più diffuse questo tipo di pompe che richiedono limitata manutenzione e permettono di raggiungere alti vuoti con pochissimo inquinamento. In ogni caso il loro costo è maggiore delle pompe turbomolecolari a parità di velocità di aspirazione, ma permettono di raggiungere vuoti più spinti. = Bibliografia = * {{cita libro| A. Chambers| R. K. Fitch| B. S. Halliday| Basic Vacuum Technology | 1998 | IOP |ed= 2 |lingua= inglese|ISBN=978-0750304955}} * {{cita libro| J. F. O'Hanlon| A User's Guide to Vacuum Technology| 2003| Wiley| ed=3|lingua=inglese|id=ISBN 978 0 471 27052 2}} [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_vuoto/Le_leggi_del_vuoto| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_vuoto/Strumenti_di_misura_per_il_vuoto| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Pompe da vuoto]] {{Avanzamento|100%|31 gennaio 2024}} dg8eoz86z2l81jh7ecbt4z3fg3mh71b 0 23498 478126 229048 2025-06-25T13:24:36Z Pasquale.Carelli 528 aggiunto indietro avanti e titolo 478126 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Chemical Vapor Deposition== La '''Chemical Vapor Deposition''' ('''CVD'''), in italiano ''Deposizione chimica da vapore'' (poco usato) è una tecnica di deposizione in cui il materiale da depositare è contenuto in parte del gas (in genere il gas è detto '''precursore''') che entra nella camera in cui avviene la reazione chiamata '''reattore'''. Il gas andando in contatto con il substrato mantenuto a temperatura elevata si scinde chimicamente e viene liberata la sostanza da depositare. [[File:ThermalCVD.PNG|left|500px|thumb|Schema di un reattore per Chemical Vapor Deposition]] Nel reattore vengono posti i wafer di silicio, e all'ingresso della camera si fanno entrare le particelle allo stato gassoso che devono essere depositate sul silicio (idruri, alogenuri, droganti vari oppure altro silicio eccetera). I wafer sono posti su di un suscettore in grafite riscaldato per induzione da due bobine a radiofrequenza che oltre a sostenerli, serve come sorgente di energia termica per la reazione. Scaldare il wafer tramite il suscettore permette di mantenere fredde le pareti della camera in cui avviene la CVD. In questo modo si evita la deposizione di particelle sulle pareti e quindi una eventuale contaminazione dello strato deposto sui wafer. Le particelle introdotte reagiscono sul substrato depositandosi su di esso; spesso si producono altri composti che verranno estratti dalla camera di reazione. I film prodotti sono depositati in maniera conforme, quindi la tecnica è particolarmente utile quando si vogliono isolare mediante dielettrici strati superfici metalliche su strati differenti con profili taglienti. ==Il processo== Il processo CVD ha 4 fasi: #Introduzione in camera dei gas reagenti e trasporto verso il substrato #Assorbimento dei reagenti sul substrato #Diffusione e decomposizione delle molecole #Desorbimento dei prodotti di reazione [[File:Fase I del processo CVD.jpg|left|300px|thumb|Fase 1]] [[File:Fase II del processo CVD.jpg|left|300px|thumb|Fase 2]] [[File:Fase III del processo CVD.jpg|left|300px|thumb|Fase 3]] [[File:Fase VI del processo CVD.jpg|left|300px|thumb|Fase 4]] ;Fase 1 (introduzione in camera dei gas reagenti e trasporto verso il substrato) I gas reagenti (precursori) vengono introdotti nella camera di processo insieme ad altri gas (carriers), quali l’argon, l’azoto, l’elio, che hanno lo scopo di trasportare e diluire, nel modo più uniforme possibile, il precursore sulla superficie del wafer. Prima di introdurre i precursori solitamente viene fatta una pulizia in-situ del substrato introducendo gas contenenti acido cloridrico. ;Fase 2 (assorbimento dei reagenti sul substrato) Le molecole si legano al substrato a causa delle forze di Wan Der Walls debolmente attrattive (adsorbimento fisico) oppure coinvolgendo dei veri e propri legami chimici tra precursori e substrato (adsorbimento chimico). ;Fase 3 (diffusione e decomposizione delle molecole) Diffusione delle molecole sul substrato e rottura dei legami chimici a causa dell’elevata temperatura con formazione di [[w:Radicale_(chimica)|radicali]] (pirolisi). La temperatura deve essere sufficientemente alta da poter rompere i legami chimici che legano le molecole dei precursori per formare radicali: questo processo è chiamato pirolisi. Un esempio molto semplice può essere quello della deposizione di Silicio mediante Silano ad una temperatura di 600 °C: SiH4→Si + 2H2. In questo caso la molecola di Silano sulla superficie del wafer è stata rotta (-lisi) per mezzo dell’alta temperatura (piro-) liberando due molecole di Idrogeno e lasciando un atomo di Silicio libero di legarsi alla superficie del wafer. ;Fase 4 (desorbimento dei prodotti di reazione) I prodotti solidi della reazione si depositano sulla superficie del substrato mentre quelli gassosi vengono desorbiti tornando in fase gassosa ed aspirati dal sistema da vuoto. I film comunemente deposti con tecnica CVD sono: *Isolanti **Inter Level Dielectric oxide (ILD) **High Density Plasma oxide (HDP) **Borum Phosphorous Silicon Glass (BPSG) *Conduttori **polisilicio **tungsteno **nitruro di tungsteno **titanio **nitruro di titanio ==Tecniche di CVD== ===LPCVD (low pressure CVD)=== :Deposizione lenta a bassa pressione ed elevata temperatura. Le reazioni chimiche avvengono sulla superficie del wafer grazie alla elevata temperatura che facilita la rottura dei legami molecolari. La bassa pressione rende circa nulla la possibilità che due molecole urtino ed evita reazioni in fase gassosa che potrebbero risultare dannose per i dispositivi. In genere questo è un processo lento con un buon controllo dello spessore deposto. ===SACVD (sub atmospheric CVD)=== :Deposizione a pressione di poco inferiore a quella atmosferica ed elevata temperatura. Simile al caso precedente in quanto le reazioni chimiche avvengono sulla superficie del wafer grazie alla elevata temperatura che facilita la rottura dei legami molecolari. L'elevata pressione aumenta di molto la velocità di deposizione e garantisce un buon riempimento delle zone non ben esposte ai reagenti, in quanto la tecnica genera dei film molto conformi. ===PECVD (plasma enhanced CVD)=== [[File:PlasmaCVD.PNG|left|400px|thumb|PECVD]] :In questa tecnica parte dell'energia per fare avvenire la reazione chimica è fornita dal plasma, questo permette di raggiungere elevate velocità di deposizione con relativamente basse temperature dei substrati. Il plasma genera nel gas precursore radicali reattivi oltre agli ioni, i film generati sono ben aderenti al substrato. La tecnica permettendo di operare a temperature più basse è utilizzate negli strati finali dei dispositivi per evitare il danneggiamento degli strati sottostanti. Il plasma è generato da una scarica radiofrequenza. ==Struttura del film epitassiale== '''L' epitassia''' è quindi una crescita di materiale cristallino tale da mantenere le direzioni cristallografiche del substrato sul quale avviene la deposizione. *Se il film cresciuto è dello stesso materiale del substrato il processo si chiama '''omeoepitassia'''. *Se il film viene cresciuto su di un substrato chimicamente differente il processo si chiama '''eteroepitassia'''. La struttura cristallina del substrato viene ripetuta nello strato epitassiale, ed eventuali difetti presenti sul substrato saranno ripetuti nello strato epitassiale. [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Sputtering| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Chemical Vapor Deposition]] {{Avanzamento|75%|17 luglio 2010}} tjpah08vniacn8a1g8xhlc2sljy9sq2 0 23499 478137 176668 2025-06-26T07:34:14Z Pasquale.Carelli 528 aggiunto titolo indietro avanti ortografia 478137 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Molecular Beam Epitaxy (MBE)== L'[[w:Epitassia_da_fasci_molecolari|epitassia da fasci molecolari]] (MBE dall'inglese Molecular Beam Epitaxy) è un processo epitassiale che comporta la reazione di uno o più fasci di atomi o molecole, che hanno una certa energia, con una superficie cristallina in condizioni di ultra alto vuoto (UHV). Sostanzialmente si mandano dei fasci di molecole o atomi sul wafer opportunamente riscaldato, quindi un parametro importante è il '''tasso di arrivo molecolare''' ossia il numero di molecole che arrivano su di una superficie di area unitaria del substrato nell' unità di tempo. Con la tecnica MBE si possono creare strutture monocristalline stratificate nelle quali ogni strato ha le dimensioni di uno strato atomico. Il problema però è che il '''tasso di crescita''' è molto '''basso'''. La tecnica MBE è una delle più avanzata per la crescita di materiali innovativi di estrema purezza e perfetta qualità cristallina, indispensabili per applicazioni avanzate in micro e optoelettronica. L'impiego di tale metodologia dedicata al silicio è particolarmente competitiva per: # la realizzazione di strati di silicio drogato (cioè contenente impurezze volute) con elementi chimici per ottenere dispositivi in grado di emettere luce (LED e laser); #la crescita di strati di silicio/germanio per la fabbricazione di transistor ultra veloci; # la costruzione delle nanostrutture, ossia materiali contenenti strutture con dimensioni su scala atomica che mostrano proprietà non convenzionali. == Adsorbimento, desorbimento e diffusione == I fenomeni fisici che regolano la MBE sono la diffusione, l' adsorbimento e il desorbimento. *La ''diffusione'' è una sorta di 'migrazione di molecole' che si spostano sulla superficie del substrato fintanto che non trovano una posizione energeticamente favorevole al loro adsorbimento. *''L'adsorbimento'' è il meccanismo chimico-fisico per cui molecole, atomi o ioni formano un legame chimico o instaurano un'interazione di tipo fisico, attraverso forze di Van der Waals, sulla superficie di interfase. L'interfase, cioè la superficie di separazione tra due diverse fasi, coinvolta è spesso del tipo solido/liquido o solido/gas. *Il ''desorbimento'' è il processo inverso all'adsorbimento. [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Deposizione_con_cannone_elettronico| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Deposizione_di_film_dielettrici| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Molecular Beam Epitaxy]] {{Avanzamento|25%|26 giugno 2025}} 09635vdoiz1p0skhqo6b3nknd4m4q9h 0 23515 478141 441831 2025-06-26T07:53:35Z Pasquale.Carelli 528 titolo indietro avanti 478141 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Ossidazione== L''''ossidazione''' è un processo indispensabile nella realizzazione dei circuiti integrati, infatti gli ossidi svolgono il fondamentale ruolo di isolanti (separano le diverse regioni attive dei dispositivi) o di passivanti (proteggono i dispositivi da fattori esterni come impurità, umidità ecc.). Tra gli ossidi più utilizzati si trova, certamente, l'ossido di silicio (biossido di silicio). I processi per ottenere gli ossidi sono due: * deposizione * accrescimento termico Le proprietà degli ossidi ottenuti con le due tecniche sono diverse e quindi è diverso l'uso che si fa di tali ossidi. Gli ossidi accresciuti termicamente risultano essere di migliore qualità rispetto a quelli depositati e presentano caratteristiche dielettriche ed isolanti migliori, vengono quindi utilizzati, ad esempio, come ossido di ''gate'' dei transistori MOSFET, gli ossidi deposti sono di qualità peggiore e vengono, ad esempio, utilizzati come ossidi sacrificali ( si tratta di strati di ossido che vengono deposti sul wafer di silicio e successivamente rimossi per eliminare i difetti della superficie). Esiste un terzo tipo di ossido, si tratta dell''''ossido nativo'''. Ogni volta che un wafer è esposto all'aria (agente ossidante), su di esso si forma, spontaneamente ed in breve tempo, un sottile strato di ossido (circa 2 nm) detto appunto ossido nativo. Di questo ossido si dovrà tener conto in caso di una successiva ossidazione della superficie del wafer: l'ossido nativo andrà a contribuire allo spessore complessivo dell'ossido.Si vanno ora ad analizzare più nel dettaglio i diversi processi di ossidazione. ==Ossidazione termica== L''''ossidazione termica''' è un processo che avviene ad elevate temperature (tra i 600 ed i 1200 °C) ed a pressioni prossime a quella atmosferica. L'ossido si forma a partire dal silicio del substrato cioè, è il silicio del substrato che reagisce e si ''consuma'' per formare l'ossido di silicio. A causa della diversa densità atomica tra silicio e ossido di silicio, lo spessore finale dell'ossido accresciuto risulterà maggiore dello spessore del silicio consumato nel processo. Il processo di ossidazione termica può avvenire in due differenti modi: * ossidazione per via secca (dry oxidation) * ossidazione per via umida (wet o steam oxidation) Nell'ossidazione per via secca l'agente ossidante è l'ossigeno, la reazione che avviene è la seguente: :<math>\mathrm{Si} (solido) + \mathrm{O_2} (gas) \longrightarrow \mathrm{SiO_2} (solido)\;</math> Una molecola di silicio reagisce con una molecola di ossigeno per formare una molecola di ossido. Nell'ossidazione per via umida è l'acqua (in forma gassosa) a svolgere il ruolo di ossidante: :<math>\mathrm{Si} (solido) + \mathrm{2H_2O} (gas) \longrightarrow \mathrm{SiO_2} (solido)+ \mathrm{2H_2} (gas) \;</math> Notare come ci sia bisogno nella steam oxidation di due molecole di ossidante per ogni molecola di silicio. L'idrogeno liberato nella reazione deve attraversare lo strato di ossido prima di liberarsi nell'ambiente. Durante l'attraversamento dell'ossido può incontrare degli ioni <math>O_2^-</math> e formare dei gruppi idrossilici <math>\mathrm{OH}</math>. Ci si aspetta, quindi, che l'ossido steam abbia caratteristiche elettriche inferiori al dry oxide dovute al minor peso specifico ed al minor grado di cristallinità. L'ossido che si ottiene, in tutti e due i tipi di ossidazione, presenta una struttura amorfa e porosa. Questo è molto utile, infatti l'ossidante deve attraversare lo strato di ossido che man mano si forma per andare a reagire con la superficie del wafer di silicio e continuare ad accrescere altro ossido. Un'importante differenza nell'ossidazione termica rispetto ad altre tecniche di ossidazione è che il substrato di silicio iniziale viene consumato (in parte) per permettere la formazione dell'ossido. La velocità del processo di crescita dell'ossido è variabile nel tempo. All'inizio la reazione è più veloce perché gli ossidanti incontrano immediatamente la superficie del silicio e il processo è limitato solo dalla velocità di reazione superficiale, mano a mano che l'ossido si forma la reazione rallenta, infatti le molecole di ossidante dovranno prima diffondere attraverso l'ossido già formato e poi reagire con il substrato per formare altro ossido, in questo caso la reazione è limitata dal fenomeno di diffusione. L'ossidazione per via umida risulta essere più veloce di quella per via secca, tuttavia gli ossidi ottenuti in questo secondo modo sono di qualità migliore. Per risparmiare tempo ed ottenere comunque elevate caratteristiche dell'ossido, molto spesso, nella realizzazione dei dispositivi, si sceglie di realizzare un primo strato sottile di ossido per ossidazione secca, accrescere poi velocemente uno strato di ossido più spesso mediante ossidazione per via umida, ed ultimare l'ossidazione con un ulteriore strato sottile di ossido ottenuto per via secca (e quindi di migliore qualità). [[File:Strati_di_ossido_di_silicio_ottenuti_per_ossidazione_termica.jpg|300px]] NOTA: mentre nell'ossidazione termica per via secca (dry) sarà inizialmente presente uno strato di ossido nativo, questo strato non ci sarà in una ossidazione per via umida (wet). Infatti, nell'ossidazione secca, il silicio reagisce a formare l'ossido nativo appena viene esposto all'ossigeno, questo non avviene quando il silicio viene esposto al vapore acqueo. ==Modello di Deal-Grove== [[Image:Modello_Deal_Grove.jpg|left|thumb|350px|Modello di Grove]] Il modello Deal-Grove è un semplice modello che caratterizza la cinetica dell'ossidazione termica. Le reazioni chimiche si hanno all'interfaccia <math>Si - SiO_2</math>, quindi la specie ossidante (<math>O_2</math> per il dry e <math>H_2O</math> per la steam) deve diffondere nello strato di ossido già formato prima di poter raggiungere l'interfaccia. Applicando una certa quantità di gas reagente, sullo strato di silicio crescerà un film d’ossido. Si hanno due fasi che caratterizzano la cinetica dell'ossidazione: * trasporto della specie ossidante attraverso l'ossido verso l'interfaccia <math>Si - SiO_2</math>; * reazione chimica all'interfaccia; All'equilibrio si crea una concentrazione di specie ossidante a contatto con la superficie dell'ossido pari a <math>C_0</math> <math>(molecole/cm^3)</math> che risulta proporzionale alla pressione parziale del gas ossidante sulla superficie dell'ossido (legge di Henry). Indicando con <math>C_s</math> la concentrazione di ossidante che si ha sull'interfaccia <math>Si - SiO_2</math> dopo che questo ha diffuso nell'ossido, possiamo esprimere mediante la [[w:Legge_di_Fick|legge di Fick]] il flusso: {{Equazione|eq=<math>F_1=D\frac{{\partial C}}{{\partial x}}\approx \frac{{D(C_o - C_s)}}{{x_{{ox}}}}</math>|id=1}} dove <math>D</math> è il coefficiente di diffusione dell'ossidante nell'ossido e <math>x_{ox}</math> è lo spessore dell'ossido. <math>F_1 </math> indica la diffusione delle specie ossidanti attraverso l’ossido di silicio. All'interfaccia <math>Si - SiO_2</math>, specie ossidante e <math>Si</math> reagiscono chimicamente. Assumendo che il flusso di reazione <math>F_2</math> sia proporzionale alla concentrazione della specie ossidante possiamo scrivere: {{Equazione|eq=<math>F_2=kC_s \ </math>|id=2}} dove <math>k</math> è la velocità di reazione superficiale. <math>F_1 </math> e <math>F_2 </math> sono dunque flussi, ovvero il numero di molecole che attraversano un’area unitaria nell’unità di tempo. In condizioni stazionarie si ha un equilibrio dinamico in cui i due flussi sono eguali: {{Equazione|eq=<math>F_1=F_2=F \ </math>|id=3}} Quindi: {{Equazione|eq=<math>\frac{{D(C_o - C_s)}}{{X_{{ox}}}}=KC_s</math>|id=4}} Da cui si ricava <math>C_s\ </math> e sostituendo nella equazione 2 si ha: {{Equazione|eq=<math>F=\frac{{DC_o}}{{X_{{ox}}+\frac DK}}</math>|id=5}} Se definisco <math>C_1\ </math> il numero di molecole della specie ossidante incorporate nell’ossido per unità di volume, il '''tasso di crescita dello spessore dello strato di ossido''' sarà: <math>\frac{{\partial X_{{ox}}}}{{\partial t}}=\frac FC_1=\frac{{\frac{{DC_o}}{{C_1}}}}{{X_{{ox}}+ \frac DK}}</math> separando le variabili: <math>\int_0^{X_{ox}}\left( X_{ox}+\frac DK\right) dx=\int_o^t\frac {DC_o}{C_1}dt\ </math> si noti che il primo estremo di integrazione del secondo integrale assume che al tempo <math>t=0\ </math>, lo spessore dell’ossido è nullo, ma ciò non è vero in quanto bisogna considerare l’ossido nativo il cui spessore si aggira intorno ai <math>2\ nm</math> (Ossido nativo: a contatto con ambiente ossidante la superficie del semiconduttore si ossida). Bisogna quindi considerare un istante precedente ove lo spessore dell’ <math> SiO_2 \ </math> era nullo: <math>\int_0^{X_{ox}}\left( X_{ox}+\frac DK\right) dx=\int_{{-\tau}}^t\frac {DC_o}{C_1}dt\ </math> Risolvendo: <math>{{X_{{ox}}}}^2 + 2\frac DK X_{{ox}}= 2\frac {{DC_o}}{{C_1}}(t+\tau)</math> Quindi: {{Equazione|eq=<math>X_{ox}=\frac DK \left[ \sqrt{1+\frac {2C_oK^2(t+\tau)}{DC_1}}-1\right]</math>|id=6}} Per tempi piccoli possiamo sviluppare la radice quadrata al primo ordine ed ottenere la soluzione: {{Equazione|eq=<math>x_{{ox}}=\frac{{C_oK}}{{C_1}}(t+\tau)=\frac BA(t+\tau)</math>|id=7}} ove abbiamo definito <math>A=2\frac DK </math> e <math> B=2\frac{{DC_o}}{{C_1}}</math> La crescita dell'ossido segue una legge lineare con il tempo proporzionalmente al coefficiente <math>\frac B A</math> Mentre per tempi lunghi la soluzione è: {{Equazione|eq=<math>x_{ox}=\sqrt{{\frac{{2DC_o}}{{C_1}}(t+\tau)}}=\sqrt{{B(t+\tau)}}</math>|id=8}} il che evidenzia una relazione proporzionale alla radice quadrata del tempo di ossidazione quindi con un tasso di crescita parabolico. [[Image:Cinetica_di_ossidazione_breve.jpg|left|thumb|300px|Cinetica di ossidazione breve]][[Image:Cinetica_di_ossidazione_lunga.jpg|center|thumb|300px|Cinetica di ossidazione lunga]] [[Image:Crescita_dell'_ossido.jpg|left|thumb|300px|Crescita dell'ossido]] Si può dire dunque, che per tempi brevi la crescita è limitata dalla reazione superficiale mentre per tempi lunghi la crescita è limitata dalla diffusione attraverso l’<math>SiO_2\ </math> Il coefficiente di crescita <math>\frac BA \ </math> varia in funzione della temperatura ed è chiamato coefficiente di crescita lineare; in particolare, varia secondo la legge: {{Equazione|eq=<math>exp\left(-\frac{{E_a}}{{KT}}\right)</math>|id=8}} Si noti che esso cresce al crescere della temperatura ovvero dell’energia fornita alla reazione. [[Image:Coefficente_di_crescita_lineare.jpg|thumb|300px|Coefficiente di crescita lineare]] Dal grafico notiamo una differenza tra dry e steam; quest’ultima a parità di temperatura ha valori <math>\frac BA \ </math> molto più grandi, quindi è molto più veloce! Il coefficiente di crescita lineare, inoltre, è legato alla velocità con cui gli atomi di <math> Si\ </math> vengono incorporati nella struttura dell’ossido. Questa velocità dipende dalla densità superficiale di atomi di <math> Si\ </math> ed è funzione perciò dall'orientazione. Poiché la densità di atomi di <math> Si\ </math> è maggiore nel piano (111) rispetto al piano (100), anche il coefficiente di crescita sarà maggiore nel piano (111). Anche il coefficiente di crescita parabolico varia con la temperatura con la stessa legge: {{Equazione|eq=<math>exp\left(-\frac{{E_a}}{{KT}}\right)</math>|id=9}} [[Image:Grafico_coefficente_parabolico.jpg|thumb|300px|Coefficiente di crescita parabolico]] e pure in questo caso l’ossidazione con vapore ha velocità molto maggiore rispetto a quella secco; ciò è dovuto al fatto che la molecola di <math> H_2O \ </math> anche se è maggiore in dimensione della molecola di <math> O_2 \ </math> (usata a secco) è presente all’interno della camera di processo nella sua forma ionica: <math> H+ \ </math> e <math> OH- \ </math> è proprio la minor dimensione di quest’ultima a spiegare la sua maggiore diffusività nell’ossido di silicio e quindi la maggior velocità dell’ossidazione steam. Il coefficiente di crescita parabolico, a differenza di quello lineare, è indipendente dall’orientazione del cristallo, poiché è legato ad un processo di diffusione della specie ossidante attraverso uno strato amorfo! === Ossidi sottili === Il modello Deal Grove non funziona per ossidi molto sottili (<20 mm). La crescita di questi ossidi è infatti regolata da una relazione parabolica; questo poiché nello strato iniziale della crescita per via secca vi è una forte sollecitazione di compressione dello strato d’ossido. Ciò riduce il coefficiente di diffusione dell’ossigeno nell’ossido perciò per ossidi sottili il valore <math>\frac DK \ </math> può essere sufficientemente piccolo da rendere trascurabile il termine <math> A \ </math> nell’equazione. Pertanto si ottiene una crescita iniziale di tipo parabolico. Le relazioni che regolano la crescita di un ossido sottile sono: {{Equazione|eq=<math>{{X_{{ox}}}}^2=2\frac{{DC_o}}{{C_1}}(t+\tau)=Bt+{{d_o}}^2</math>|id=10}} ove <math>d_o=\sqrt{{\frac{{2DC_o\tau}}{{C_1}}}}</math> Di conseguenza: {{Equazione|eq=<math>{{X_{{ox}}}}^2-{{d_o}}^2= Bt</math>|id=11}} Otteniamo quindi una crescita parabolica. ===Fornaci per ossidazione termica=== La fornace per realizzare l' ossidazione termica è costituita essenzialmente da un tubo di quarzo dove vengono poste le fette di silicio. Tali fette sono caricate su una navicella di quarzo. Il riscaldamento della camera viene fatto tramite una resistenza (''Resistance Heater'') che porta la temperatura della camera fino ai valori richiesti dalle cinetiche di reazione. In una estremità del tubo si inseriscono i gas reagenti (<math>O_2\ </math>, <math>H_20\ </math> ed altri) mentre nell'altra estremità del tubo si inseriscono le fette di silicio e si fanno evacuare, tramite un altro tubo, i gas reflui. Inoltre nell' estremità del tubo dove vengono inserite le fette, si mantiene un flusso di aria filtrata così si riduce la quantità di particelle presenti nell' aria in modo da minimizzare le contaminazioni delle fette. [[File:fornaci.jpg|700px]] ===Effetto delle impurità=== Nel gas ossidante e nel silicio possono essere presenti impurità di diverso tipo, le principali sono acqua e cloro per l'ossidante, boro e fosforo per il silicio. L'acqua nel processo wet è usata come ossidante ma può essere presente in piccole quantità anche nel processo dry dove viene considerata un'impurità. In questo processo la presenza di molecole di acqua accelera l'ossidazione per questo ne viene ridotta al minimo la presenza tramite camere di precombustione. Il cloro (sotto forma di acido cloridrico HCl) viene volutamente inserito nel forno dove avviene la reazione perché apporta diversi vantaggi: migliora le caratteristiche dell'interfaccia <math>\mathrm {Si-SiO_2}\;</math> eliminando impurità e aumenta la rigidità dielettrica. Inoltre aumenta la velocità di ossidazione. Anche il boro e il fosforo, usati come droganti per il silicio, velocizzano il processo di ossidazione. Il boro segrega nell'ossidante rendendo la struttura amorfa più porosa e favorendo il passaggio di ossidante nell'ossido già formato per formare altro ossido. Al contrario del boro il fosforo segrega nel silicio il che porta, per concentrazioni elevate di fosforo, alla formazione di scalini tra le zone più drogate (dove la velocità di accrescimento è elevata) e le zone non drogate (dove la velocità di formazione dell'ossido è minore). ==Ossidazione per deposizione== Nell''''ossidazione per deposizione''', il silicio che reagisce per formare l'ossido non è quello del substrato, ma silicio che viene trasportato nella camera di ossidazione mediante reagenti gassosi o liquidi portati a temperature opportune. Il silicio e l'ossigeno arrivano sulla superficie del wafer dove reagiscono e depositano uno strato di ossido di silicio. Il processo avviene a temperature comprese tra 400 e 750 °C e per basse pressioni (150-500 mTorr). La deposizione si ottiene mediante tecnica [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Chemical_Vapor_Deposition_(CVD)|CVD]] (deposizione chimica da fase vapore) generalmente di tipo LPCVD (CVD a bassa pressione) a temperature intorno ai 650-750 °C. Se si deve depositare ossido non drogato, il reagente più utilizzato è il TEOS (tetraortosilicato di silicio) liquido che viene scaldato fino ad una temperatura di circa 700 °C. La formazione di ossido avviene secondo la reazione chimica sotto riportata: :<math>\mathrm{Si(OC_2H_5)_4}\longrightarrow \mathrm{SiO_2}+ \mathrm{4C_2H_4}+ \mathrm{2H_2O}\;</math> dove il TEOS è, come già detto, in forma liquida, l'ossido di silicio si presenta allo stato solido, mentre <math>\mathrm{C_2H_4}\;</math> ed acqua sono allo stato gassoso. Le proprietà elettriche degli ossidi deposti sono peggiori rispetto a quelle degli ossidi accresciuti termicamente, è però utile depositare un ossido quando si ha la necessità di isolare delle aree in cui i dispositivi (ad esempio i transistori MOSFET) sono molto vicini gli uni agli altri (aree ad elevata densità di dispositivi). Infatti gli ossidi ottenuti a partire dal TEOS presentano un'ottima uniformità e riescono a coprire le zone dense seguendo bene il profilo delle cavità. ===Deposizione di ossidi con tecnica CVD=== Il biossido di silicio depositato chimicamente da fase vapore non può sostituire gli ossidi cresciuti termicamente, che hanno migliori proprietà elettriche; tuttavia si utilizza in ruoli complementari a quelli degli ossidi cresciuti termicamente. [[Image:Silica.svg|right|thumb|200 px|Struttura S_iO_2]] Uno strato di biossido di silicio non drogato è utilizzato per realizzare strati mascheranti per l’impiantazione ionica o per la diffusione, per isolare metallizzazioni a più livelli oppure come strato di passivazione finale. Film di <math>S_iO_2 \ </math> possono essere realizzati in diversi modi; per deposizioni a bassa temperatura (da 300 a 500°C) i film sono realizzati facendo reagire il silano, il drogante e l’ossigeno: <math> S_iH_4+O_2\longrightarrow \ S_i O_2+2H_2</math> <math> 4PH_3+5O_2\longrightarrow \ 2P_2O_5+6H_2</math> Il processo di deposizione può essere condotto o a pressione atmosferica in un reattore CVD o a pressione ridotta in un reattore LPCVD; la bassa temperatura di deposizione della relazione silano-ossigeno rende questo processo indicato per la deposizione di film su di uno strato di alluminio. L’ossido di silicio deposto ha una struttura amorfa costituita da tetraedri`simile a quella del quarzo fuso. La densità più bassa si verifica nei film deposti al di sotto dei 500°C. Riscaldandolo a temperature tra 600 e 1000 °C, se ne provoca la densificazione e diminuisce lo spessore. Durante il processo di densificazione la struttura si mantiene amorfa, tuttavia la struttura tetraedrica diventa piu` regolare. Il processo di densificazione fa acquistare all’ossido deposto molte delle proprieta` dell’ossido termico. Vi è quindi una stretta relazione tra la temperatura di deposizione e la proprietà dei film di biossido di silicio deposti. In generale, gli ossidi deposti alle temperature più elevate sono simili all’ossido di silicio accresciuto termicamente. ===TEOS=== L’ ossido di silicio può essere quindi depositato in un reattore a bassa pressione (LPCVD), decomponendo <math> S_i(OC_2H_5)_4 \ </math> a temperature da 650 a 750°C. Questo composto, chiamato tetraetilortosilicato ed abbreviato in <math> TEOS \ </math>, viene vaporizzato da una sorgente liquida. La decomposizione del <math> TEOS \ </math> e` utile per deporre isolante sopra il polisilicio, ma l’alta temperatura richiesta impedisce il suo uso sull’alluminio. I vantaggi della deposizione con TEOS sono uniformità eccellente, copertura uniforme dei gradini e buone proprietà dei film, a discapito dell’alta temperatura di deposizione e della necessita` di una sorgente liquida. [[Image:Ricopertura film.jpg|right|thumb|150 px|Ricopertura film]] Si rappresenta la reazione chimica che da luogo al <math>TEOS \ </math>: [[Image:Esempioplasma.JPG|right|thumb|300 px|PECVD]] :<math>\mathrm{Si(OC_2H_5)_4 + O_2 + Rf}\longrightarrow \mathrm{SiO_2+CO_2 + H_2O} \longrightarrow TEOS</math> Le buone doti di ricopertura rendono il TEOS lo strato migliore per ricoprire le strutture dei MOSFET. Possiamo avere due possibili situazioni di ricopertura: Nella figura a fianco (a) viene mostrato un ricoprimento del gradino completamente conforme; lo spessore del film lungo le pareti e` uguale a quello al fondo del gradino. Si ha un ricoprimento conforme del gradino quando i reagenti, o i composti intermedi della reazione, vengono assorbiti sulla superficie e quindi migrano rapidamente lungo la superficie stessa prima di reagire. Questa rapida migrazione ha per risultato una concentrazione superficiale uniforme, senza tener conto della topografia e da di conseguenza uno spessore perfettamente uniforme. Quando i reagenti sono assorbiti e reagiscono senza una migrazione superficiale significativa, la velocità di deposizione e` proporzionale all’angolo di arrivo delle molecole di gas. Nella sezione (b) della stessa figura si vede come l’angolo di arrivo sulla superficie orizzontale è di 180 gradi, mentre in cima alla superficie verticale è solo di 90 gradi, così lo spessore del film viene ridotto di metà. Lungo le pareti verticali l’angolo di arrivo e` determinato dall’ampiezza dell’apertura e dallo spessore del film. Il biossido di silicio formato da decomposizione del <math>TEOS \ </math> a bassa pressione da una ricopertura quasi conforme a causa della rapida migrazione superficiale. Al contrario, durante la deposizione con reazione silano-ossigeno non si ha migrazione superficiale e la ricopertura è determinata dall’angolo di arrivo. Il <math>TEOS \ </math> può essere deposto anche con la tecnica <math>PECVD \ </math>. In questo caso si utilizza parzialmente l’energia termica per innescare le reazioni e in parte l'energia del plasma. Infatti i reattori per la deposizione chimica da fase vapore assistita da plasma, <math>Plasma Enhanced CVD (PECVD)</math>, sfruttano una scarica provocata dall’applicazione di un campo a radiofrequenza attraverso un gas a bassa pressione per trasferire energia ai gas reagenti. Il plasma in questo caso avviene in una miscela opportuna di Ossigeno e Argon. I film cresciuti con questa tecnica possono risultare contaminati con silanoli e possono essere instabili in aria. Pressioni di pochi mbar e una distanza piccola tra gli elettrodi, e/o deposizione con due frequenze permette di ottenere deposizioni con alta velocità di crescita e film con buona stabilità. Il reattore PECVD è del tipo a facce piane parallele, la Camera cilindrica di vetro o alluminio contiene due elettrodi paralleli di alluminio. All’elettrodo superiore e` applicata una tensione a radiofrequenza (13.5 MHz)mentre quello inferiore e` messo a terra. La tensione a radiofrequenza provoca una scarica di plasma; le fette sono poste sull’elettrodo inferiore. Il gas fluisce attraverso l’elettrodo inferiore sulla superficie del wafer. Il vantaggio principale di questo metodo consiste nella sua bassa temperatura di deposizione: una temperatura compresa tra 100 – 400 °C. Mentre lo svantaggio consiste nel fatto che si può processare un wafer alla volta e questo fa lievitare il costo di produzione. ===BPSG=== Il <math>BPSG</math> (Boron Phos Silicon Glass) e` un isolante (legami Silicio-Ossigeno in gruppi <math>S_iO_x \ </math>) nel quale vengono introdotti in siti interstiziali atomi pentavalenti (Fosforo) e trivalenti (Boro) che ne alterano le caratteristiche chimico-fisiche ed elettriche. I droganti diminuiscono la temperatura di fusione ed innalzano la velocità di deposizione del film. In questo modo un processo termico tra i 900 ed i 1100° C successivo alla deposizione di BPSG ne consente un buon “reflow” consentendo la ricopertura di strutture molto dense e la planarizzazione del film. Pertanto esso realizza la struttura portante del dispositivo nella quale vengono scavati i contatti ed i condensatori; ha inoltre anche il compito di isolare fra di loro tali strutture. Il processo sub-atmosferico delle camere e` cosi` organizzato: 3 tipologie di liquido, <math>TEOS</math>, <math>TEB</math> e <math>TEPO</math> vengono riscaldati e vaporizzati e confluiscono (tramite un carrier) in camera di deposizione insieme all’ Ozono (generato da un Ozone generator) dove reagiscono formando il <math>BPSG</math>: :<math>\mathrm{(C_2H_5O)_4S_i + (C_2H_5O)_3B + (C_2H_5O)_3PO}\longrightarrow \mathrm{(SiO_2+B+P)} + \mathrm{CH_3CHO} + ProdottiDiReazione </math> La pressione e` inferiore a quella atmosferica ed e` esattamente uguale a 200Torr, mentre la temperatura di deposizione e` fissata a 530° C. L’Ozono (<math>O_3 \ </math>) viene utilizzato come principale “fornitore” di Ossigeno, in quanto e` instabile e facilmente dissociabile anche a temperature non molto elevate e pertanto la giusta quantità di atomi di Ossigeno in camera di deposizione e` facilmente assicurata. Inoltre si ha l’aumento della conformalità e dell’uniformità del film <math>BPSG</math> all’aumentare del flusso di Ozono. La presenza dei droganti nei vari films di <math>BPSG</math> e` tale da garantire e migliorare alcune caratteristiche dell’ossido: per esempio, il processo di Dry Etch che serve a scavare il <math>BPSG</math> per l’apertura dei contatti su Source/Drain e` piu` efficace in presenza di una maggiore quantità di Fosforo, cosi` come la presenza di Boro in una giusta percentuale aiuta il film a “rifluire”, cioè a stabilizzarsi in densità, quando viene sottoposto a processi termici come il Reflow, poiché ne abbassa la temperatura di fusione. Tuttavia bisogna stare attenti a non esagerare con il Boro in quanto questo, a concentrazioni vicine al 5% comincia a cristallizzare piuttosto che a distribuirsi uniformemente. Quindi si aggiunge del Fosforo ma anche in questo caso non possiamo superare valori vicini all’ 8% in quanto si rischierebbe di formare Acido Fosforico che risulterebbe corrosivo per alcune strutture. Inoltre Boro e Fosforo determinano anche l’attaccabilità nei confronti dei processi di Dry Etch e Wet quindi le loro concentrazioni devono essere controllate con una certa accuratezza. OSSERVAZIONE La fluidità del film aumenta con il crescere della concentrazione di Fosforo. L’andamento dell’angolo di ricopertura (ovvero il gradino che si viene a formare quando la fluidità è bassa) in funzione della percentuale in peso di fosforo (wt%) può essere approssimato come: <math>\theta=120\left(\frac{{10-wt\%}}{{10}}\right)</math> =ILD= L'ILD (ossido intermetallico) viene posto tra due metalli come mostrato in figura. [[Image:ILD(2).jpg|thumb|left|150px|ILD]] L' Alluminio fonde circa a 660° mentre l' ILD viene posto a circa 600°. Per deporre l' ILD non si deve naturalmente fondere l'Alluminio e anche in questo caso la tecnica di deposizione è il PECVD. Se abbiamo due aree attive molto vicine con la necessità che le due aree siano elettricamente isolate allora deve essere effettuato uno scavo attorno alle aree attive in modo da poterle isolare. Tramite il processo di HDP andiamo a riempire lo scavo (trench) con un ossido di alta qualità che ci fornisce l' isolamento elettrico. Con un altro processo poi si planarizza l' ossido precedentemente deposto. Lo spazio tra due aree attive è molto difficile da riempire e se utilizzo ad esempio il BPSG potrebbero crearsi dei buchi (voids). [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Processi_successivi| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Processi_successivi/Impiantazione_ionica| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Ossidazione]] {{Avanzamento|75%|26 giugno 2026}} 1yvhv3xbtxnxxlosgke6ycf7jwmqupo 0 23520 478138 181084 2025-06-26T07:43:19Z Pasquale.Carelli 528 titolo indietro avanti 478138 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Deposizione di film dielettrici== I processi di '''deposizione di ''film''''' dielettrici più comuni sono i seguenti: *deposizione di ''biossido di silicio'' *deposizione di ''nitruro di silicio'' *deposizione di ''polisilicio amorfo o cristallino'' I processi di deposizione di film sottili vengono effettuati a Diffusione in apparati molto simili a quelli utilizzati per i processi di ossidazione. In questo caso le fornaci, oltre a tutti gli apparati per la movimentazione interna dei wafer di silicio, il controllo della temperatura in camera, dei flussi di gas, hanno bisongno anche della pressione in camera di processo. Le pressioni tipiche sono nel range 250-1500 mTorr. Le temperature sono comprese tra i 300 °C e i 900 °C. I reattori a pareti riscaldate hanno il vantaggio di processare parecchie centinaia di fette per volta con elevata uniformità del film deposto. Tuttavia il processo è lento. I reattori per deposizione chimica assistita da ''plasma'' ('''PECVD''') hanno il vantaggio di avere una bassa temperatura di deposizione. Tuttavia hanno una capacità limitata, perché possono processare solamente una fetta per volta. Il vuoto è generato mediante un sistema di pompe meccaniche in serie (''dry pump'' e ''booster pump''), collegate alla camera di processo da una tubazione rigida di circa 10 cm di diametro. ==Deposizione di biossido di silicio== Gli ''ossidi di silicio'' depositati nell'area di Diffusione sono ossidi non drogati e sono generalmente depositati a partire da una sorgente liquida (tetraortosilicato di silicio, TEOS) a temperature da 650 a 750 °C e a pressioni ridotte. *Le deposizioni con TEOS hanno uniformità eccellente, copertura uniforme dei gradini e buone proprietà dei film. *La decomposizione del TEOS avviene ad alta temperatura che quindi ne limita l'utilizzo, impedendone l'uso sull'alluminio. ===Proprietà dell'ossido deposto=== #Relazione stretta tra temperatura di deposizione e la proprietà dei film di biossido di silicio deposti #Gli ossidi di silicio deposti ad alte T sono simili all'ossido di silicio accresciuto termicamente #Le buoni doti di ricopertura rendono il TEOS lo strato migliore per ricoprire le strutture del '''MOSFET''' ===Ricopertura a gradini=== Nelle deposizioni di ossido di silicio si osservano due tipi generali di ricoprimento dei gradini: ;Ricopertura conforme(da TEOS) :reagenti adsorbiti dalla superficie, elevata migrazione superficiale, spessore uniforme indipendente dalla topografia. Si ha dunque un ricoprimento del gradino completamente conforme; lo spessore del film lungo le pareti è uguale a quello al fondo del gradino. Si ha un ricoprimento conforme del gradino quando i reagenti, o i composti intermedi della reazione, vengono assorbiti alla superficie e quindi migrano rapidamente lungo la superficie stessa prima di reagire. ;Ricopertura non conforme (da silano) :reagenti adsorbiti con bassa migrazione superficiale, tasso di deposizione proporzionale all'angolo di arrivo delle molecole. Quando i reagenti sono assorbiti e reagiscono senza una migrazione superficiale significativa, la velocita` di deposizione e` proporzionale all’angolo di arrivo delle molecole di gas. Quindi il film deposto non sarà uniforme su tutto il gradino. ==Deposizione di nitruro== Il Nitruro di Silicio (Si3N4) viene usato per passivare i dispositivi al silicio, in quanto agisce come un'efficace barriera nei confronti della diffusione del sodio e dell'acqua. Queste impurezze causano corrosione od instabilità dei dispositivi. *Viene deposto chimicamente, facendo reagire ''diclorosilano'' ed ''ammoniaca'' a temperature da 700-800° C a pressione ridotta. *La tecnica a bassa pressione ha un'ottima uniformità ed elevata produttività di ''wafers''. *Lo svantaggio è quello di avere un residuo di reazione che è solido a pressioni e temperature inferiori a quella di processo. Il Nitruro è generalmente quindi l'ultimo strato del dispositivo e ha la funzione di proteggerere il dispositivo dagli agenti esterni. ==Deposizione di polisilicio== La deposizione del polisilicio avviene per pirolesi del silano a temperature che variano da 520 °C a 650 °C a bassa pressione. La reazione è: :<math>\mathrm{SiH_4} \longrightarrow \mathrm{Si}(solido)+\mathrm{2H_2};</math> La struttura del polysilicio è amorfa se depositato al di sotto di 575 °C, mentre a temperature superiori a 625 °C ha una struttura con dei grani di cristalli disposti a colonna. Nel processo di deposizione del polisilicio il passaggio dalla zona amorfa a quella colonnare è tra 575 °C e 625 °C e dipende dalla pressione, dai droganti e dalle impurità. La cristallizzazione è inoltre influenzata da droganti e dalle impurità, ma al di sopra di 1000 °C non c'è ulteriore cambiamento. La presenza di droganti aumenta il ''grain size''. Il polisilicio viene utilizzato principalmente come elettrodo di gate nei dispositivi MOS. Infatti il polisilicio risulta essere più affidabile di qualsiasi altro metallo perché il legame del polisicio con l' ossido di silicio è più stabile con la temperatura. Dunque sul gateox si deposita uno strato di polisilicio piuttosto che un metallo quale ad esempio alluminio o tungsteno. ===Struttura del polisilicio=== #Struttura ''amorfa'' #struttura ''colonnare'' #Struttura ''cristallina'' Quando il polisilicio è depositato a temperature comprese tra i 600-650 °C, si ottiene una struttura a colonna, che comprende grani policristallini aventi dimensioni tra 0.03 e 0.3 μm con orientamento preferenziale. Quando il fosforo viene fatto diffondere a 950 °C la struttura si trasforma in cristallite e la dimensione dei grani cresce fino ad una media tra 0.5 a 1 μm. Se la temperatura arriva a 1050 °C durante l'ossidazione, i grani raggiungono una dimensione finale che può andare da 1 μm a 3 μm. ==Fornaci per deposizione di film a bassa pressione== I processi di deposizione di film sottili vengono effettualti a Diffusione in macchinari molto simili a quelli utilizzati per i processi di ossidazione. ;''Fornace a pareti riscaldate'' (LPCVD) :C' è un tubo di quarzo riscaldato da un forno a 3 zone. Il gas viene introdotto da una estremità e poi viene pompato all' uscita. Le fette sono poste su di una navicella di quarzo mentre la pressione è controllata da sensori capacitivi. In questo caso si ha il vantaggio di processare parecchie centinaia di fette per volta con elevata uniformità del film deposto. Tuttavia il processo è lento. [[File:Forno a pareti riscaldate.jpg|850px]] ;''Reattore per deposizione chimica assistita da plasma'' (PECVD) :I reattori per deposizione chimica assistita da plasma (PECVD) hanno il vantaggio di avere una bassa temperatura di deposizione. Tuttavia hanno una capacità limitata, perché possono processare solamente una fetta per volta. Il vuoto è generato mediante un sistema di pompe meccaniche montate in serie (dry pump e booster pump), collegate alla camera di processo da una tubazione rigida di circa 10 cm di diametro. Questi reattori sono costituiti da una camera cilindrica in vetro o alluminio con due elettrodi paralleli tra cui è applicata la RF che provoca la scarica di plasma (vedi la voce 'plasma'). Le fette sono poste sull' elettrodo inferiore che si trova ad una temperatura di 100-400 °C. ==Polisilicio e drogaggio== Per ridurne la resistività, il polisicio può essere drogato durante la deposizione. Nel forno quindi, oltre a mettere il Silano, si mettono atomi di drogante come Fosfina, Arsina, Diborano. Il polisilicio puo` essere utilizzato per contattare le zone n+ nei transistor ad esempio e quindi il contatto ideale sarebbe quello a più bassa resistenza. [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Molecular_Beam_Epitaxy_(MBE)| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Film_metallici| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film dielettrici]] {{Avanzamento|50%|26 giugno 2025}} g2fjx8d2qgw62kws1b9oomiwx2hvpi4 478139 478138 2025-06-26T07:44:26Z Pasquale.Carelli 528 /* Deposizione di polisilicio */ ortografia 478139 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Deposizione di film dielettrici== I processi di '''deposizione di ''film''''' dielettrici più comuni sono i seguenti: *deposizione di ''biossido di silicio'' *deposizione di ''nitruro di silicio'' *deposizione di ''polisilicio amorfo o cristallino'' I processi di deposizione di film sottili vengono effettuati a Diffusione in apparati molto simili a quelli utilizzati per i processi di ossidazione. In questo caso le fornaci, oltre a tutti gli apparati per la movimentazione interna dei wafer di silicio, il controllo della temperatura in camera, dei flussi di gas, hanno bisongno anche della pressione in camera di processo. Le pressioni tipiche sono nel range 250-1500 mTorr. Le temperature sono comprese tra i 300 °C e i 900 °C. I reattori a pareti riscaldate hanno il vantaggio di processare parecchie centinaia di fette per volta con elevata uniformità del film deposto. Tuttavia il processo è lento. I reattori per deposizione chimica assistita da ''plasma'' ('''PECVD''') hanno il vantaggio di avere una bassa temperatura di deposizione. Tuttavia hanno una capacità limitata, perché possono processare solamente una fetta per volta. Il vuoto è generato mediante un sistema di pompe meccaniche in serie (''dry pump'' e ''booster pump''), collegate alla camera di processo da una tubazione rigida di circa 10 cm di diametro. ==Deposizione di biossido di silicio== Gli ''ossidi di silicio'' depositati nell'area di Diffusione sono ossidi non drogati e sono generalmente depositati a partire da una sorgente liquida (tetraortosilicato di silicio, TEOS) a temperature da 650 a 750 °C e a pressioni ridotte. *Le deposizioni con TEOS hanno uniformità eccellente, copertura uniforme dei gradini e buone proprietà dei film. *La decomposizione del TEOS avviene ad alta temperatura che quindi ne limita l'utilizzo, impedendone l'uso sull'alluminio. ===Proprietà dell'ossido deposto=== #Relazione stretta tra temperatura di deposizione e la proprietà dei film di biossido di silicio deposti #Gli ossidi di silicio deposti ad alte T sono simili all'ossido di silicio accresciuto termicamente #Le buoni doti di ricopertura rendono il TEOS lo strato migliore per ricoprire le strutture del '''MOSFET''' ===Ricopertura a gradini=== Nelle deposizioni di ossido di silicio si osservano due tipi generali di ricoprimento dei gradini: ;Ricopertura conforme(da TEOS) :reagenti adsorbiti dalla superficie, elevata migrazione superficiale, spessore uniforme indipendente dalla topografia. Si ha dunque un ricoprimento del gradino completamente conforme; lo spessore del film lungo le pareti è uguale a quello al fondo del gradino. Si ha un ricoprimento conforme del gradino quando i reagenti, o i composti intermedi della reazione, vengono assorbiti alla superficie e quindi migrano rapidamente lungo la superficie stessa prima di reagire. ;Ricopertura non conforme (da silano) :reagenti adsorbiti con bassa migrazione superficiale, tasso di deposizione proporzionale all'angolo di arrivo delle molecole. Quando i reagenti sono assorbiti e reagiscono senza una migrazione superficiale significativa, la velocita` di deposizione e` proporzionale all’angolo di arrivo delle molecole di gas. Quindi il film deposto non sarà uniforme su tutto il gradino. ==Deposizione di nitruro== Il Nitruro di Silicio (Si3N4) viene usato per passivare i dispositivi al silicio, in quanto agisce come un'efficace barriera nei confronti della diffusione del sodio e dell'acqua. Queste impurezze causano corrosione od instabilità dei dispositivi. *Viene deposto chimicamente, facendo reagire ''diclorosilano'' ed ''ammoniaca'' a temperature da 700-800° C a pressione ridotta. *La tecnica a bassa pressione ha un'ottima uniformità ed elevata produttività di ''wafers''. *Lo svantaggio è quello di avere un residuo di reazione che è solido a pressioni e temperature inferiori a quella di processo. Il Nitruro è generalmente quindi l'ultimo strato del dispositivo e ha la funzione di proteggerere il dispositivo dagli agenti esterni. ==Deposizione di polisilicio== La deposizione del polisilicio avviene per pirolesi del silano a temperature che variano da 520 °C a 650 °C a bassa pressione. La reazione è: :<math>\mathrm{SiH_4} \longrightarrow \mathrm{Si}(solido)+\mathrm{2H_2};</math> La struttura del polisilicio è amorfa se depositato al di sotto di 575 °C, mentre a temperature superiori a 625 °C ha una struttura con dei grani di cristalli disposti a colonna. Nel processo di deposizione del polisilicio il passaggio dalla zona amorfa a quella colonnare è tra 575 °C e 625 °C e dipende dalla pressione, dai droganti e dalle impurità. La cristallizzazione è inoltre influenzata da droganti e dalle impurità, ma al di sopra di 1000 °C non c'è ulteriore cambiamento. La presenza di droganti aumenta il ''grain size''. Il polisilicio viene utilizzato principalmente come elettrodo di gate nei dispositivi MOS. Infatti il polisilicio risulta essere più affidabile di qualsiasi altro metallo perché il legame del polisicio con l' ossido di silicio è più stabile con la temperatura. Dunque sul gateox si deposita uno strato di polisilicio piuttosto che un metallo quale ad esempio alluminio o tungsteno. ===Struttura del polisilicio=== #Struttura ''amorfa'' #struttura ''colonnare'' #Struttura ''cristallina'' Quando il polisilicio è depositato a temperature comprese tra i 600-650 °C, si ottiene una struttura a colonna, che comprende grani policristallini aventi dimensioni tra 0.03 e 0.3 μm con orientamento preferenziale. Quando il fosforo viene fatto diffondere a 950 °C la struttura si trasforma in cristallite e la dimensione dei grani cresce fino ad una media tra 0.5 a 1 μm. Se la temperatura arriva a 1050 °C durante l'ossidazione, i grani raggiungono una dimensione finale che può andare da 1 μm a 3 μm. ==Fornaci per deposizione di film a bassa pressione== I processi di deposizione di film sottili vengono effettualti a Diffusione in macchinari molto simili a quelli utilizzati per i processi di ossidazione. ;''Fornace a pareti riscaldate'' (LPCVD) :C' è un tubo di quarzo riscaldato da un forno a 3 zone. Il gas viene introdotto da una estremità e poi viene pompato all' uscita. Le fette sono poste su di una navicella di quarzo mentre la pressione è controllata da sensori capacitivi. In questo caso si ha il vantaggio di processare parecchie centinaia di fette per volta con elevata uniformità del film deposto. Tuttavia il processo è lento. [[File:Forno a pareti riscaldate.jpg|850px]] ;''Reattore per deposizione chimica assistita da plasma'' (PECVD) :I reattori per deposizione chimica assistita da plasma (PECVD) hanno il vantaggio di avere una bassa temperatura di deposizione. Tuttavia hanno una capacità limitata, perché possono processare solamente una fetta per volta. Il vuoto è generato mediante un sistema di pompe meccaniche montate in serie (dry pump e booster pump), collegate alla camera di processo da una tubazione rigida di circa 10 cm di diametro. Questi reattori sono costituiti da una camera cilindrica in vetro o alluminio con due elettrodi paralleli tra cui è applicata la RF che provoca la scarica di plasma (vedi la voce 'plasma'). Le fette sono poste sull' elettrodo inferiore che si trova ad una temperatura di 100-400 °C. ==Polisilicio e drogaggio== Per ridurne la resistività, il polisicio può essere drogato durante la deposizione. Nel forno quindi, oltre a mettere il Silano, si mettono atomi di drogante come Fosfina, Arsina, Diborano. Il polisilicio puo` essere utilizzato per contattare le zone n+ nei transistor ad esempio e quindi il contatto ideale sarebbe quello a più bassa resistenza. [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Molecular_Beam_Epitaxy_(MBE)| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Film_metallici| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film dielettrici]] {{Avanzamento|50%|26 giugno 2025}} hy36sahk2cmgzrm45yxjton7i8868g1 0 23530 478128 474554 2025-06-25T13:35:31Z Pasquale.Carelli 528 indietro avanti ortografia 478128 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Evaporazione== La tecnica di deposizione fisica da fase vapore (detta '''Physical Vapor Deposition''') di film sottili mediante evaporazione termica è uno dei processi più antichi di deposizione. Il materiale viene riscaldato sotto vuoto e o [[w:Sublimazione|sublima]] o [[w:Evaporazione|evapora]]. Da semplici considerazioni termodinamiche segue che il flusso <math>F\ </math> uscente dalla sorgente, cioè il numero di molecole che escono per unità di superficie e di tempo, dipende in maniera esponenziale dall'[[w:Energia_di_attivazione|energia di attivazione]] della relativa trasformazione di fase coinvolta (evaporazione o sublimazione) secondo la legge: :<math>F=Ae^{-E_a/k_BT}\ </math> <math>A\ </math> varia debolmente con l'energia di attivazione e la temperatura <math>T\ </math>, l'[[w:Energia_di_attivazione|energia di attivazione]] <math>E_a\ </math> è l'energia necessaria per sottrarre dalla sorgente un atomo del materiale. L'energia di attivazione è di 2-3 eV per i materiali a basso punto di fusione e diventa due tre volte maggiore per i materiali refrattari. Il problema principale in questo processo è costituito dai gas residui. In un tipico materiale solido un singolo strato di atomi (monolayer) è fatto da circa 10¹⁵ Atomi/cm². Per avere una idea dalla [[w:Teoria_cinetica_dei_gas|teoria cinetica dei gas]] ad una pressione parziale di 7.5x10^-4 Pa ( 10^-4 mtorr, Alto vuoto) il numero di atomi che bombardano un cm² di superficie in un secondo sono circa 3.8x10¹³. Quindi ogni atomo della superficie ogni 22 secondi viene bombardato da un atomo di gas residuo, che se è un gas reattivo, come l'ossigeno, si può combinare con lo stato sottostante. Quindi la velocità del film deve competere con tale processo per evitare contaminazione da parte dei gas residui. Ovviamente i processi chimici tra i gas residui ed i materiali da evaporare determinano il grado di contaminazione. Alcune sostanze come i metalli nobili, non vengono ossidati, e quindi possono essere evaporati con vuoti meno spinti. Altre metalli si ossidano facilmente e in questo caso il vuoto residuo deve essere di ottima qualità per avere film affidabili. La temperatura a cui bisogna portare il materiale da evaporare dipende dal suo diagramma di fase, in genere la temperatura tipica è quella per cui la tensione di vapore è di circa 1-10 Pa. Con tale tecnica si evaporano materiali (in genere con bassa temperatura di fusione) come l'alluminio, l'oro, l'argento, il palladio, il nichel, lo stagno, il piombo o l'indio. Ma già materiali come il cromo o il Platino vengono evaporati con difficoltà, in questo caso il [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Deposizione_con_cannone_elettronico|cannone elettronico]] è una tecnica preferibile. Il metodo tipico con cui si evaporano i metalli è facendo passare una corrente molto intensa attraverso un metallo refrattario che contiene il materiale da evaporare (un crogiolo o un filamento ad esempio di Tungsteno o Molibdeno). Il riscaldamento avviene per effetto Joule, vi è la possibilita che vi siano contaminazioni dovute al filamento, inoltre la dimensione limitata del filamento limita lo spessore di materiale da evaporare. In pratica ad ogni evaporazione bisogna riaprire il sistema da vuoto e aggiungere nuovo materiale da evaporare nella sorgente. Da un punto di vista del materiale da evaporare è una tecnica molto costosa in quanto solo una frazione minima del materiale evaporato si deposita nella zona di interesse. In genere la distanza tra sorgente e substrato viene volutamente tenuta grande in maniera da diminuire gli schizzi di materiale che evapora che formerebbero imperfezioni sul film depositato. La tecnica viene utilizzata nei laboratori di ricerca in quanto molto economica, la strumentazione necessaria è estremamente semplice. <big>'''Alcune caratteristiche sono comuni all'evaporazione con [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Deposizione_con_cannone_elettronico|cannone elettronico]] e vengono descritte nel seguito:'''</big> Il flusso di materiale che arriva sul substrato è pari: <math>F_s\propto \frac {F\times S\times \cos(\theta)}{d^2}\ </math> Dove <math>S\ </math> è la superficie della sorgente, <math>F\ </math> flusso uscente dalla sorgente, <math>\theta\ </math> è l'angolo tra la normale alla sorgente e il vettore radiale congiungente la sorgente e il substrato, <math>d\ </math> la distanza tra sorgente e substrato. La deposizione non è quindi sferica, la deposizione è massima nella direzione normale alla sorgente di evaporazione cioè per <math>\theta=0\ </math>. Date le condizioni di vuoto è estremamente improbabile che il materiale che esce dalla sorgente urti una molecola di gas prima si arrivare sul substrato, per cui i materiali che si depositano hanno una traiettoria rettilinea. Il materiale non forma ombre come con altre tecniche. In alcuni casi è un qualcosa di utile, in altri questo è un problema in quanto scalini ripidi di materiali sottostanti non vengono ricoperti, e quindi ogni film successivo per ricoprire con successo gli strati sottostanti deve avere uno spessore superiore ad essi. Spesso per rendere la deposizione conforme (cioè ricoprente l'angolo <math>\theta\ne 0\ </math> ed il substrato (substrati) vengono fatto ruotare con un sistema planetario. L'evaporazione è una tecnica veloce si possono facilemente depositare anche 500 nm di Al al minuto; è di facile realizzazione; l'energia di impatto degli atomi sul substrato è molto bassa (minore di 0.1 eV), questo comporta che non vi è danneggiamento della superficie del substrato, in realtà con il cannone elettronico il danneggiamento degli strati sottostanti può avvenire a a causa dei raggi UV e X presenti (non degli atomi che urtano la superficie). Se si usano opportune condizioni sperimentali (basso vuoto residuo, materiali di partenza puri, crogioli di buona qualità...) si riescono ad ottenere film di estrema purezza e struttura conosciuta. Infatti quando la purezza del materiale è un fattore determinante nelle proprietà del dispositivo questa è la tecnica preferita. Ad esempio nei sensori elettrochimici in cui l'attività elettrocatalitica del monolayer superiore dell'elettrodo sensore è un elemento essenziale la purezza dei materiali ottenuti mediante evaporazione termica è la più utilizzata. Nei sensori chimici la purezza della superficie del film è più importante delle proprietà volumetriche quali la resistività che spesso viene utilizzata per caratterizzare i film. Infatti normalmente i film vengono caratterizzati dalla loro resistività: un film è di buona qualità se la sua resistività è simile a quella del materiale non in forma di film. La tecnica non si presta per depositare film uniformi su grandi superfici a causa della inomogeneità del film cresciuto. Alcuni materiali (composti o miscele), non gli elementi, si decompongono ad alta temperatura e questo rappresenta un grave limite tecnologico della tecnica. In questo caso il cannone elettronico ha dei pregi evidenti in quanto solo una piccola parte della sorgente viene riscaldata, quindi la decomposizione è un fatto localizzato e controllabile. In genere un otturatore (''shutter'') viene interposto tra la sorgente ed il substrato nella fase iniziale di deposizione, in quanto il flusso iniziale è ricco componenti a più bassa tensione di vapore, dopo una fase iniziale il materiale fuso perde le componenti a bassa tensione di vapore e si raggiunge un equilibrio dinamico a questo punto l'otturatore viene spostato ed inizia l'evaporazione vera e propria. In genere un [[:w:en:Quartz_crystal_microbalance|misuratore di spessore a quarzo]] permette di controllare la velocità di crescita durante il processo di evaporazione. Tali strumenti misurano lo spessore del film a livello di monolayer atomico. Per formare ossidi di metalli depositati, l'evaporazione viene fatta in una atmosfera a bassa pressione di ossigeno: Il processo viene detto evaporazione reattiva. Per ottenere la stechiometria corretta la deposizione deve avvenire su un substrato mantenuto a temperatura elevata. [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Sputtering| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Deposizione_con_cannone_elettronico| avanti]] {{Avanzamento|75%|25 giugno 2025}} ciqfzoh5w9tjjjc5bku9sniomynnw69 0 23532 478127 449726 2025-06-25T13:27:28Z Pasquale.Carelli 528 titolo avanti indietro 478127 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Sputtering== Quando un solido è bombardato con atomi o ioni o molecole, se l'energia delle particelle incidenti è maggiore della energia di legame dei solidi (5 eV) gli atomi nel solido sono espulsi dalla superficie. Gli atomi espulsi vanno nella fase gassosa e il fenomeno viene chiamato sputtering (non esiste un termine italiano). Se però l'energia è molto più elevata (qualche keV) le particelle bombardanti penetrano in profondità e il processo diviene la impiantazione ionica. Se invece l'energia è minore di 5 eV gli atomi rimbalzano sulla superficie o rimangono sulla superficie e poi lentamente, specialmente se sono atomidi gas nobili, vengono desorbiti e tornano nella fase vapore. [[Immagine:Schema--Sputtering.png|left|thumb|350px|Schema semplificato di un sistema di sputtering]] Il bombardamento con gli elettroni non produce sputtering a meno che l'energia non sia di molte centinaia di eV a causa del fatto che il trasferimento di energia cinetica dagli elettroni, leggeri, agli atomi del bersaglio, di molti ordini di grandezza più pesanti, è molto inefficiente. Per bombardare la superficie gli ioni sono usati in quanto la loro energia cinetica può essere resa sufficientemente elevata mediante campi elettrici. L'energia di soglia per il processo di sputtering è abbastanza indipendente dal materiale e dal gas bombardante, in quanto non è essenzialmente un processo a due corpi, ma chiaramente gli atomi vicini giocano un ruolo essenziale. Infatti si può avere sputtering anche quando gli ioni incidenti arrivano con incidenza normale alla superficie e il fenomeno si spiega con una variazione della quantità di moto maggiore di 90^o dovuta agli atomi vicini. Processi a collisioni singole si hanno solo in caso di bombardamento obliquo della superficie. La deposizione mediante sputtering è una tecnica di deposizione fisica di film sottili (nel testo si useranno degli inglesismi quali film sputterati o sputterare non esistendo parole italiane che ne siano una fedele traduzione). La tecnica consiste nel rimuovere materiale dal target, che è la sorgente, e da questa depositarlo sul substrato, ad esempio un wafer di silicio. Il resputtering è la rimozione del materiale deposto durante il processo di deposizione da parte degli ioni o degli atomi incidenti sul substrato. Gli atomi ''sputterati'' dal target hanno una grande distribuzione di energie da frazioni di eV fino a decine di eV. Gli atomi sputterati se la pressione è sufficientemente bassa possono andare in maniera in linea retta dal target urtando il substrato o la camera da vuoto, causando eventualmente resputtering. Notiamo che gli ioni sono minoritari rispetto agli atomi neutri, infatti tipicamente sono ionizzati solo una piccola frazione degli atomi dell'ordine dell'0.01%. A pressioni maggiori gli atomi collidono con gli atomi del gas che agiscono come un moderatore e si muovono in maniera diffusiva, raggiungendo il substrato o la camera da vuoto e condensandosi dopo avere fatto un [[w:Passeggiata_aleatoria|cammino stocastico]]. Cambiando la pressione, durante il processo, si può andare da urti balistici di alta energia a moto termalizzato di bassa energia. Il gas utilizzato nello sputtering è in genere un gas inerte come l'[[w:Argon|Argon]]. Per un trasferimento efficiente della quantità di moto, il peso atomico del gas utilizzato dovrebbe essere simile al peso atomico del materiale del target, quindi per depositare mediante sputtering materiali leggeri è preferibile il [[w:Neon|Neon]], mentre per materiali pesanti possono essere usati il [[w:Krypton|Krypton]] o lo [[w:Xenon|Xenon]]. In pratica, per motivi economici, viene comunemente usato l'Argon, che è di gran lunga più economico rispetto agli altri gas nobili. Gas reattivi possono anche essere utilizzati per depositare composti. In questo caso il composto può essere formato o durante il tragitto o sul substrato a seconda dei parametri di processo. Il fatto che molti parametri determinano le caratteristiche del film depositato rendono il processo complesso, ma anche permettono agli esperti di crescere film di proprietà microstrutturali particolari. == Uso dello sputtering== Lo sputtering è comunemente usato dall'industria dei semiconduttori per depositare film sottili di vari materiali quali Tungsteno, Alluminio, Titanio, Rame. In genere poiché la temperatura del substrato può mantenersi bassa è la tecnica ideale per realizzare contatti metallici nei dispositivi elettronici. Una altra applicazione importante sono gli [[w:Trattamento_antiriflesso|strati antiriflettenti]] sulle lenti che vengono comunemente realizzate con tale tecnica. La metallizazione di contenitori in plastica anche viene realizzata in genere con tale tecnica. Nella fabbricazione di CD e DVD il metallo depositato, in genere Alluminio, è depositato mediante sputtering. Le superfici degli hard disk sono costituite da Ossido di Cromo (CrO_x) o altri materiali sempre cresciuti con la stessa tecnologia. == Paragone con altre tecniche di deposizione== Un vantaggio importante della deposizione via sputtering è che anche materiali con punto di fusione molto elevato possono essere sputterati, cosa praticamente impossibile con [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Evaporazione|evaporazione termica]]. Film sputterati hanno una composizione molto simile a quella della sorgente. La differenza eventuale è dovuta alla diversa diffusione dal target al bersaglio, in quanto i materiali più leggeri sono deflessi più facilmente dal gas, ma la eventuale differenza di composizione non cambia durante la deposizione. Film sputterati hanno tipicamente una adesione molto migliore al substrato di film evaporati. Inoltre un target contiene una grande quantità di materiale e quindi molto raramente occorre rinnovare il materiale del target e questo permette di utilizzare la tecnica anche in [[w:vuoto|vuoto]] molto spinto (UHV). Le sorgenti per lo sputtering non contengono parti calde (per evitare surriscaldamento i catodi sono tipicamente raffreddate ad acqua) e sono compatibili con gas reattivi quali l'[[w:Ossigeno|Ossigeno]]. Mentre l'evaporazione deve necessariamente essere effettuata dal basso verso l'alto, sputtering può essere effettuata anche dall'alto verso il basso, questo permette di evitare che polvere si depositi sui substrati nel processo di deposizione. Non esistono problemi di schizzi di materiale come avviene nell’evaporazione. Il processo di sputtering è compatibile con processi speciali quali la [[w:Crescita_epitassiale|crescita epitassiale]]. Gli svantaggi sono che il processo è più difficile da combinare con la tecnica di lift off usata per strutturare nel piano i film, questo a causa del fatto che il trasporto diffusivo, caratteristico dello sputtering, rende impossibile una ombra perfetta (cioè il film sputterato riesce a coprire anche zone nel cono d'ombra di evaporazione). In realtà, non potendo limitare completamente dove gli atomi vanno, si possono avere problemi di contaminazione. E' difficile controllare una crescita strato per strato. Inoltre nella matrice del film sputterato gli atomi dei gas inerti usati per il plasma sono inglobati nella struttura e costituiscono delle imperfezioni. La velocità di deposizione è in genere limitata a meno di 200 nm/min. ==Il fenomeno fisico dello Sputtering== Lo sputtering è un fenomeno fisico nel quale ioni, solitamente Ar⁺, vengono accelerati per mezzo di un gradiente di potenziale in modo da bombardare un “bersaglio” (Target), o [[w:catodo|catodo]]. Poiché gli ioni cedono la loro quantità di moto agli atomi posti sulla superficie del bersaglio, questi ultimi diventano volatili e sono trasportati sotto forma di vapore sul substrato dove vengono deposti sotto forma di film metallico. [[Immagine:03_Formazione_del_Plasma.png|left|thumb|300px|Formazione del Plasma]] * Si immette nella camera l’Argon che è un gas inerte. Fornendo una differenza di potenziale, gli “elettroni liberi” verranno accelerati lontano dalla carica negativa del catodo. Essi incontreranno nel loro percorso gli atomi di Argon e dall’urto riusciranno a ionizzarli, estraendo un elettrone che urterà un altro atomo di Argon e, per un processo a catena, si creerà il [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_plasma|plasma]] . La [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_plasma#Interazioni possibili tra ione e atomo|diseccitazione]] degli atomi che non sono stati ionizzati, ma eccitati, determina la luminosità della scarica. * Gli ioni Ar⁺ caricati positivamente vengono accelerati verso il catodo negativo (dove c’è il target) formando una corrente di plasma con una quantità di moto sufficiente da estrarre atomi dal materiale bersaglio (atomi non ionizzati, frammenti di molecole, ecc …) che si diffonderà in tutta la camera e, quindi, anche sul substrato. [[Image:04_Sputtering_target.png|right|thumb|300px|Sputtering del Target e deposizione off-axis]] * Gli atomi espulsi collidono con il substrato formando un film estremamente sottile. In genere la formazione del film consiste in cinque processi successivi di trasporto del materiale (precursore) sulla superficie, assorbimento dei precursori, diffusione di superficie, nucleazione e crescita di isole, crescita del film continuo. A volte può succedere che la quantità di moto dei precursori sia talmente grande da fare in modo che questi vengano impiantati nel substrato. La velocità di deposizione dipende dalla distanza del Target dal substrato. lo sputtering è dovuto al trasferimento della quantità di moto dalla particella incidente all’atomo del bersaglio solido. per fare in modo che questo trasferimento sia significativo, bisogna che la particella incidente abbia almeno una massa <math>M_1\ </math> comparabile con quella dell’atomo del bersaglio <math>M_2\ </math>. Quindi gli ioni sono facilmente accelerati verso il bersaglio da un campo elettrico <math>E_i\ </math> generato dalla differenza di potenziale applicata agli elettrodi e un certo numero N di atomi viene emesso dal bersaglio. Il numero N di atomi per unità di area che lasciano il substrato è: {{Equazione|eq=<math>N=\frac J{qZ}F(E,M_1,M_2)\ </math>|}} Dove <math>J\ </math> è la densità (unidimensionale) di corrente degli ioni che bombardano il catodo ed è proporzionale alla tensione applicata e alla quantità di Argon che immettiamo nella camera. q è la carica elettronica e Z è il numero di cariche per ione. <math>F\ </math> è un parametro quantitativo che indica il numero di atomi estratti dalla superficie del target per ione che incide. [[Image:07_Curva_resa_Sputtering.png|left|thumb|300px|Dipendenza di <math>F\ </math> resa dello Sputtering]] <math>F\ </math> (adimensionale) (resa in inglese ''yield'') è una funzione dell’energia <math>E\ </math> posseduta dagli ioni, del peso atomico <math>M_1\ </math> degli ioni e del peso atomico <math>M_2\ </math> degli atomi del target. Altri contributi ad <math>F\ </math> sono la dipendenza dall’energia di legame interatomico del target e dall’angolo di incidenza. Da considerazioni geometriche, è chiaro che l’incidenza obliqua degli ioni che colpiscono il bersaglio aumenta la resa dello sputtering. Con incidenza non perpendicolare è più facile che le collisioni conferiscano una componente di velocità diretta verso l’esterno del bersaglio agli atomi del bersaglio stesso. La curva di resa (''yeld'') dello Sputtering <math>F(E)\ </math> è una funzione dell’energia dello ione incidente. È all’incirca lineare fino ad una certa energia oltre la quale tende ad un asintoto orizzontale. A tali energie gli ioni penetrano così in profondità che l’energia non è più trasmessa agli strati superficiali ma a quelli sottostanti; in modo che gli atomi hanno probabilità nulle di uscire dal bersaglio. Questo è il principio di funzionamento di un altro processo: Impiantazione Ionica. [[Image:08_Schema_Sputtering.png|right|thumb|300px|Schema dello Sputtering]] Bisogna però considerare che N è un numero medio, perché non tutti gli ioni che impattano fanno uscire un atomo dal target. Solo gli atomi degli strati superiori riescono a guadagnare energia sufficiente per essere emessi. A parte lo sputtering, lo ione incidente causa lo spostamento degli atomi ed alcuni ioni vengono addirittura impiantati nel bersaglio. Questi ioni impiantati possono venire in seguito emessi dal campione come atomi <math>Ar\ </math> sputterati e addirittura andare a finire sul substrato. Alcuni ioni addirittura vengono riflessi dal campione senza far avvenire lo sputtering (processo alla base della Spettroscopia ad impatto da Ioni) ed altri ioni <math>Ar^+\ </math>,invece, nell’urto possono acquistare un elettrone e ricostituire un atomo di <math>Ar\ </math> neutro. Anche elettroni possono essere espulsi dal target. Solo una piccola parte dell’energia dello ione è utilizzata per lo sputtering, la rimanente viene dissipata nello spostamento degli atomi all’interno del bersaglio, con il risultato di surriscaldarlo. Per questo motivo i target vengono raffreddati durante il processo. Se il sistema di raffreddamento non è sufficiente, l’aumento di temperatura potrebbe causare la fusione del target o del suo supporto! === Distribuzione angolare=== [[File:PVD.svg|520px|thumb|left|a) Distanze elevate tra target e substrato accentuano il fenomeno della diffusione con le molecole del gas e causano distribuzione angolare ampie. <br/> b) Avvicinare il target al substrato non modifica sostanzialmente la distribuzione angolare. <br/> c)nel caso si debbano riempire contatti stretti per diminuire ulteriormente la distribuzione angolare si fa uso di un collimatore interposto tra target e substrato.]] Un difetto del processo di sputtering è la grande distribuzione angolare degli atomi che incidono sulla superficie, dovuta agli urti degli atomi provenienti dal target e il gas. Tale distribuzione angolare è un problema tecnologico quando si debbono metallizzare zone molto fonde e strette: in quanto il film via via crescendo tende a chiudere il buco superiore di fatto non permettendo un contatto tra lo strato superiore ed inferiore. La distribuzione angolare di un film tipico è mostrato nella figura a fianco (a). Avvicinando il target al substrato diminuisce la probabilità di urti, ma la distribuzione angolare non cambia in maniera apprezzabile, figura (b), in quanto la necessità di avere una buona uniformità di sputtering implica che vi sia una piccola separazione tra il target ed il substrato, riducendo gli urti con le molecole del gas. Anche in questo caso gli atomi incidono sulla superficie con un'ampia distribuzione angolare. Per diminuire la distribuzione angolare si può diminuire la pressione al di sotto di 0.1 Pa, generando un minor effetto di scattering del gas. Nel caso in cui si debbano riempire stretti contatti, in alcuni casi si fa uso di un collimatore che restringe il flusso di atomi all'interno di un range angolare di +- 5° attorno alla normale come mostrato in figura (c). ===Struttura e morfologia=== Studi approfonditi sulla struttura e la topografia di film sputterati metallici sono dovuti a J. A. Thornton <ref>J.A. Thornton, Influence of apparatus geometry and deposition conditions on the structure and topography of thick sputtered coatings, J. Vac. Sci. Tech., '''11''',666 (1974)</ref>. In tale studio viene esteso il modello delle zone di crescita introdotto per i film evaporati<ref>B. A. Movchan and A. V. Demchishin, Study of the structure and properties of thick vacuum condensates of nickel, titanium, tungsten, aluminium oxide and zirconium dioxide, Phys. Met. Metallogr., '''28''' 83 (1969) </ref>. Thornton introduce una nuova zona detta T, che è osservata per Argon a bassa pressione ed è caratterizzata da grani fibrosi densamente impacchettati. Il punto più importante di questa estensione del modello è l'enfasi che viene data alla pressione '''p''' che è considerato un parametro significativo per il processo. La ragione che la pressione gioca un ruolo significativo è dovuto al fatto che gli atomi che escono dal substrato escono con una elevata energia cinetica e la pressione attraverso il [[w:Cammino_libero_medio|cammino libero medio]] determina l'energia con cui arrivano sulla superficie dove cresce il film. L'altro parametro che determina le prorietà del film è la temperatura di deposizione. Poiché la deposizione attraverso sputtering viene inquadrata nelle crescite assistite da plasma, oltre agli atomi neutri vi sono anche specie cariche (come gli ioni Argon) che urtano la superficie dove viene cresciuto il film, e questa componente può esercitare effetti notevoli. Se definiamo i flussi ioni ed atomici con ''J_i'' e ''J_a'', si trova che il rapporto ''J_i/J_a'' gioca un ruolo decisivo sulla morfologia e sulla struttura microscopica del film<ref>H. Windischman,Intrinsic stress in sputter-deposited thin film, Rev. Sol. St. Mat. Sci., '''17''' 547 (1992)</ref>. La ragione dipende da parametri strutturali quali le orientazione preferenziale dei [[w:Cristalliti|cristalliti]] e dallo stato dello stress residuo. == Tipi di sistemi di sputtering== === dc Sputtering=== Il porta target funziona come catodo e il porta substrato come anodo. Quando si applica una elevata tensione in corrente continua (ad esempio 1000 V) al catodo, una scarica a bagliore (plasma) si innesca all’interno della camera mantenuta ad una pressione appropriata. Il plasma è normalmente costituito di ioni Ar⁺. Questa tecnica permette di evaporare solo film conduttori. Una variante del processo consiste nell'utilizzo di un terzo elettrodo: un anodo, un target come in precedenza e di una ulteriore sorgente di elettroni. La camera viene mantenuta alla necessaria bassa pressione e gli elettroni vengono prodotti da una sorgente termoionica a filamento separata. Gli elettroni vengono accelerati verso l’anodo ionizzando in maniera consistente il gas. Questo processo viene chiamato scarica supportata da elettroni, perché avviene in presenza di una notevole quantità di elettroni generati dal filamento caldo che assicurano una elevata ionizzazione del plasma . Lo scopo del filamento caldo è di aumentare il numero di ioni che bombardano il target e di mantenerne costante il valore di polarizzazione. Il risultato è un aumento della velocità di deposizione rispetto al sistema a diodo planare ed un migliore controllo dei parametri di processo. Bisogna aggiungere che il filamento caldo rappresenta spesso un elemento critico che rende più frequenti gli interventi di manutenzione e la contaminazione dei film. === dc Sputtering Magnetron === [[Immagine:12_Circular_Planar_Magnetron_Target.png|thumb|400px|DC Sputtering Magnetron: Schema della sezione bersaglio di Al e foto di un bersaglio reale]] Una variante del processo è il dc Sputtering Magnetron. Utilizza una sorgente in corrente continua per attivare il [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_plasma|plasma]] e per creare una corrente di ioni che bombardano il bersaglio. Esso rende più efficiente lo sputtering in quanto intrappola in un campo magnetico, in prossimità del campione, gli elettroni secondari emessi dal target e li utilizza per ionizzare il gas inerte della scarica generando una corrente di ioni in prossimità della superficie aumentando la resa del processo. Quando una tensione negativa viene applicata al catodo gli elettroni emessi dal campione (oltre a quelli naturalmente presenti nella camera) vengono accelerati lontani dal target. Come la loro velocità aumenta, essi sono forzati a percorrere un percorso circolare dalla [[w:Forza_di_Lorentz|forza di Lorentz]] creata dal campo magnetico dovuto al magnete che è parallelo alla superficie del target. Gli elettroni sono così intrappolati in questo percorso finché non perdono la loro energia, cioè finché subiscono un urto con un atomo del gas, a questo punto vengono nuovamente accelerati e solo raramente vengono spinti lungo le linee del campo magnetico (quindi non più soggetti alla forza di Lorentz). Gli elettroni possono perdere la loro energia anche in altri modi per esempio eccitando atomi di gas Argon o diseccitandoli; fenomeno responsabile proprio della scarica luminosa. Il risultato di queste ripetute collisioni è la formazione di un'alta densità di ioni <math>Ar^+\ </math> a poca distanza dalla superficie del target proprio nella zona della trappola magnetica. Il campo elettrico è perpendicolare alla superficie del target e accelera gli ioni dal plasma verso il bersaglio (poiché gli ioni hanno massa molto più grande di quella degli elettroni, essi risentono poco del campo magnetico); aumenta così la resa del processo di sputtering e si può notare dal fatto che il bersaglio viene consumato principalmente in quella zona. Inoltre, a pressioni di Argon di <math>10^{-3}mbar\ </math> il cammino libero medio degli ioni corrisponde proprio alla distanza tra la zona magnetica e la superficie del campione. [[Immagine:11_Profilo_reale_target.png|left|thumb|300px|Profilo reale del target]] La densità di corrente <math>J\ </math> al bersaglio non è uniforme, a causa proprio della forma del campo magnetico. La più grande densità di corrente la si ha dove il campo magnetico è parallelo al target, poiché gli elettroni riescono a seguire le linee di campo mentre si allontanano dal target; mentre gli elettroni che vengono emessi dalla superficie nella zona dove le linee di campo sono quasi ortogonali alla superficie, non sono intrappolati ma vengono accelerati. A causa di questa non uniformità della densità di corrente, abbiamo che la curva caratteristica corrente - tensione è simile a quella di un diodo e per questo viene chiamato '''Diodo Sputtering'''. La disuniformità della densità di corrente <math>J\ </math> condiziona anche la distribuzione angolare degli atomi emessi dal bersaglio; si ha un andamento approssimativamente dato da una distribuzione cosθ rispetto alla normale alla superficie del target. ===Sputtering a radiofrequenza (rf)=== Lo sputtering in dc è usato per depositare solo film metallici le cui superfici non siano fortemente ossidate. La ragione dello sviluppo della tecnica a radiofrequenza per la deposizione di film dielettrici e metallici risiede quindi nella maggiore flessibilità. Anche se per alcuni processi di deposizione di metalli la tecnica di sputtering in dc presenta caratteristiche peculiari di migliore controllo dei parametri di processo. Una superficie isolante nel plasma si carica negativamente rispetto al potenziale del plasma. Questo avviene perché la velocità degli elettroni liberi è molto maggiore di quella degli ioni del plasma. Con la rf è possibile aumentare la carica negativa del target. Applicando un potenziale AC ad un elettrodo in plasma si estrae una maggior corrente elettronica che ionica che agisce perciò come un raddrizzatore. L’uso della RF permette di mantenere il plasma senza ricorrere all’emissione termoionica. L'efficienza del processo dipende dalla frequenza, a frequenze troppo basse (decine di kHz) la differenza di comportamento degli ioni e degli elettroni non è importante, quindi bisogna aumentare di molto la tensione del campo per fare avvenire la scarica a plasma. A frequenza di qualche MHz gli ioni non riescono più a seguire la variazione del campo elettrico e il processo di sputtering a rf diventa più efficiente. La scelta di operare a 13,56 MHz inoltre è stata dettata dall'autorità delle telecomunicazioni per non interferire con canali di telecomunicazioni. I vantaggi dell’uso di un plasma in rf rispetto ad plasma in dc sono la possibilità di operare a pressioni relativamente basse del gas, che riducono le inclusioni di impurità e la non riproducibilità del film. Non è necessario usare un terzo elettrodo (filamento caldo d’emissione di elettroni). Si evitano perciò contaminazioni da filamento e la sua eventuale rottura. Oltre ai metalli in rf si depositano pure leghe e composti senza modifiche nella composizione. Mediante sputtering reattivo possono essere depositati ossidi, nitruri, solfuri ecc. ===Ion-beam sputtering=== [[Immagine:Magnetrongun.jpg|thumb|Una sorgente per ion-beam sputtering.]] L'Ion-beam sputtering (IBS) è un sistema in cui il target è esterno alla sorgente di ioni. In genere gli ioni sono generati da elettroni confinati in una regione in cui è presente un forte campo magnetico. Quindi gli ioni sono accelerati dal campo elettrico verso una griglia in direzione del bersaglio. Un secondo filamento esterno neutralizza la carica degli ioni. Il vantaggio dell'IBS è che l'energia e il flusso degli ioni sono controllati in maniera indipendente. Poiché il flusso che colpisce il bersaglio è fatto di atomi neutri, possono essere sputterati con questa tecnica sia materiali isolanti che conduttori. Questa tecnica trova applicazione nella fabbricazione di dispositivi di piccola dimensione quali le [[w:Testina_induttiva|testine]] degli hard disk. Viene in generato creato volutamente un gradiente di pressione tra la sorgente di ioni e la camera dove è posto il campione: cioè creando una sovrappressione nella camera della sorgente rispetto alla camera da vuoto e estraendo il gas nella camera da vuoto. Con una tecnica di questo genere si riducono le contaminazione e dà la possibilità di lavorare in Ultra Alto Vuoto (UHV). La tecnica non si presta a depositare grandi superfici e inoltre richiede una continua manutenzione. ===Sputtering reattivo=== Nello sputtering reattivo, il film depositato è formato dalla reazione chimica tra il materiale del target ed il gas introdotto nella camera da vuoto (una miscela di gas inerte e gas reattivo). Spesso ossidi e nitruri sono fabbricati utilizzando sputtering reattivo. La composizione del film può essere controllata variando la composizione della miscela di gas. La [[w:stechiometria|stechiometria]] del film è un importante parametro per ottimizzare proprietà funzionali quali lo [[w:Tensione_interna|stress]] nel Nitruro di Silicio (SiN_x) o l'[[w:Indice_di_rifrazione|indice di rifrazione]] del SiO_x. Mediante sputtering reattivo viene fabbricato l'[[w:Ossido_di_indio-stagno|ossido di stagno e indio]] che è trasparente e conduttore, usato in [[w:Optoelettronica|optoelettronica]] e in particolare nelle [[w:Celle_solari|celle solari]]. ==Note== <references/> == Altri Progetti == {{interprogetto|w=sputtering | etichetta= Sputtering (in italiano)}} {{interprogetto|w=en:sputtering | etichetta= Sputtering (in inglese)}} {{interprogetto|w=en:Sputter_deposition |etichetta= Sputter Deposition}} [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Chemical_Vapor_Deposition_(CVD)| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Evaporazione| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film sottili]] {{Avanzamento|100%|25 giugno 2025}} ag034kme2x04qz97yjlu5m4d5oedjp4 0 23619 478140 350698 2025-06-26T07:47:25Z Pasquale.Carelli 528 titolo avanti indietro 478140 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Film metallici== [[File:Film_PVD.png|thumb|470px|left|I vari metalli impiegati in un processo tecnologico]] Alcuni metalli comunemente usati nei processi di fabbricazione per [[w:CMOS|CMOS]] e altri dispositivi elettronici: #[[w:Tungsteno|Tungsteno]] (W) : diminuisce la resistività delle linee di gate (word line) # Nitruro di Tungteno (WN): evita che il W deposto contamini i dielettrici sottostanti. # [[w:Titanio|Titanio]] (Ti): favorisce l'adesione di tutti i metalli in genere agli strati sottostanti, in particolare dell'[[w:Alluminio|Alluminio]] sull'ossido e viene utilizzato per il riempimento delle interconnessioni. #[[w:Alluminio|Alluminio]] o il [[w:Rame|Rame]]: vengono alternativamente utilizzati come parte conduttiva delle linee di connessione eletttica. #[[w:Nitruro_di_titanio|Nitruro di Titanio]] (TiN): permette i processi fotolitografici successivi inibendo le proprietà riflettenti dell'alluminio. La figura mostra ad esempio alcuni dei metalli presenti in una struttura MOS. Sono in genere cresciuti in genere con tecniche di deposizione fisica da fase vapore (PVD) ==L'[[w:Alluminio|Alluminio]]== L’'''alluminio''' e le sue leghe sono utilizzati per realizzare metallizazioni nei circuiti integrati. L’alluminio presenta una bassa resistività (2.7μΩ cm) quindi soddisfa il requisito di bassa resistenza ed inoltre presenta una buona aderenza al biossido di silicio. Il problema che presenta l’allumino e la maggior parte delle sue leghe è il fenomeno dell’ elettromigrazione (spiegato nel seguito). ==Il [[w:Rame|Rame]]== [[File:circuitoRC.jpg|left|thumb|Equivalente circuitale di una pista metallica]] L'equivalente circuitale di una pista metallica a bassa frequenza è un circuito RC. A questo punto, applicando un segnale in ingresso, lo stesso sarà presente in uscita con un ritardo pari al tempo di propagazione caratteristico della linea, e raggiungerà il suo valore massimo come una funzione del tempo con costante di tempo caratteristica data dal prodotto RC. Quindi la costante di tempo RC è responsabile della velocità del dispositivo. I dispositivi oggi sono sempre più piccoli e la costante di tempo è legata alla resistività del metallo che realizza la linea. Il restringimento dei dispositivi porta ad un peggioramento della costante RC quindi si cerca di sostituire questi materiali con il rame (Cu) che ha una più bassa resistenza dell'Allumino a parità di dimensione della linea. Infatti il rame ha di resistività 1,7 μΩ-cm mentre quella dell'alluminio è di 2,7 μΩ-cm. Inoltre il rame è più resistente al fenomeno dell’elettromigrazione. ===Fenomeno dell'elettromigrazione=== [[Immagine:Electromigration.png|left|300px|thumb|Effetto del trasferimenti di quantità di moto degli elettroni agli ioni]] [[Immagine:Void_formation.jpg|thumb|300px|right|Formazione di cavità (''voids'') in un conduttore a causa della elettromigrazione]] L'[[w:Elettromigrazione|elettromigrazione]] è il trasporto di materiale causato dal movimento graduale di ioni in un conduttore a causa del trasferimento di quantità di moto tra elettroni di conduzione e atomi del metallo. La quantità di moto trasferita è tanto maggiore quanto maggiore è la densità di corrente. Al diminuire delle dimensioni dei circuiti usati in microelettronica aumenta la densità di corrente e di conseguenza la elettromigrazione che era una semplice curiosità 100 anni fà quando è stata scoperta da Gerardin<ref>http://ieeexplore.ieee.org/iel5/9994/32106/01493049.pdf?arnumber=1493049</ref>, con la diminuzione di dimensione dei circuiti integrati questo fenomeno diventato sempre più importante in microelettronica La figura qui di lato mostra come si possono creare vuoti in alcune zone di un conduttore (vi saranno delle altre zone in cui si accumula il materiale). A lungo andare un processo di questo genere porta alla rottura dei dispositivi. ===Vantaggi e svantaggi del rame rispetto all’alluminio=== ====Vantaggi==== * Migliore conducibilità. * Minore tendenza all’elettromigrazione. ====Svantaggi==== * Il rame ha una struttura meno stabile rispetto all’allumnion dovuta alla natura estremamente porosa del suo ossido. Questa minor propensione alla passivazione lo rende più esposto a fenomeni di corrosione. Per descrivere meglio questa caratteristica si pensi al ferro: a contatto con l'aria questo metallo reagisce con l'ossigeno formando uno strato di ossido di ferro. La porosità fa si che le molecole di ossigeno riescano a passare lo strato di ossido arrivando al ferro e continuando il processo di ossidazione con il metallo restante. Al contrario del rame e del ferro l'alluminio forma uno strato di ossido molto compatto che, una volta formatosi, impedisce l'ulteriore ossidazione del metallo restante. * Il rame, a differenza dell’alluminio, diffonde molto facilmente attraverso il silicio ed i suoi ossidi. Questo richiede complicazioni ulteriori nel processo di fabbricazione. * Il rame elettrodeposto è soggetto al fenomeno di “self-annealing” ovvero i suoi grani modificano la loro struttura nel tempo, rendendo il processo di CMP instabile. ==Siliciuri== I '''siliciuri''' presentano delle resistività dell’ ordine di 50 μΩ cm e possono essere utilizzati per realizzare le metallizazioni dei dispositivi oggi sempre più piccoli. I siliciuri, per esempio, possono essere utilizzati per realizzare l’ elettrodo di gate dei MOSFET. Essi restano stabili durante il contatto con il polisilicio cristallino. Con il diminuire delle dimensioni dei dispositivi, la costante di tempo RC aumenta (vedi metallizazione del rame), quindi nasce l’ esigenza di fare elettrodi di gate ad alta conduttività. I siliciuri possono essere formati in diversi modi: * Depositando un film di materiale refrattario su silicio o silicio policristallino e sintetizzando la struttura per ottenere un siliciuro. * Attraverso sputtering o per evaporazione da sorgenti differenti su silicio policristallino o su uno strato dielettrico. * Formando il siliciuro attraverso deposizione chimica da fase vapore su uno strato di ossido o di silicio policristallino. ==Note== <references/> [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Deposizione_di_film_dielettrici| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Processi_successivi| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Film sottili]] {{Avanzamento|50%}} oc38c0haeey9nrm46i22gql0pcexofk 0 24247 478123 448665 2025-06-25T13:18:33Z Pasquale.Carelli 528 messo titolo 478123 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Proprietà generali del plasma== Il grado di ionizzazione di un plasma è il rapporto tra gli ioni presenti e le molecole neutre. Alcune proprietà dei plasmi sono comuni a quelle dei gas, infatti spesso abbiamo a che fare con plasmi con grado di ionizzazione di <math>10^{-4}\ </math>, quindi gas in cui il numero degli ioni presenti rappresenta una piccola frazione del totale, e quindi sono ancora ben descritti dalla legge dei gas perfetti, per quanto riguarda alcune proprietà. Ma in ogni caso i processi di collisione all'interno del gas rappresentano un qualcosa che va descritto in maniera dettagliata, in quanto influenza le caratteristiche del plasma stesso. == [[w:Sezione d'urto|Sezione d'urto]] == Per descrivere i vari processi che avvengono in un plasma è utile introdurre la sezione d'urto; questa è una grandezza che ha le dimensioni di una superficie e che dipende in generale dalle particelle interagenti; se un processo ha una elevata sezione d'urto si può affermare che il processo avviene frequentemente. Immaginiamo che una particella, durante il suo moto, debba interagire con delle molecole contenute in una fetta di area <math>A\ </math>, spessore <math>\Delta x</math> e densità delle molecole vale <math>n\ </math> vi saranno nel volume <math>N=nA\Delta x\ </math> particelle. Definiamo sezione d'urto <math>\sigma\ </math> l'ipotetica area intorno ad ogni molecola tale che la sua probabilità di interazione sia pari a: {{Equazione|eq=<math>P=\frac {N\sigma }A\ =n\Delta x \sigma\ </math>|}} Quindi è come se le <math>N\ </math> molecole con la loro sezione d'urto fossero schiacciate in 2 dimensioni sulla superficie <math>A\ </math>. La definizione ha senso, la [[w:Probabilità|probabilità]] è sempre minore di 1, se <math> n\Delta x \sigma\ \ll 1</math>, cosa sempre possibile o mediante la scelta di un <math>\Delta x</math> piccolo o in quanto la densità <math>n\ </math> è bassa. Se le particelle interagenti fossero delle sfere rigide di raggio <math>R_1\ </math> ed <math>R_2\ </math> la sezione d'urto coinciderebbe con la superficie di un cerchio di raggio <math>R_1+R_2\ </math>. Gli atomi nella maggior parte dei processi di collisione con particelle cariche avendo una struttura complessa, non possono semplicemente considerarsi delle sfere dure. Possiamo quindi definire il [[w:Cammino_libero_medio|cammino libero medio]], che è distanza media tra due urti successivi, è connesso alla sezione d'urto, in quanto rappresenta la distanza in cui la probabilità di interazione diventa unitaria: {{Equazione|eq=<math>\lambda =\frac 1 {n\sigma }\ </math>|}} La frequenza con cui le particelle di velocità v hanno urti è quindi: {{Equazione|eq=<math>\nu_u =\frac v{\lambda}\ </math>|}} ==Urti elastici ed anelastici degli elettroni== Gli urti in generale possono essere divisi in due grosse categorie gli urti elastici e gli urti anelastici, a seconda se l'energia cinetica viene o non viene conservata. Le particelle elementari come gli elettroni possono avere solo energia cinetica, gli atomi e le molecole, che hanno delle strutture più complesse, non essendo particelle elementari, possono avere oltre alla energia cinetica varie forme di energia interna dovute ad un diverso assetto delle particelle elementari di cui sono composte. ===Urto elastico tra elettroni e molecole del plasma=== In un [[w:Urto_elastico|urto elastico]] vi è semplicemente un interscambio di energia cinetica tra le particelle interagenti. Nel caso di un urto centrale cioè un urto in cui il punto di contatto tra le particelle interagenti avviene lungo la traiettoria si ha il massimo trasferimento di energia cinetica tra i due corpi. Imponendo la conservazione della quantità di moto e della energia cinetica si mostra, in maniera elementare, come per due corpi di massa <math>m_1\ </math> e <math>m_2\ </math> il rapporto tra l'energia cinetica finale del corpo urtato (inizialmente con velocità o nulla o trascurabile) e di quella iniziale del corpo urtante è al massimo: {{Equazione|eq=<math>\frac {4m_1m_2}{(m_1+m_2)^2}\ </math>|}} Se l'urto non è centrale l'energia trasferita è minore di tale valore. Tale equazione implica semplicemente che in un urto centrale tra due particelle identiche con la seconda inizialmente ferma, dopo l'urto la particella inizialmente in moto si ferma e l'altra acquista tutta l'energia cinetica. [[Image:Crosssection_elastic_e_Ar.png|left|thumb|350px|Sezione d'urto nel caso di urto elastico tra elettroni e Argon]] Il caso che interessa la fisica dei plasmi è la collisione tra un elettrone (in moto) che ha una massa di appena <math> 9.11\cdot 10^{-31}\ </math> con un atomo di Argon (praticamente fermo) che ha una massa 70000 volte maggiore. Dalla formula di prima si ricava che al massimo 50 parti per milione dell'energia cinetica iniziale vengono trasferiti all'atomo di Argon dall'elettrone. L'Argon è solo un esempio, ma è anche il gas più utilizzato nel processi con il plasma, altri ioni hanno masse dello stesso ordine di grandezza. Quindi l'urto elastico non permette la termalizzazione degli elettroni, cioè in un plasma l'energia cinetica media degli elettroni è molto maggiore di quella delle molecole e ioni presenti. Gli urti elastici tra elettroni e molecole contribuiscono a rendere casuale le traiettorie nelle varie direzioni dello spazio. La sezione d'urto elastica è la maggiore di quelle dovute ai vari processi e dipende dal gas presente, il caso più interessante è quello dell'urto elastico tra elettroni e l'Argon, mostrato nella figura a fianco. Un elettrone molto lento o molto veloce ha una sezione d'urto piccola, quindi una bassa probabilità d'urto. L'urto elastico ha in realtà una grande importanza nei processi che avvengono nei plasmi. ===Ionizzazione=== [[Image:Cross_section_ionization.png|left|thumb|350px|Sezione d'urto di ionizzazione per gli elettroni in due gas nobili l'Elio e l'Argon]] Il processo di ionizzazione è un tipico caso di urto anelastico. In questo caso l'elettrone urta contro un atomo e rimuove da esso un elettrone, producendo uno ione positivo e due elettroni: {{Equazione|eq=<math>e^-+A \rightarrow 2e^-+A^+\ </math>|}} I due elettroni prodotti nella collisione di ionizzazione possono essere accelerati dal campo elettrico localmente presente ed a loro volta ionizzare ulteriormente altri atomi, grazie a questo processo di moltiplicazione il plasma viene mantenuto attivo. Il processo di ionizzazione è un processo chiaramente a soglia, infatti l'energia cinetica dell'elettrone interagente deve essere superiore all'energia di legame che ha l'elettrone meno legato dell'atomo. Tale energia di legame nel caso dell'Argon vale 15.8 eV (i gas nobili hanno le massime energie di legame tra i vari elementi). Il processo di ionizzazione di un gas è prodotto principalmente dagli elettroni accelerati dai campi elettrici presenti nel gas, anche se vi sono altri processi di ionizzazione, ad esempio la fotoionizzazione, cioè l'interazione di fotoni, particolarmente energetici, con atomi. Il processo di fotoionizzazione, a meno che la densità delle specie neutre non sia molto elevata, avviene principalmente sulle pareti della camera, piuttosto che all'interno del plasma. Infatti essendovi una grande sproporzione tra massa degli elettroni e la massa delle molecole, poiché nei processi di urto va conservata la quantità di moto oltre che deve conservarsi l'energia totale, un processo a due corpi non può permettere di soddisfare le conservazioni necessarie, sulle pareti il processo, diventando a più corpi, permette di soddisfare le leggi di conservazione. Anche gli ioni possono ionizzare il gas, la sezione d'urto per tali processi è di un ordine di grandezza minore cioè difficilmente si arriva sezioni d'urto di <math>10^{-22}\ m^2</math> per energia degli ioni maggiori di 500 eV, quindi questo processo è trascurabile tranne che nell'impatto con il catodo in cui vengono prodotti elettroni secondari. Notiamo inoltre che, come si evince dalle curve di sezione d'urto, il fenomeno di ionizzazione sia meno frequente dell'urto elastico, infatti nel caso dell'Argon il rapporto tra le due sezioni d'urto massime è di quasi dieci, questo significa che è più frequente un urto elastico rispetto ad un urto anelastico che produce ionizzazione anche per elettroni molto energetici. ===Eccitazione=== Un altro tipo di urto anelastico è un urto in cui l'elettrone interagendo con l'atomo, nello stato fondamentale, sposta un elettrone legato in un livello energetico più alto. I livelli energetici degli elettroni negli atomi sono dei valori quantizzati che dipendono dai vari atomi. Questo processo va sotto il nome di eccitazione. Un atomo in questo stato eccitato si indica con un asterisco nell'apice. {{Equazione|eq=<math>e+A \rightarrow e+A^*\ </math>|}} Come nel caso della ionizzazione esiste una energia minima per provocare un fenomeno di questo tipo, l'energia di eccitazione, che ad esempio, nel caso dell'Argon, vale 11.6 eV, quindi un poco inferiore all'energia di ionizzazione. Si capisce la ragione in quanto per ionizzare occorre strappare un elettrone da un atomo e quindi il processo richiede una maggiore energia. La sezione d'urto di questo processo è inferiore a quella di ionizzazione; è sempre una curva a campana che, sempre nel caso dell'Argon, ha un massimo a 21 eV dove la sezione d'urto corrispondente vale <math>4\cdot 10^{-21}\ m^2</math>; è invece nulla al di sotto di 11.6 eV (soglia del processo), mentre diminuisce di un fattore 4 rispetto al massimo per un valore energetico di 100 eV. Vi è da aggiungere che essendo un processo simile alla risonanza la curva della sezione d'urto è una curva che forma una campana più stretta intorno all'energia, per cui si ha la massima probabilità di eccitazione (grande sezione d'urto). ===Dissociazione=== Il terzo processo anelastico possibile è l'interazione tra un elettrone ed una molecola (non un atomo) ed in questo urto la molecola si scinde nei suoi componenti. L'energia di legame delle molecole è in genere minore di qualche eV, quindi anche se questo è un processo a soglia è ovviamente possibile con elettroni molto meno energetici. Un esempio: {{Equazione|eq=<math>e^-+O_2->e^-+2O\ </math>|}} Un risultato comune nella dissociazione è un aumento dell'[[w:Attività_(chimica)|attività (chimica)]] in quanto i prodotti di reazione sono normalmente più reattivi delle molecole da cui derivano. La dissociazione può non essere accompagnata da ionizzazione: {{Equazione|eq=<math>e^-+CF_4->e^-+CF_3+F\ </math>|}} o possiamo avere ionizzazione dissociativa: {{Equazione|eq=<math>e^-+CF_4->2e^-+CF_3^++F\ </math>|}} Tali processi hanno sezioni d'urto che possono variare in maniera significativa. ===Assorbimento degli elettroni=== Mentre i gas nobili, avendo l'ultimo orbitale completo, non hanno la tendenza a legarsi con gli elettroni liberi, tutti gli altri gas possono legarsi agli elettroni liberi. In particolare i gas [[w:Alogeno|alogeni]] che hanno la massima [[w:Elettronegatività|elettronegatività]], facilmente formano ioni negativi. Quindi un processo tipico ad esempio dell'[[w:Esafluoruro_di_zolfo|esafluoruro di zolfo]] è: {{Equazione|eq=<math>e^-+SF_6->SF_6^-\ </math>|}} tale processo ha sezione d'urto massima per elettroni di bassa energia (pochi eV) <math>10^{-21}\ m^2</math>, in quanto a bassa energia la conservazione dell'energia e della quantità di moto sono più facilmente soddisfabili. ==Collisione tra ioni e molecole== Gli ioni e le molecole del gas collidono sia elasticamente che anelasticamente. La collisione elastica determina una termalizzazione del gas di ioni, tale termalizzazione non è completa in quanto gli ioni mediamente continuano ad acquistare energia a spese del campo elettrico localmente presente. ===Trasferimento di carica=== Questo è un processo elastico in cui una molecola neutra viene urtata da uno ione con energia cinetica maggiore. Se la molecola è la stessa dello ione urtante, allora il processo ha una elevata sezione d'urto: {{Equazione|eq=<math>A+A^+->A^++A\ </math>|}} La sezione d'urto per scambio di carica tra molecole differenti ha in genere sezione d'urto minore: {{Equazione|eq=<math>A+B^+->A^++B\ </math>|}} L'effetto di tale scambio di carica tra ioni simmetrici nella regione in cui il plasma è luminoso provoca semplicemente uno scambio di quantità di moto. Nella regione, vicina agli elettrodi, il trasferimento di carica cambia la distribuzione di energia degli ioni e delle molecole che arrivano sugli elettrodi. La sezione d'urto è massima per energia di 0 eV con un valore di qualche <math>10^{-20}\ m^2</math>, e diminuisce all'aumentare dell'energia dello ione che collide. ===Collisioni metastabili=== La probabilità di collisioni tra atomi eccitati dipende dal loro numero e quindi dal tempo di vita dello stato metastabile. Alcuni stati eccitati hanno tempi di vita molto lunghi, anche secondi, e quindi sono conosciuti con il nome atomi eccitati metastabili; questo deriva da proprietà intrinseca della transizione dei livelli ([[w:Regole_di_selezione|regole di selezione]] che inibiscono il decadimento). In particolare i gas nobili hanno tutti stati metastabili, ad esempio lo stato eccitato di 11.7 eV dell' Argon è metastabile. Quando un atomo metastabile incontra un atomo o molecola neutra, essa può divenire ionizzata se la sua energia di ionizzazione è inferiore alla energia di eccitazione dell'atomo eccitato: {{Equazione|eq=<math>A^*+B->A+B^++e^-\ </math>|}} Tale processo è noto sotto il nome di [[w:Ionizzazione_di_Penning|Ionizzazione di Penning]]. ==Processi inversi== Molti dei processi descritti hanno un processo inverso che stabilisce un equilibrio dinamico. Alla ionizzazione si contrappone la ricombinazione che però è inibita all'interno del plasma, infatti nel processo di ricombinazione un elettrone dovrebbe riunirsi con uno ione positivo formando una specie neutra, ma un processo di questo genere deve rispettare le regole di conservazione della quantità di moto e dell'energia, un semplice calcolo mostra come non sia possibile rispettare tali condizioni, per cui il processo di ricombinazione ha bisogno di un terzo corpo, che sarà una altra molecola di gas se la densità del gas è elevata o più probabilmente le superfici della camera. La ricombinazione quindi avviene, ma con una frequenza minore di quella che ci si aspetterebbe, mantenendo elevato il grado di ionizzazione del plasma. Gli atomi eccitati, tendono invece a ritornare in tempi più o meno rapidi (da frazioni di ns a s) nello stato fondamentale, emettendo un fotone di frequenza tale che la sua energia sia pari esattamente alla differenza di energia tra l'atomo eccitato e quello stabile: {{Equazione|eq=<math>h\nu =E(A^*)-E(A)\ </math>|}} <gallery> Image:HeTube.jpg|Emissione da parte di un tubo riempito di [[w:Elio|Elio]] colore bianco rosato. Image:NeTube.jpg|Emissione da parte di un tubo riempito di [[w:Neon|Neon]] colore rosso arancio. Image:ArTube.jpg|Emissione da parte di un tubo riempito di [[w:Argon|Argon]] colore blu viola. Image:KrTube.jpg|Emissione da parte di un tubo riempito di [[w:Kripton|Kripton]] colore grigio verde. </gallery> Le lampade a scarica luminosa hanno una colorazione che dipende dalla frequenza della luce emessa come mostrato nella immagine precedente. Infine la ricombinazione dei radicali avviene in genere sulle pareti e viene sfruttata per i processi chimici mediante plasmi, genericamente indicati come Reactive Ion Etching. ==Temperatura delle componenti di un plasma== I cammini liberi medi degli elettroni, gli ioni e le molecole (o i radicali) non sono molto differenti. Ma mentre i frequenti urti elastici degli atomi neutri e le molecole sono un efficiente meccanismo di termalizzazione, per gli elettroni la cosa è differente. Quindi i campi elettrici presenti localmente nel plasma aumentano di poco l'energia cinetica media degli ioni. Al contrario l'energia cinetica media degli elettroni supera facilmente i 2 eV. Anche se un plasma non è propriamente un sistema all'equilibrio termodinamico, si indica l'energia cinetica media mediante una temperatura equivalente, quindi se il gas neutro ha una temperatura di 300 K, gli ioni hanno una temperatura di 500 K e il gas di elettroni supera facilmente la temperatura di 23000 K. Quindi tenendo conto delle masse in gioco (<math>m_i\approx 6.6\cdot 10^{-26}\ kg</math> per l'Ar) la velocità quadratica media è per gli ioni: {{Equazione|eq=<math>v_i=\sqrt{\frac {8k_BT_i}{\pi m_i}}=520\ m/s\ </math>|}} Nel caso degli elettroni si ha: {{Equazione|eq=<math>v_e=\sqrt{\frac {8k_BT_e}{\pi m_e}}=9.5\cdot 10^5\ m/s\ </math>|}} ==Correnti ioniche ed elettroniche== Immaginando un plasma ad una pressione di 0.01 mbar (1 Pa) a tale pressione corrisponde una densità di particelle (Numero/Volume) pari a: {{Equazione|eq=<math>n=\frac P{k_BT}=2.4\cdot 10^{14}\ cm^{-3}\ </math>|}} Quindi con un grado di ionizzazione di <math>10^{-4}\ </math> si ha che: {{Equazione|eq=<math>n_i=n_e=2.4\cdot 10^{10}\ cm^{-3}\ </math>|}} Possiamo definire una densità di corrente di ioni ed elettroni come: {{Equazione|eq=<math>|J_i|=\frac {en_iv_i}4=50 \mu A/cm^{2}\ </math>|}} {{Equazione|eq=<math>|J_e|=\frac {en_ev_e}4=91 mA/cm^{2}\ </math>|}} Un oggetto metallico isolato in un plasma viene investito da una corrente elettronica molto maggiore di quella positiva ionica, per cui si porta ad potenziale negativo fino a respingere in maniera preferenziale gli elettroni. Il plasma di conseguenza perde elettroni (anche con le pareti del camera in cui è contenuto) e quindi risulta carico positivamente. Il plasma anche se praticamente neutro è ad un potenziale più elevato di ogni caso e si indica spesso con <math>V_p\ </math>. È possibile determinare il potenziale a cui ci porta un oggetto metallico isolato, imponendo che il potenziale rallentante <math>V_m\ </math> renda eguali i flussi di corrente ionica ed elettronica (se l'oggetto metallico è carico negativamente respingerà gli elettroni la cui energia cinetica sia inferiore a <math>eV_m\ </math>, semplici considerazioni basate sulla [[w:Distribuzione_di_Maxwell-Boltzmann|distribuzione di Maxwell-Boltzmann]] permettono di calcolare: {{Equazione|eq=<math>V_m=V_p-\frac {k_BT_e}{2e}\ln \left( \frac {m_iT_e}{m_eT_i}\right)\ </math>|}} Con i numeri dati corrisponde ad un potenziale tipico di circa 15 V. Il potenziale negativo respinge da un lato gli elettroni, ma anche favorisce il bombardamento degli ioni positivi. = Bibliografia = * {{cita libro| B. Chapman| Glow Discharges Processes| 1980 | John Wiley & Sons |ed= 2 ||lingua= inglese|isbn=047107828X}} * {{cita libro| G. Franz| Low Pressure Plasmas and Microstructures Technology| 2009 | Springer |ed= 2 ||lingua= inglese|isbn=978-3-540-85848-5}} [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il_plasma|indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Fisica del plasma | avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Plasma]] {{Avanzamento|75%|25 marzo 2010}} s8vp6qmn7cexbd4784vz9uxn165ltjv 0 24248 478124 474340 2025-06-25T13:19:29Z Pasquale.Carelli 528 messo titolo 478124 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Fisica del plasma== Un plasma è in genere neutro in quanto le sue cariche libere positive e negative si compensano a vicenda. Ma vanno introdotte delle grandezze fisiche che determinano alcune proprietà macroscopiche: la lunghezza di [[w:Peter_Debye|Debye]] e la frequenza di plasma. Tali grandezze fisiche intervengono quando azioni esterne cambiano lo stato di equilibrio dinamico di un plasma, costituito da un numero eguale di ioni positivi per unità di volume <math>n_{i0}\ </math> ed di <math>n_{e0}\ </math>. Tali cariche sono distribuite uniformemente nella regione del plasma. == Lunghezza di Debye== Il plasma avendo un notevole numero di cariche libere tende a schermare disturbi esterni. Quindi se si ha localmente uno ione positivo si forma attorno ad esso una nuvola elettronica che tende a schermare tale disturbo esterno. Per questa ragione la dimensione della interazione coulombiana all'interno di un plasma è fortemente ridotta rispetto al caso di un gas rarefatto. È dovuta a [[w:Peter_Debye|Debye]] una teoria che spiega quantitativamente il fenomeno. In realtà la teoria è stata sviluppata per [[w:Elettrolita|elettroliti]] forti in soluzioni acquose. Tali sistemi hanno forti analogie con i plasmi. La densità di elettroni attorno ad uno ione, assumendo valida la [[w:Statistica_di_Maxwell-Boltzmann|distribuzione di Maxwell-Boltzmann]], (anche se spesso il sistema non si possa considerare propriamente all'equilibrio termodinamico) vale: :<math>n_e(r)=n_{e0}\exp{ \left[\frac{eV(r)}{k_BT_e}\right] } \ </math> dove <math>n(r)\ </math> è la densità locale di elettroni attorno allo ione, <math>V(r)\ </math> è il potenziale locale del plasma rispetto al plasma indisturbato, <math>T_e\ </math> è la temperatura degli elettroni. Se ci interessa la regione in cui <math>V(r)\ </math> è piccolo (energia termica media degli elettroni più grande dell’energia potenziale elettrostatica). Possiamo sviluppare l'esponenziale al primo ordine e scrivere l'espressione della densità di carica locale come: :<math>\rho(r)\approx en_{i0}-en_{e0}\left(1+\frac {eV(r)}{k_BT_e}\right)= -\frac {e^2n_{e0}V(r)}{k_BT_e} </math> Notiamo come si sia considerato la distribuzione ionica imperturbata, a causa della molto minore temperatura degli ioni, e quindi la loro agitazione termica è trascurabile. Inserendo tale espressione nella [[w:Equazione_di_Poisson|equazione di Poisson]] scritta in coordinate polari attorno allo ione e rinominando <math>n_{e0}\ </math> con <math>n_{e}\ </math>: :<math>\frac {\partial^2 V}{\partial r^2}=\frac {e^2n_{e}V(r)}{k_BT_e\varepsilon_o}</math> La cui soluzione è: :<math>V(r)=V_oe^{-r/\lambda_D}</math> Cioè il potenziale nelle vicinanze di uno ione diminuisce esponenzialmente con il rapporto tra la distanza e la lunghezza di Debye: :<math>\lambda_D^2\ =\frac{\varepsilon_o k_BT_e}{e^2n_{e}\ }</math> Nota che si è esclusa nel risolvere l'equazione differenziale la soluzione divergente con la distanza <math>r\ </math> (cioè il termine <math>e^{r/\lambda_D}</math>), che non ha senso fisico. Il risultato si traduce nel fatto che intorno ad ogni carica positiva <math>q\ </math> il plasma crea una nuvola di carica spaziale che riduce il potenziale elettrico coulombiano fino ad annullare l’effetto di carica singola su distanze superiori a <math>\lambda_D\ </math>, che prende appunto il nome di '''''lunghezza di Debye'''''. A distanze superiori alla lunghezza di Debye si misurano solo gli effetti collettivi e non quelli delle singole cariche. Esplicitando le costanti che figurano nell'espressione nel sistema internazionale, si ha che la lunghezza di Debye in metri se ''n''_e è dato in m^-3: :<math>\lambda_D=69\sqrt{\frac {T_e}{n_{e}}}\ </math> Si può notare quindi che la lunghezza di Debye diminuisce al crescere della densità elettronica, (perché sono disponibili più elettroni per schermare), ed aumenta al crescere della temperatura (poiché aumenta la mobilità delle cariche). === Valori tipici della lunghezza di Debye=== La tabella che segue : <table class="wikitable" style="margin: 1em auto"> <tr bgcolor="#eeeeee"align=center><td>'''Plasma'''</td><td>'''Densità'''<br>''n''_e(m^-3)</td><td>'''Temperatura degli elettroni'''<br> ''T''(K)</td><td>'''lunghezza di Debye'''<br>''λ''_D(m)</td></tr> <tr align=center><td bgcolor="#eeeeee" align=left>'''Centro del Sole'''</td><td>10³²</td><td>10⁷</td><td>10^&minus;11</td></tr> <tr align=center><td bgcolor="#eeeeee" align=left>'''Scarica nei gas'''</td><td>10¹⁶</td><td>10⁴</td><td>10^&minus;4</td></tr> <tr align=center><td bgcolor="#eeeeee" align=left>'''Ionosfera'''</td><td>10¹²</td><td>10³</td><td>10^&minus;3</td></tr> <tr align=center><td bgcolor="#eeeeee" align=left>'''Magnetosfera'''</td><td>10⁷</td><td>10⁷</td><td>10²</td></tr> <tr align=center><td bgcolor="#eeeeee" align=left>'''Mezzo interstellare'''</td><td>10⁵</td><td>10⁴</td><td>10</td></tr> </table> ===Numero di Debye=== Il numero medio di elettroni in un plasma contenuto dentro un cubo di lato pari alla lunghezza di Debye viene chiamato numero di Debye: :<math> N_D = n_e \lambda_D^3 </math> Spesso invece si usa una altra grandezza adimensionale, praticamente coincidente a meno di un fattore <math> 4\pi \ </math>, detto parametro di plasma, che segue dalla teoria dello [[w:Scattering|scattering]] Coulombiano :<math> \Lambda = 4\pi n_e \lambda_D^3 </math> Essendo la lunghezza di Debye <math> \lambda_D = \sqrt{\frac{\epsilon_0 k T_e}{n_e e^2}}</math>, segue che il tale numero vale :<math> N_D = \frac{(\epsilon_0 K_B T_e)^{3/2}}{e^3 n_e^{1/2}} </math> Se <math>N_D\ll 1\ </math> si ha che gli urti due a due tra le particelle sono il fenomeno fisico dominante, nell'altro caso estremo in cui <math>N_D\gg 1\ </math> si ha il cosiddetto plasma ideale in cui il comportamento collettivo dei costituenti è il fenomeno dominante. In questo caso l'equazione di stato dei gas perfetti descrive bene il comportamento delle varie componenti del plasma. Con i numeri della tabella precedente la scarica dei gas è il caso ideale con <math>N_D=100\gg 1\ </math>. == Frequenza di plasma == Un altro importante fenomeno collettivo è costituito dalle oscillazioni di plasma. Supponiamo che una "fetta" di elettroni di sezione <math>S\ </math> si sposti di una quantità <math>x\ </math> nella direzione ortogonale a <math>S\ </math>. Si formerà un [[w:campo elettrico|campo elettrico]] perpendicolare alla superficie <math>S\ </math>: :<math>\, |E| = \frac{\sigma}{\epsilon_0} \,</math> . dove <math>\sigma</math> è determinato dalla densità superficiale di carica elettronica: :<math>\, \sigma = \frac QS= \frac{n_e e \; S \; x}{S} = e n_e x \,</math> . Dove <math>Q=n_eeSx\ </math> è la carica che si spostata. Combinando le due espressioni si ottiene che la forza netta agente su ogni elettrone del plasma, opposta alla direzione del campo, è: :<math>\, F = - \frac{n_e e^2}{\epsilon_0} x \,</math> . La legge della dinamica per gli elettroni diventa quindi: :<math>\, m_e \ddot{x} + \frac{n_e e^2}{\epsilon_0} x = 0 \,</math> L'equazione di un oscillatore armonico, con pulsazione: :<math>\, \omega_{p,e} = \left( \frac{n_e e^2}{m_e \epsilon_0} \right)^{1/2} \,</math> detta '''frequenza di plasma'''. Inserendo le costanti fisiche, si ottiene l'espressione: :<math>\, f_{p,e} = \frac{\omega_{p,e}}{2 \pi} = 8.98 \times n_e^{1/2} \; \mathrm{Hz} \,</math> Quindi se <math>n_e\ </math> vale <math>10^{16}\ m^{-3}</math> la frequenza di plasma vale 0.9 GHz. Notare che analogamente si possa definire una frequenza di plasma per gli ioni: :<math>\, \omega_{p,i} = \left( \frac{n_i e^2}{m_i \epsilon_0} \right)^{1/2} \,</math> ma a causa della massa molto superiore, tale frequenza a parità di densità è circa due ordini di grandezza inferiore. = Bibliografia = * {{cita libro| B. Chapman| Glow Discharges Processes|anno=1980 | John Wiley & Sons |ed= 2 |lingua= inglese| ISBN=978-0471078289}} * {{cita libro| G. Franz| Low Pressure Plasmas and Microstructures Technology| anno=2009 | Springer |ed= 2 |lingua= inglese| ISBN=978-3642099397}} [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Proprietà generali| indietro]]| [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Scarica nei gas| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Plasma]] {{Avanzamento|75%|1 febbraio 2024}} 59eurb90tn6gsda8g9cw1g9dlcu85l9 0 25444 478125 448719 2025-06-25T13:20:19Z Pasquale.Carelli 528 cambiato titolo 478125 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} == Scarica nei gas== Alla fine del 1800 furono studiate le scariche gassose in un tubo rettilineo (in vetro o quarzo), tali apparati erano noti come [[w:tubo di Crookes|tubi di Crookes]] o [[w:tubo di Geissler|tubi di Geissler]]. Lo schema dell'apparato consisteva in un tubo rettilineo sotto vuoto tra 1 mbar e 0.01 mbar, un vuoto possibile anche nell'ottocento, ed un circuito di alimentazione collegato ai due elettrodi agli estremi. [[File:GlowDischargeVoltAmpere.jpg|520px|thumb|left|Curva caratteristica ([[w:tensione elettrica|tensione]] come funzione della [[w:corrente elettrica|corrente]]) di un tubo al [[w:Neon|Neon]], pressione 1.2 mbar, con due elettrodi a disco di 2 cm di diametro, separati di 50 cm.]] La caratteristica corrente tensione come appare dalla figura a fianco, ottenuta effettuando la scarica con un gas nobile, il [[w:Neon|Neon]] ad una pressione di 1.2 mbar. Il comportamento viene convenzionalmente diviso in tre zone, la scarica oscura, la scarica a bagliore e l'arco. === Scarica oscura === In questa regione della caratteristica corrente tensione la scarica dei gas avviene senza emissione apprezzabile di luce e per questa ragione è chiamata scarica oscura. Solo a basse tensioni applicate (pochi volt) il comportamento del gas rispetta la [[w:Legge di Ohm|legge di Ohm]], in quanto il moto dei pochi ioni presenti nel gas è di tipo viscoso con una velocità di drift proporzionale al campo elettrico uniforme presente. A tensioni minori (punto '''A''' della curva caratteristica) si hanno correnti dell'ordine del pA o anche meno, e sono sotto forma di impulsi casuali ("burst") di corrente, dovuti a sorgenti esterne, come [[w:radioattività|radioattività]] naturale e [[w:raggi cosmici|raggi cosmici]]. Il campo elettrico è però così basso, che le cariche presenti non possono generare altre cariche per effetto di ionizzazioni successive: questa è la condizione standard di tutti i gas neutri, aria compresa, dove esiste una piccolissima percentuale ionizzata. All'aumentare della tensione applicata sempre più particelle cariche vengono raccolte, ma il loro numero non aumenta linearmente con la tensione applicata. Di conseguenza, la corrente aumenta, come mostrato nei tratti '''A - B''' della curva caratteristica: aumentando ancora la tensione, si raggiunge, per elevate tensioni, una situazione di equilibrio, in cui tutte le cariche libere che vengono generate nel tubo vengono raccolte dagli elettrodi. La corrente raggiunta è detta ''corrente di saturazione'', ed è chiamata <math>I_0\ </math>. Poiché il valore della corrente di saturazione dipende dalla ionizzazione naturale del gas, dovuta alla radioattività, ci possono essere molte curve come la '''A - B''', con differenti valori di corrente di saturazione (per esempio, come in figura i tratti '''A - B''', '''A' - B'''', eccetera). Questa proprietà della parte iniziale della curva caratteristica di un tubo di scarica viene utilizzata per esempio nei [[w:contatore Geiger|contatori Geiger]]. [[File:TownsendAvalanche.png|thumbnail|left|Effetto di ionizzazione a valanga da parte di elettroni emessi dal catodo (in basso).]] Aumentando ancora la tensione, gli elettroni liberi vengono accelerati sufficientemente da potere collidere con atomi neutri, producendo nuovi elettroni liberi . L'elettrone iniziale, più quello emesso per collisione, possono venire riaccelerati, per collidere con altri atomi neutri. Questo produce un effetto a valanga, noto come '''scarica a valanga''', o '''di Townsend''' (tratto '''B - C''' della curva caratteristica). [[w:John Sealy Townsend|Townsend]] riuscì, dopo studi sistematici, a caratterizzare quantitativamente la corrente prodotta in una scarica a valanga, ottenendo la relazione: : <math> I = I_0 \, e^{\alpha d} \, . </math> dove <math>I_0\ </math> è la corrente di saturazione del regime Geiger, <math>d\ </math> è la distanza fra i due elettrodi, e <math>\alpha\ </math> è detto primo coefficiente di Townsend (più è grande maggiore è la ionizzazione). Esso è tanto maggiore quanto è il numero di elettroni prodotti per unità di lunghezza del tubo di scarica. Calcolare <math>\alpha\ </math> in base a principi primi è molto difficile: esso dipende dalle sezioni d'urto di tutti i processi in gioco (emissione da parte del catodo, urti degli elettroni con gli ioni e con gli atomi neutri, scambio carica e ricombinazione). In questo regime la tensione applicata tra gli elettrodi ha una caduta uniforme dentro il tubo da vuoto producendo un campo elettrico uniforme <math>E\ </math>. Per cui è possibile dare una forma funzionale di <math>\alpha\ </math> in base ai parametri essenziali in gioco: : <math> \alpha = A p \, e^{-\frac{B}{E / p}} \, . </math> Normalmente i valori delle costanti ''A'' e ''B'' che compaiono nell'equazione per <math>\alpha\ </math> vengono tabulati, interpolando le curve che si ottengono al variare della pressione e della tensione applicata nel tubo, per diversi gas. Si vede pertanto che il parametro essenziale per la ionizzazione di un gas in un tubo di scarica è ''il campo elettrico diviso per la pressione nel tubo'', <math>E/p</math>. Il risultato notevole è che i valori delle due costanti dipendono dal tipo di gas, e dai due parametri ''E'' e ''p'', ma non dalla forma o dal materiale dell'elettrodo. ==Scarica a bagliore== Una delle caratteristiche principali di una scarica a bagliore (''glow discharge'') è la luminosità creata dal processo di rilassamento degli atomi che sono stati eccitati dalle collisioni elettroniche anelastiche. le zone che emettono luce a intensità molto differente. Nel regime di Townsend anche se la tensione applicata ai due elettrodi è capace di produrre ionizzazione a valanga, il processo dipende ancora dal numero di elettroni prodotti dal catodo. Quando gli elettroni secondari emessi dal catodo, dovuti al bombardamento ionico, incominciano ad essere un numero consistente si ha la transizione dalla scarica oscura alla scarica a bagliore, cioè il tratto '''D-E''' della curva caratteristica. Il catodo in questo regime incomincia ad essere bombardato da un flusso notevole di ioni, che emettono con una certa probabilità elettroni, tale processo viene caratterizzato dall'efficienza di produzione (yield) indicato con <math>\gamma_i\ </math>. Tale coefficiente adimensionale dipende molto poco dall'energia degli ioni positivi incidenti, mentre dipende dal tipo di Gas, gas più leggeri come l'elio possono avere <math>\gamma_i=0.25\ </math>, mentre l'Argon ha un <math>\gamma_i=0.1\ </math>. Il materiale del catodo ha una influenza marginale. Il coefficiente <math>\gamma_i\ </math>, spesso indicato senza pedice, è talvolta chiamato '''secondo esponente di Townsend'''. Il regime in cui la scarica si sostiene da sola è chiamato anche '''scarica auto-sostenuta di Townsend''' (punto '''D''' della curva caratteristica), ed è caratterizzato da un marcato aumento della corrente che scorre nel tubo catodico. La tensione di innesco per cui si passa dalla regione oscura a quella a bagliore vale: : <math> V_b = \frac{B p d}{\log{A p d} - \log \left[ \log \left( 1 + \frac{1}{\gamma} \right) \right] } \, . </math> Al variare di ''p d'', dato che i valori di A, B e γ sono fissati e dipendono solo dal tipo di gas (molto debolmente dal materiale degli elettrodi), la tensione di innesco descrive delle curve tipiche, note come [[w:curve di Paschen|curve di Paschen]]. [[File:Paschen.jpg|thumbnail|left|400px|Curve di Paschen]] Osserviamo che la tensione di innesco è funzione del prodotto ''p d'', ed ha un minimo, che dipende dal gas considerato, per un certo valore di pd. Intuitivamente se la pressione è troppo alta il cammino libero medio degli ioni è piccolo, quindi ci vuole una elevata tensione di innesco. Se invece il vuoto è troppo buono la probabilità di avere urti diventa trascurabile e quindi anche in questo caso la tensione di innesco deve aumentare. L'effetto della lunghezza del tubo è diverso in condizioni di bassa pressione, più lungo si fa il tubo più si contrasta il fatto che gli urti sono trascurabili, quindi se p è bassa basta allontanare gli elettrodi per abbassare la tensione di innesco. Invece se la pressione è troppo alta allontanare gli elettrodi produce un effetto negativo in quanto gli ioni prodotti si perdono ancor più nel cammino per andare da un elettrodo all'altro. Notare come il comportamento sia asimmetrico, cioè se la pressione è troppo bassa non è possibile avere nessuna tensione di innesco, mentre, se la pressione è alta, è sempre possibile avere una tensione di innesco. Il tratto D-F della caratteristica a resistenza negativa e quindi instabile viene chiamata [[w:Effetto_corona|scarica a corona]] è caratterizzato dal fatto che la scarica luminosa è localizzata in una piccola porzione del tubo. La scarica a bagliore vera e propria si ha nel tratto F-H della caratteristica qui ingrandita: [[File:Abnormal_glow.jpg|350px|thumb|left|Curva caratteristica di una scarica a bagliore: ''V_C'' è la tensione al catodo, ''J = I/A'' è la densità di corrente al catodo. Gas:[[w:argon|Argon]], pressione 10^-2 torr.]] In questa si distinguono due zone: una prima zona rappresenta il regime in cui varia la corrente, ma la tensione è costante (scarica normale) evidenziata dal tratto '''F''' - '''G''', e una seconda, che rappresenta il regime in cui il processo di emissione di elettroni coinvolge tutta la superficie del catodo, ove la tensione non è più indipendente dalla corrente, ma è circa proporzionale (scarica anormale): con riferimento alla curva caratteristica, si passa da '''G''' ad '''H'''. In questo secondo regime si ha un plasma in una regione centrale del tubo da vuoto, con campi elettrici trascurabili, elevata conducibilità elettrica, mentre la caduta di tensione si ha quasi completamente nella regione adiacente al catodo. La scarica normale viene usata nelle lampade a fluorescenza in quanto produce una diffusa luminosità. Nei processi tecnologici è la regione anormale quella di maggiore interesse. [[File:Electric_glow_discharge_schematic.png|left|thumb|350px|Schema di una scarica a bagliore. I principali elementi sono: (a) L'anodo e il catodo alle estremità del tubo; (b) la zona oscura di Aston; (c) il bagliore catodico; (d) la zona oscura del catodo; (e) il bagliore negativo; (f) la zona oscura di Faraday; (g) la colonna positiva; (h) il bagliore anodico (i); la zona oscura dell'anodo.]] La scarica anormale rivela la sua complessità dalla emissione di luce che varia notevolmente da punto a punto. Distinguiamo delle zone scure in prossimità del catodo (''Aston e Crook dark space''). Vi è anche una zona anodica di minore luminosità, ma non propriamente scura. La zona luminosa estesa chiamata colonna positiva (''positive column'' ) è la zona del plasma vero e proprio con un debole campo elettrico negativo dovuto ad un eccesso di elettroni. La zona più luminosa della scarica è il ''negative glow'' (bagliore negativo) la sua colorazione dipende dal gas della scarica (ossigeno un giallo pallido, Argon tra il blu ed il viola). Tra la negative glow e la colonna positiva vi la zona scura di Faraday. Gli elettroni secondari (quelli prodotti dagli ioni sul catodo), acquistano energia nelle due zone oscure del catodo, dove è massimo il campo elettrico. Mentre nella zona di ''negative glow'' avvengono i processi di ionizzazione ed eccitazione. La diffusione laterale delle cariche prodotte restringe la dimensione radiale della ''negative glow''. Infine entrano nella zona oscura di Faraday con energia insufficiente per ionizzare, riacquistando nuovamente energia fino a precipitare sull'anodo. Le zone oscure sono le zone in cui gli elettroni vengono accelerati, ma a causa della loro elevata energia cinetica la sezione d'urto di ionizzazione è scarsa, quindi le collisioni sono rare, mentre quando entrano nella ''negative glow'' perdono via via energia ionizzando il mezzo che diventa luminoso. Se viene ridotta la distanza tra gli elettrodi ( o viene diminuita la pressione), la colonna positiva scompare, se viene ulteriormente diminuita scompare lo spazio oscuro di Faraday. Quando l'anodo entra dentro la ''negative glow'' la scarica tende a spegnersi a meno di non aumentare notevolmente la tensione applicata. In realtà la zona oscura di Faraday e la colonna positiva non sono essenziali ai fini della scarica anormale. Il plasma ha nel suo complesso un potenziale positivo di circa 10 V, indipendentemente dal potenziale negativo del catodo. Il campo elettrico più intenso si ha in corrispondenza del catodo, dove però la densità degli elettroni è la più bassa. ===Zona oscura del catodo=== La dimensione della zona oscura del catodo è in realtà molto maggiore della dimensione della lunghezza di Debye. Infatti la dimensione della zona di Debye interverrebbe quando si ha a che fare con elettrodi isolati che non sono collegati ad un alimentatore esterno. In questo caso la corrente ionica di poche decine di <math>\mu A/cm^2\ </math> viene bilanciata dalla corrente degli elettroni che artificialmente viene ridotta dalla presenza di un potenziale negativo ritardante di circa 15 V. Le condizioni cambiano se l'elettrodo viene alimentato con un alimentatore esterno che fa scorrere delle correnti, non più a media nulla, ma in valore assoluto di almeno un ordine di grandezza maggiore, in questo caso la zona oscura si compone di una zona quasi neutra in cui l'energia dovuta all'agitazione termica è dominante ed una zona di carica spaziale positiva nelle immediate vicinanze dell'elettrodo. La zona oscura ha quindi dimensioni dell'ordine di grandezza dei mm. === Equilibrio dinamico del plasma in dc=== Gli elettroni e gli ioni vengono neutralizzati nelle collisioni con gli elettrodi e le altre superfici della camera. Tra i processi di perdita bisogna includere anche la ricombinazione indiretta (in quanto mediata dalle superfici) di elettroni e ioni. Per mantenere quindi un equilibrio dinamico ci deve essere una generazione di coppie elettroni ioni numericamnete eguale. Oltre alla perdita di carica vi è una perdita di energia in quanto le particelle energetiche urtando gli elettrodi o le pareti della camera da vuoto dissipano la loro energia, che diventa calore, che viene portata via dal sistema di raffreddamento. Quindi anche vi deve essere un bilanciamento energetico tra energia dissipata e fornita al sistema. La scarica viene in parte mantenuta dagli elettroni accelerati che acquistano sufficiente energia da ionizzare il gas. Ma in realtà nella scarica in dc hanno una notevole importanza i cosiddetti ''elettroni secondari'', cioè quegli elettroni che sono prodotti quando elettroni, ioni ma anche atomi neutri (di alta energia) urtano gli elettrodi. Questi processi sono importanti solo nella scarica in corrente continua. In genere la probabilità che in un urto di questo genere si produca un elettrone secondario dipende dalla specie interagente, dalla sua energia e dal materia di cui sono fatte le superfici. La resa del processo, cioè il numero di elettroni secondari prodotti in funzione dei vari ioni, elettroni o atomi neutri può essere maggiore dell'unità. Ad esempio un elettrone di 800 eV urtando un elettrodo di platino produce in media 1.8 elettroni secondari. La resa del bombardamento di ioni, tranne che nel caso dell'elio è in genere invece inferiore all'unità. In ogni caso gli elettroni secondari sono quelli che prodotti dagli elettrodi vengono accelerati e sostengono la scarica. ===Campi magnetici=== Il processo di ionizzazione è dominato dagli elettroni secondari la cui probabilità di ionizzazione è tanto maggiore quanto maggiore è il loro cammino. Per questa ragione nella curva di Paschen se la pressione è bassa aumentando la distanza tra gli elettrodi diminuisce il potenziale di ''break-down''. Gli elettroni secondari emessi dal catodo hanno velocità dell'ordine dell'ordine di grandezza di <math>10^6\ m/s</math> (2 eV). Quindi immersi in un campo magnetico <math>B\ </math>, perpendicolare alla loro velocità a causa della [[w:Forza di Lorentz|forza di Lorentz]], seguono un percorso circolare di raggio di curvatura di: :<math>R=\frac {mv}{eB}</math> Dove <math>m\ </math> è la massa degli elettroni. Per un campo magnetico di <math>0.01\ T</math> la traiettoria circolare ha un raggio di frazioni di mm. In pratica la traiettoria degli elettroni diventa una spirale con un cammino molto lungo. L'effetto dei campi magnetici sugli ioni è invece trascurabile in quanto essendo la loro massa circa <math>10^5\ </math> volte quella degli elettroni il loro raggio di curvatura diventa di molti metri, molto più grande delle dimensioni degli elettrodi e della camera in cui avviene la scarica. Quindi avere dei campi magnetici modesti aumenta grandemente la probabilità di ionizzazione da parte degli elettroni. In genere quindi si aggiungono dei campi magnetici nella regione del catodo per aumentare la probabilità di ionizzazione e permettere di diminuire la distanza tra gli elettrodi, in quanto il campo magnetico, artificialmente aumenta il cammino percorso dagli elettroni e quindi la loro probabilità di ionizzare il gas. Mentre tale campo non modifica il meccanismo di bombardamento degli ioni da parte degli ioni positivi. == Arco== Infine vi è il tratto '''I-J-K''' in cui la forma della scarica sembra un arco da cui il nome. In questa regione gioca un ruolo essenziale l'[[w:emissione termoionica| emissione termoionica]] dal catodo: il catodo si scalda molto per collisione con gli [[w:ione|ioni]] e per la dissipazione di potenza che si ha nello strato catodico. L'aumento notevole del flusso di elettroni dato dall'emissione termoionica causa una seconda transizione (simile a quella della glow), in cui la tensione applicata ai capi del tubo diminuisce ancora (tratto '''J'''-'''K''' della curva caratteristica). Conseguentemente la corrente elettrica aumenta di molto, dalle decine a migliaia di Ampere. Il regime dell'arco si suddivide a sua volta in ''arco non-termico'' (punto '''J''' della curva caratteristica), in cui la temperatura elettronica è maggiore di quella ionica (<math>T_e > T_i</math>) e ''arco termico'' (punto '''K''') dove le [[w:Scattering#La diffusione di Coulomb|collisioni coulombiane]] sono riuscite a equilibrare le energie di ioni ed elettroni, e <math>T_e = T_i</math>. In un arco a pressione atmosferica la temperatura tipica è <math>T_e = T_i = 5000</math> [[w:Kelvin|K]] (valore leggermente variabile a seconda dell'energia di ionizzazione del gas). = Bibliografia = * {{cita libro| B. Chapman| Glow Discharges Processes| 1980 | John Wiley & Sons |ed= 2 ||lingua= inglese|isbn=047107828X}} * {{cita libro| G. Franz| Low Pressure Plasmas and Microstructures Technology| 2009 | Springer |ed= 2 ||lingua= inglese|isbn=978-3-540-85848-5}} [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Fisica del plasma| indietro]]| [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Il plasma/Scarica a rf| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Plasma]] {{Avanzamento|100%|02 febbraio 2024}} 4hnju71dn3q2t27ke9igpje819ucv39 0 28683 478129 336894 2025-06-25T13:41:33Z Pasquale.Carelli 528 indietro avanti titolo 478129 wikitext text/x-wiki {{Micro e nanotecnologia}} ==Deposizione con cannone elettronico== [[File:Electron-beam_evaporator.png|thumb|left|300px|Schema di un cannone elettronico]] Lo schema di funzionamento è mostrato nella figura accanto. Il funzionamento è il seguente un filamento caldo genera una grande corrente elettronica, anche qualche Ampère, il fascio viene accelerato tra il filamento e l'anodo ad una elevata tensione (tra 3 KV e i 30 KV). Il fascio di elettroni viene solitamente deviato di 270°, mediante un opportuno campo magnetico, in maniera da evitare che il filamento che emette gli elettroni sia ricoperto con il materiale da evaporare. Il crogiolo in cui è contenuto il materiale da evaporare è in genere di [[w:grafite|grafite]] che è il materiale conosciuto con la più alta temperatura di fusione. A sua volta il crogiolo di grafite è contenuto in un dissipatore di calore di rame. Gli elettroni incidenti dissipano così la loro energia cinetica nel materiale e ne provocano il riscaldamento e la successiva evaporazione. Il dissipatore di calore di rame è attraversato al suo interno da un flusso di acqua. In genere vi sono più crogioli che permettono di evaporare in sequenza più materiali. Vi è in questo caso un copertura automatica che impedisce la contaminazione tra i vari materiali durante la rotazione del portacrogioli. Oltre al campo magnetico principale, in genere quadrupolare che devia di 270° il fascio di elettroni, vi sono dei campi magnetici ausiliari, che possono focalizzare il fascio e controllare la posizione del fascio sul crogiolo. La focalizzazione è importante per aumentare la potenza che arriva localmente sul materiale da evaporare. Mentre la deviazione continua del fascio durante l'evaporazione impedisce, che per i materiali che sublimano come ad esempio il cromo, il fascio di elettroni formi un foro che attraversa il crogiolo di grafite e riesca a forare addirittura il rame di supporto. Con questa tecnica si riescono a raggiungere maggiori velocità di crescita che con l'evaporazione termica, inoltre i film sono meno contaminati che nel caso della evaporazione termica. Infatti il materiale da evaporare fonde localmente e i crogioli si mantengono ad una temperatura relativamente bassa. Elettroni di così elevata energia sotto vuoto generano sia [[w:Radiazione_ultravioletta|ultravioletti]] che [[w:raggi X|raggi X]]. Tali radiazioni possono danneggiare gli strati sottostanti su cui si sta depositando il nuovo materiale. Questa tecnica è molto diffusa nei laboratori di ricerca a causa della sua flessibilità e la possibilità di evaporare praticamente qualsiasi elemento (solido a temperatura ambiente). In genere il substrato e la sorgente sono poste ad una distanza di varie decine di cm. Per cui una frazione trascurabile del materiale evaporato finisce sul substrato. Quindi a differenza della tecnica di sputtering vi è un notevole spreco di materiale, questo rende la tecnica poco utilizzabile nei processi industriali su larga scala in cui il costo del materiale evaporato rappresenta una voce importante. [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Evaporazione| indietro]] | [[Micro_e_nanotecnologia/Microtecnologia/Film_sottili/Molecular_Beam_Epitaxy_(MBE)| avanti]] [[Categoria:Micro e nanotecnologia|Deposizione con cannone elettronico]] ekg94kuge6mvacktsb81o8yem4731ro 0 39409 478142 425389 2025-06-26T08:34:24Z 82.134.211.67 /* Capoluogo */ 478142 wikitext text/x-wiki {{Disposizioni foniche di organi a canne}} Disposizioni foniche del comune di [[w:Piacenza|Piacenza]] raggruppate per edificio. == Capoluogo == * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Cattedrale di Santa Maria Assunta e Santa Giustina|Cattedrale di Santa Maria Assunta e Santa Giustina]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Basilica di Sant'Antonino|Basilica di Sant'Antonino]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Basilica di Santa Maria di Campagna|Basilica di Santa Maria di Campagna]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Chiesa di Sant'Anna|Chiesa di Sant'Anna]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Chiesa di San Carlo|Chiesa di San Carlo]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Chiesa di San Giorgio|Chiesa di San Giorgio]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Oratorio di San Cristoforo|Oratorio di San Cristoforo]] {{Avanzamento|0%|27 marzo 2021}} [[Categoria:Disposizioni foniche di organi a canne]] dslt44f4jr204iqskgtiw97drqv8c18 478143 478142 2025-06-26T08:34:48Z 82.134.211.67 /* Capoluogo */ 478143 wikitext text/x-wiki {{Disposizioni foniche di organi a canne}} Disposizioni foniche del comune di [[w:Piacenza|Piacenza]] raggruppate per edificio. == Capoluogo == * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Cattedrale di Santa Maria Assunta e Santa Giustina|Cattedrale di Santa Maria Assunta e Santa Giustina]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Basilica di Sant'Antonino|Basilica di Sant'Antonino]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Basilica di Santa Maria in Campagna|Basilica di Santa Maria in Campagna]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Chiesa di Sant'Anna|Chiesa di Sant'Anna]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Chiesa di San Carlo|Chiesa di San Carlo]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Chiesa di San Giorgio|Chiesa di San Giorgio]] * [[Disposizioni foniche di organi a canne/Italia/Emilia-Romagna/Provincia di Piacenza/Piacenza/Piacenza - Oratorio di San Cristoforo|Oratorio di San Cristoforo]] {{Avanzamento|0%|27 marzo 2021}} [[Categoria:Disposizioni foniche di organi a canne]] 341rrgavh2l6b1g0oby3aps4ssulwp4 0 54935 478131 477326 2025-06-25T15:55:21Z Д.Ильин 32713 478131 wikitext text/x-wiki {{Chimica per il liceo 2}} {{avanzamento|100%}} == Geometria delle molecole e loro polarità == Finora abbiamo utilizzato strutture di Lewis bidimensionali per rappresentare le molecole. Tuttavia, la struttura molecolare è in realtà tridimensionale ed è importante essere in grado di descrivere i legami molecolari in termini di distanze, angoli e disposizioni relative nello spazio (Figura sotto). Un '''angolo di legame''' è l'angolo tra due legami qualsiasi che includono un atomo comune, solitamente misurato in gradi. Una '''distanza di legame''' (o lunghezza di legame) è la distanza tra i nuclei di due atomi legati lungo la linea retta che unisce i nuclei. Le distanze di legame sono misurate in Ångstrom (1 Å = 10^–10 m) o picometri (1 pm = 10^–12 m, 100 pm = 1 Å). [[File:Metanale_angolo_e_lunghezza_legame.png|centro|miniatura|558x558px|Le distanze (lunghezze) e gli angoli di legame sono mostrati per la molecola di formaldeide (metanale) H₂CO.]] == Teoria VSEPR == '''La teoria della repulsione delle coppie di elettroni del guscio di valenza (teoria VSEPR)''' ci consente di prevedere la struttura molecolare, compresi gli angoli approssimativi di legame attorno a un atomo centrale, di una molecola da un esame del numero di legami e di coppie di elettroni solitari nella sua struttura di Lewis. Il modello VSEPR presuppone che le coppie di elettroni nel guscio di valenza di un atomo centrale adottino una disposizione che minimizzi le repulsioni tra queste coppie di elettroni massimizzando la distanza tra loro. Gli elettroni nel guscio di valenza di un atomo centrale formano coppie di elettroni di legame, situati principalmente tra atomi legati, o coppie solitarie. La repulsione elettrostatica di questi elettroni si riduce quando le varie regioni ad alta densità elettronica assumono posizioni quanto più lontane possibile tra loro. La teoria VSEPR prevede la disposizione delle coppie di elettroni attorno a ciascun atomo centrale e, solitamente, la corretta disposizione degli atomi in una molecola. Dovremmo capire, tuttavia, che la teoria considera solo le repulsioni delle coppie di elettroni. Anche altre interazioni, come le repulsioni nucleare-nucleare e le attrazioni nucleare-elettrone, sono coinvolte nella disposizione finale che gli atomi adottano in una particolare struttura molecolare. Come semplice esempio della teoria VSEPR, prevediamo la struttura di una molecola gassosa di BeF₂ . La struttura di Lewis di BeF₂ (Figura sotto) mostra solo due coppie di elettroni attorno all'atomo centrale di berillio. Con due legami e nessuna coppia solitaria di elettroni sull'atomo centrale, i legami sono quanto più distanti possibile e la repulsione elettrostatica tra queste regioni ad alta densità elettronica è ridotta al minimo quando si trovano su lati opposti dell'atomo centrale. L'angolo di legame è 180°. [[File:BeF2_vsepr.png|centro|miniatura|La molecola BeF₂ adotta una struttura lineare in cui i due legami sono il più distanti possibile, su lati opposti dell'atomo Be]] La tabella qui sotto illustra questa e altre geometrie di coppie di elettroni che minimizzano le repulsioni '''tra regioni (o domini) ad alta densità elettronica (legami e/o coppie solitarie)'''. Due regioni di densità elettronica attorno a un atomo centrale in una molecola formano una geometria '''lineare'''; tre regioni formano una geometria '''planare trigonale''' quattro regioni formano una geometria '''tetraedrica'''; cinque regioni formano una geometria '''bipiramidale trigonale'''; e sei regioni formano una geometria '''ottaedrica.''' {| class="wikitable" |+ |} Le geometrie di base delle coppie di elettroni previste dalla teoria VSEPR massimizzano lo spazio attorno a qualsiasi regione (o '''dominio''') di densità elettronica ('''legami''' o '''coppie solitarie'''). {| class="wikitable" !Domini (regioni) elettronici !2 domini !3 domini !4 domini !5 domini !6 domini |- |Disposizione degli orbitali |[[File:AE2h.svg|senza_cornice|157x157px]] |[[File:AE3h.svg|senza_cornice|150x150px]] |[[File:AE4h.svg|senza_cornice|150x150px]] |[[File:P3d_ibridazione.png|senza_cornice|185x185px]] |[[File:Sp3d2_ibridazione.png|senza_cornice|178x178px]] |- |Esempi |[[File:Linear_molecule_ex.jpg|senza_cornice|150x150px]] |[[File:Borane-2D-structure.svg|senza_cornice|150x150px]] |[[File:Methane-2D-stereo.svg|senza_cornice|155x155px]] |[[File:Phosphorus-pentafluoride-2D-dimensions.png|senza_cornice|150x150px]] |[[File:Sulfur-hexafluoride-2D-dimensions.svg|senza_cornice|159x159px]] |- |Geometria dei domini |Lineare, 180° |triangolare planare |tetraedrica |trigonale bipiramidale |ottaedrica |} È importante notare che la geometria della coppia di elettroni attorno a un atomo centrale <u>''non'' è la stessa cosa della sua struttura molecolare</u>. Le geometrie delle coppie di elettroni mostrate nella tabella descrivono tutte le regioni in cui si trovano gli elettroni, i legami e le coppie solitarie. La struttura molecolare descrive la posizione degli ''atomi'', non degli elettroni. Distinguiamo tra queste due situazioni denominando la geometria che include ''tutte'' le coppie di elettroni '''geometria della coppia di elettroni''' . La struttura che include solo la disposizione degli atomi nella molecola è chiamata '''struttura molecolare''' . Le geometrie delle coppie di elettroni saranno le stesse delle strutture molecolari quando non ci sono coppie di elettroni solitari attorno all'atomo centrale, ma saranno diverse quando sono presenti coppie di elettroni solitari sull'atomo centrale. [[File:Methane-2D-dimensions.svg|miniatura|Metano]] Ad esempio, la molecola di metano, CH₄, che è il componente principale del gas naturale, ha quattro coppie di elettroni di legame attorno all'atomo di carbonio centrale; la geometria della coppia di elettroni è tetraedrica, così come la struttura molecolare. Strutture VSEPR come questa sono spesso disegnate utilizzando la notazione cuneo e trattino, in cui le linee continue rappresentano i legami nel piano della pagina, i cunei solidi rappresentano i legami che escono dal piano e le linee tratteggiate rappresentano i legami che scendono nel piano. D'altra parte, anche la molecola dell'ammoniaca, NH₃, ha quattro coppie di elettroni associate all'atomo di azoto, e quindi ha una geometria della coppia di elettroni tetraedrica. Una di queste regioni, tuttavia, è una coppia solitaria, che non è inclusa nella struttura molecolare, e questa coppia solitaria influenza la forma della molecola. Quindi (a) la geometria delle coppie di elettroni (domini) per la molecola di ammoniaca è tetraedrica con una coppia solitaria e tre legami singoli. (b) La struttura molecolare piramidale trigonale è determinata dalla geometria degli atomi di idrogeno attaccati all'azoto. (c) Gli angoli di legame effettivi deviano leggermente dagli angoli idealizzati perché la coppia solitaria occupa una regione di spazio più ampia rispetto ai legami singoli, facendo sì che l'angolo H-N-H sia leggermente inferiore a 109,5°.[[File:Ammoniaca_vsepr.png|centro|miniatura|677x677px|Ammoniaca secondo la teoria vsepr]] Come si vede nella dell'ammoniaca, piccole distorsioni rispetto agli angoli ideali mostrati in tabella possono derivare da differenze nella repulsione tra varie regioni di densità elettronica. La teoria VSEPR prevede queste distorsioni stabilendo un ordine di repulsioni e un ordine della quantità di spazio occupato dai diversi tipi di coppie di elettroni. L'ordine delle repulsioni delle coppie di elettroni dalla repulsione maggiore a quella minore è: <big>coppia solitaria - coppia solitaria '''>''' coppia solitaria - coppia di legame '''>''' coppia di legame - coppia di legame</big> Questo ordine di repulsioni determina la quantità di spazio occupato dalle diverse regioni di elettroni. Una coppia solitaria di elettroni occupa una regione di spazio più ampia degli elettroni in un triplo legame; a loro volta, gli elettroni in un triplo legame occupano più spazio di quelli in un doppio legame, e così via. L'ordine delle dimensioni dalla più grande alla più piccola è: <big>coppia solitaria '''>''' triplo legame '''>''' doppio legame '''>''' legame singolo</big> Consideriamo la formaldeide, H₂CO, che viene utilizzata come conservante per campioni biologici e anatomici. [[File:Metanale_angolo_e_lunghezza_legame.png|centro|328x328px|Le distanze (lunghezze) e gli angoli di legame sono mostrati per la molecola di formaldeide (metanale) H₂CO.|senza_cornice]] Questa molecola ha regioni ad alta densità elettronica costituite da due legami singoli e un doppio legame. La geometria di base è trigonale planare con angoli di legame di 120°, ma vediamo che il doppio legame provoca angoli leggermente più grandi (121°) e l'angolo tra i singoli legami è leggermente più piccolo (118°). Nella molecola dell'ammoniaca, i tre atomi di idrogeno attaccati all'azoto centrale non sono disposti in una struttura molecolare planare piatta, trigonale, ma piuttosto in una piramide trigonale tridimensionale con l'atomo di azoto all'apice e i tre atomi di idrogeno atomi che costituiscono la base. Gli angoli di legame ideali in una piramide trigonale si basano sulla geometria della coppia di elettroni tetraedrici. Ancora una volta, ci sono lievi deviazioni dall'ideale perché le coppie solitarie occupano regioni di spazio più grandi rispetto agli elettroni di legame. Gli angoli di legame H–N–H in NH₃ sono leggermente più piccoli dell'angolo di 109,5° in un tetraedro regolare perché la repulsione della coppia solitaria-coppia di legame è maggiore della repulsione della coppia di legame-coppia di legame. La Figura 4.19 illustra le strutture molecolari ideali, previste in base alle geometrie delle coppie di elettroni per varie combinazioni di coppie solitarie e coppie di legame. [[File:Geometrie_con_coppie_solitarie_al_posto_di_atomi.png|centro|senza_cornice|710x710px|Geometrie con coppie solitarie al posto di atomi]] Le strutture molecolari sono identiche alle geometrie delle coppie di elettroni quando non sono presenti coppie solitarie (prima colonna). Per un particolare numero di coppie di elettroni (riga), le strutture molecolari di una o più coppie solitarie vengono determinate in base alle modifiche della corrispondente geometria della coppia di elettroni. Secondo la teoria VSEPR, le posizioni degli atomi terminali (X nella tabella sopra) sono equivalenti all'interno delle geometrie delle coppie di elettroni lineare, planare trigonale e tetraedrica (le prime tre righe della tabella). Non importa quale X viene sostituito con una coppia solitaria perché le molecole possono essere ruotate per convertire le posizioni. Per le geometrie di coppie di elettroni bipiramidali trigonali, tuttavia, ci sono due posizioni X distinte, come mostrato nella Figura 4.20 : una '''posizione assiale''' (se manteniamo un modello di bipiramide trigonale mediante le due posizioni assiali, abbiamo un asse attorno al quale possiamo ruotare il modello) e una '''posizione equatoriale''' (tre posizioni formano un equatore attorno al centro della molecola). Come mostrato nella tabella, la posizione assiale è circondata da angoli di legame di 90°, mentre la posizione equatoriale ha più spazio disponibile a causa degli angoli di legame di 120°. In una geometria trigonale bipiramidale di coppie di elettroni, le coppie solitarie occupano sempre posizioni equatoriali perché queste posizioni più spaziose possono ospitare più facilmente le coppie solitarie più grandi. Teoricamente, possiamo trovare tre possibili disposizioni per i tre legami e due coppie solitarie per la molecola ClF₃ ( Figura sotto ). La struttura stabile è quella che colloca le coppie solitarie in posizioni equatoriali, dando una struttura molecolare a forma di T. [[File:ClF3_vsepr.png|centro|miniatura|797x797px|(a) In una bipiramide trigonale, le due posizioni assiali si trovano direttamente l'una di fronte all'altra, mentre le tre posizioni equatoriali si trovano in una disposizione triangolare. (b-d) Le due coppie solitarie (linee rosse) in ClF 3 hanno diverse possibili disposizioni, ma la struttura molecolare a forma di T (b) è quella effettivamente osservata, coerente con le coppie solitarie più grandi che occupano entrambe posizioni equatoriali]] Quando un atomo centrale ha due coppie di elettroni solitari e quattro regioni di legame, abbiamo una geometria della coppia di elettroni ottaedrica. Le due coppie solitarie si trovano sui lati opposti dell'ottaedro (a 180° di distanza), dando vita ad una struttura molecolare planare quadrata che minimizza le repulsioni tra coppie solitarie. == Previsione della geometria della coppia di elettroni e della struttura molecolare == La seguente procedura utilizza la teoria VSEPR per determinare le geometrie delle coppie di elettroni e le strutture molecolari: # Scrivi la struttura di Lewis della molecola o dello ione poliatomico. # Contare il numero di regioni di densità elettronica (coppie solitarie e legami) attorno all'atomo centrale. Un legame singolo, doppio o triplo conta come una regione di densità elettronica. # Identificare la geometria della coppia di elettroni in base al numero di regioni di densità elettronica: lineare, planare trigonale, tetraedrica, bipiramidale trigonale o ottaedrica (vedi tabella sopra). # Utilizzare il numero di coppie solitarie per determinare la struttura molecolare. Se è possibile più di una disposizione di coppie solitarie e legami chimici, scegliere quella che minimizzerà le repulsioni, ricordando che le coppie solitarie occupano più spazio dei legami multipli, che occupano più spazio dei legami singoli. Nelle disposizioni bipiramidali trigonali, la repulsione è ridotta al minimo quando ogni coppia solitaria si trova in posizione equatoriale. In una disposizione ottaedrica con due coppie solitarie, la repulsione è ridotta al minimo quando le coppie solitarie si trovano sui lati opposti dell'atomo centrale. Gli esempi seguenti illustrano l'uso della teoria VSEPR per prevedere la struttura molecolare di molecole o ioni che non hanno coppie solitarie di elettroni. In questo caso, la struttura molecolare è identica alla geometria della coppia di elettroni. === Esempio 1 === Prevedere la geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare per ciascuno dei seguenti elementi: (a) anidride carbonica, CO₂, una molecola prodotta dalla combustione di combustibili fossili. (b) tricloruro di boro, BCl₃, un importante prodotto chimico industriale. ==== Soluzione ==== (a) Scriviamo la struttura di Lewis della CO2 come: [[File:CO2_lewis.png|senza_cornice|120x120px]] Questo ci mostra due regioni ad alta densità elettronica attorno all'atomo di carbonio: ogni doppio legame conta come una regione e non ci sono coppie solitarie sull'atomo di carbonio. Utilizzando la teoria VSEPR, prevediamo che le due regioni di densità elettronica si dispongano sui lati opposti dell'atomo centrale con un angolo di legame di 180°. La geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare sono identiche e le molecole di CO₂ sono lineari. (b) Scriviamo la struttura di Lewis di BCl₃ come: [[File:BrCl3.png|150x150px|BrCl3]] Quindi vediamo che BCl₃ contiene tre legami e non ci sono coppie solitarie di elettroni sul boro. La disposizione di tre regioni ad alta densità elettronica dà una geometria planare trigonale della coppia di elettroni. I legami B–Cl giacciono su un piano con angoli di 120° tra di loro. BCl₃ ha anche una struttura molecolare planare trigonale.[[File:Boron-trichloride-2D.svg|centro|miniatura|264x264px|BCl₃ secondo la teoria vsepr]] La geometria delle coppie di elettroni e la struttura molecolare di BCl₃ sono entrambe planari trigonali. Si noti che la geometria VSEPR indica gli angoli di legame corretti (120°), a differenza della struttura di Lewis mostrata sopra. === Esercizio 1 === Lo ione carbonato CO₃^2-, è uno ione poliatomico comune presente in vari materiali, dai gusci d'uovo agli antiacidi. Quali sono la geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare di questo ione poliatomico? ==== Soluzione ==== La geometria della coppia di elettroni è planare trigonale e la struttura molecolare è planare trigonale. A causa della risonanza, tutti e tre i legami C–O sono identici. Che siano singoli, doppi o una media dei due, ciascun legame conta come una regione di densità elettronica. === Esempio 2 === Due dei 50 principali prodotti chimici prodotti negli Stati Uniti, il nitrato di ammonio NH₄⁺ e il solfato di ammonio, entrambi utilizzati come fertilizzanti, contengono lo ione ammonio. Prevedere la geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare del catione. ==== Soluzione ==== Scriviamo la struttura di Lewis di NH₄⁺[[File:Ione_ammonio_vsepr_1.png|centro|miniatura|Ione ammonio, struttura di Lewis]] Possiamo vedere che NH4+ contiene quattro legami dall'atomo di azoto agli atomi di idrogeno e nessuna coppia solitaria. Ci aspettiamo che le quattro regioni ad alta densità elettronica si dispongano in modo tale da puntare verso gli angoli di un tetraedro con l'atomo di azoto centrale al centro. Pertanto, la geometria della coppia di elettroni dello ione ammonio è tetraedrica e anche la struttura molecolare è tetraedrica [[File:Ione_ammonio_vsepr_2.png|centro|miniatura|Lo ione ammonio mostra una geometria della coppia di elettroni tetraedrica così come una struttura molecolare tetraedrica]] === Esercizio 2 === Identificare una molecola con struttura molecolare bipiramidale trigonale. ==== Soluzione ==== Qualsiasi molecola con cinque coppie di elettroni attorno agli atomi centrali che non includono coppie solitarie sarà bipiramidale trigonale. PF 5 è un esempio comune. ==== I prossimi esempi illustrano l'effetto delle coppie solitarie di elettroni sulla struttura molecolare. ==== === Esempio 3 === Prevedere la geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare di una molecola d'acqua. ==== Soluzione ==== [[File:Water-dimensions-from-Greenwood&Earnshaw-2D.svg|miniatura|354x354px|H₂O ha quattro regioni di densità elettronica attorno all'atomo centrale, quindi ha una geometria della coppia di elettroni tetraedrica. (b) Due regioni elettroniche sono coppie solitarie, quindi la struttura molecolare è piegata]] La struttura di Lewis dell'H₂O indica che ci sono quattro regioni ad alta densità elettronica attorno all'atomo di ossigeno: due coppie solitarie e due legami chimici: [[File:H2O.svg|senza_cornice|72x72px]]Prevediamo che queste quattro regioni siano disposte in modo tetraedrico. Pertanto, la geometria delle coppie di elettroni è tetraedrica e la struttura molecolare è piegata con un angolo leggermente inferiore a 109,5°. Infatti l’angolo di legame è 104,5°. === Esercizio 3 === Lo ione idronio, H₃O⁺, si forma quando gli acidi vengono disciolti in acqua. Prevedere la geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare di questo catione. ==== Soluzione ==== geometria della coppia elettronica: tetraedrica; struttura molecolare: piramidale trigonale === Esempio 4 === [[File:SF4_vsepr_1.png|sinistra|miniatura|206x206px|SF₄ struttura di Lewis]] Il tetrafluoruro di zolfo, SF₄, è estremamente prezioso per la preparazione di composti contenenti fluoro utilizzati come erbicidi (vale a dire, l'SF₄ viene utilizzato come agente fluorurante). Prevedere la geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare di una molecola di SF₄ . ==== Soluzione ==== La struttura di Lewis di SF₄ indica cinque regioni di densità elettronica attorno all'atomo di zolfo: una coppia solitaria e quattro coppie di legame: Ci aspettiamo che queste cinque regioni adottino una geometria trigonale bipiramidale di coppia di elettroni. Per ridurre al minimo le repulsioni delle coppie solitarie, la coppia solitaria occupa una delle posizioni equatoriali. La struttura molecolare è quella di un'altalena.[[File:SF4_vsepr_2.png|miniatura|437x437px|(a) SF₄ ha una disposizione bipiramidale trigonale delle cinque regioni di densità elettronica. (b) Una delle regioni è una coppia solitaria, che si traduce in una struttura molecolare a forma di altalena|centro]] === Esercizio 4 === Prevedere la geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare delle molecole di XeF₂ . ==== Soluzione ==== La geometria della coppia di elettroni è bipiramidale trigonale. La struttura molecolare è lineare. === Esempio 5 === Di tutti i gas nobili, lo xeno è il più reattivo e spesso reagisce con elementi come ossigeno e fluoro. Prevedere la geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare della molecola XeF₄ ==== Soluzione ==== La struttura di Lewis di XeF₄ indica sei regioni ad alta densità elettronica attorno all'atomo di xeno: due coppie solitarie e quattro legami. Queste sei regioni adottano una disposizione ottaedrica, che è la geometria della coppia di elettroni. Per ridurre al minimo le repulsioni, le coppie solitarie dovrebbero trovarsi sui lati opposti dell'atomo centrale. I cinque atomi sono tutti sullo stesso piano e hanno una struttura molecolare planare quadrata. === Esercizio 5 === In una certa molecola, l'atomo centrale ha tre coppie solitarie e due legami. Quale sarà la geometria della coppia di elettroni e la struttura molecolare? ==== Soluzione ==== geometria della coppia elettronica: bipiramidale trigonale; struttura molecolare: lineare === Struttura molecolare per molecole multicentriche === Quando una molecola o uno ione poliatomico ha un solo atomo centrale, la struttura molecolare descrive completamente la forma della molecola. Le molecole più grandi non hanno un singolo atomo centrale, ma sono collegate da una catena di atomi interni che possiedono ciascuno una geometria “locale”. Anche il modo in cui queste strutture locali sono orientate l'una rispetto all'altra influenza la forma molecolare, ma tali considerazioni vanno ampiamente oltre lo scopo di questa discussione introduttiva. Per i nostri scopi, ci concentreremo solo sulla determinazione delle strutture locali. === Esempio 6 === [[File:Glicina_lewis.png|sinistra|miniatura|309x309px|Glicina struttura di lewis]] Qui è mostrata la struttura di Lewis per l'amminoacido più semplice, la glicina. Prevedere la geometria locale per l'atomo di azoto, i due atomi di carbonio e l'atomo di ossigeno con un atomo di idrogeno attaccato: ==== Soluzione ==== [[File:Glicina_geometry.png|miniatura|300x300px|Glicina geometria molecolare]] Considera ciascun atomo centrale in modo indipendente. Le geometrie della coppia di elettroni: * azoto – quattro regioni di densità elettronica; tetraedrico * carbonio ( -CH2- ) - quattro regioni di densità elettronica; tetraedrico * carbonio ( -CO2 ): tre regioni di densità elettronica; planare trigonale * ossigeno ( OH ): quattro regioni di densità elettronica; tetraedrico Le strutture locali: * azoto – tre legami, un paio solitario; piramidale trigonale * carbonio ( CH2 ): quattro legami, nessuna coppia solitaria; tetraedrico * carbonio ( CO2 )—tre legami (il doppio legame conta come un legame), nessuna coppia solitaria; planare trigonale * ossigeno ( OH ): due legami, due coppie solitarie; piegato (109°) === Esercizio 6 === [[File:Alanina_lewis.png|miniatura|Alanina lewis]] Un altro amminoacido è l'alanina, che ha la struttura di Lewis mostrata qui. Prevedere la geometria della coppia di elettroni e la struttura locale dell'atomo di azoto, dei tre atomi di carbonio e dell'atomo di ossigeno con l'idrogeno attaccato: ==== Soluzione ==== geometrie della coppia di elettroni: azoto––tetraedrico; carbonio ( CH)—tetraedrico; carbonio ( CH3 )—tetraedrico; carbonio ( CO2 )—planare trigonale; ossigeno ( OH )—tetraedrico; strutture locali: azoto-piramidale trigonale; carbonio ( CH )—tetraedrico; carbonio ( CH3 )—tetraedrico; carbonio ( CO2 )—planare trigonale; ossigeno ( OH )—piegato (109°) === Esempio 7 === ==== Simulazione molecolare ==== L'uso del [http://openstax.org/l/16MolecShape simulatore di forma molecolare] (piattaforma PhET) ci consente di controllare come gli angoli di legame e/o le coppie solitarie vengono visualizzati selezionando o deselezionando le caselle sotto "Opzioni" a destra. Possiamo anche utilizzare le caselle "Nome" in basso a sinistra per visualizzare o nascondere la geometria della coppia di elettroni (chiamata "geometria elettronica" nel simulatore) e/o la struttura molecolare (chiamata "forma molecolare" nel simulatore). Costruisci la molecola HCN nel simulatore basandoti sulla seguente struttura di Lewis [[File:Hydrogen-cyanide-2D.svg|102x102px|Hydrogen-cyanide-2D]] Fai clic su ciascun tipo di legame o coppia solitaria a destra per aggiungere quel gruppo all'atomo centrale. Una volta ottenuta la molecola completa, ruotala per esaminare la struttura molecolare prevista. Di che struttura molecolare si tratta? ==== Soluzione ==== La struttura molecolare è lineare. === Esercizio 7 === Costruisci una molecola più complessa nel simulatore. Identificare la geometria del gruppo elettronico, la struttura molecolare e gli angoli di legame. Quindi prova a trovare una formula chimica che corrisponda alla struttura che hai disegnato. ==== Soluzione ==== Le risposte varieranno. Ad esempio, un atomo con quattro legami singoli, un doppio legame e una coppia solitaria ha una geometria del gruppo elettronico ottaedrico e una struttura molecolare piramidale quadrata. XeOF₄ è una molecola che adotta questa struttura. == Polarità molecolare e momento dipolare == Come discusso in precedenza, i legami covalenti polari collegano due atomi con diversa elettronegatività, lasciando un atomo con una carica parzialmente positiva (δ+) e l’altro atomo con una carica parziale negativa (δ–), poiché gli elettroni vengono attratti verso l’atomo più elettronegativo. . Questa separazione di carica dà origine ad un '''momento di dipolo di legame''' . L'entità del momento di dipolo di un legame è rappresentata dalla lettera greca mu ( ''µ'' ) ed è data dalla formula qui mostrata, dove Q è l'entità delle cariche parziali (determinata dalla differenza di elettronegatività) e r è la distanza tra le cariche : Questo momento di legame può essere rappresentato come un '''vettore''', una quantità avente sia direzione che grandezza ( Figura sotto). I vettori dipolo sono mostrati come frecce che puntano lungo il legame dall'atomo meno elettronegativo verso l'atomo più elettronegativo. Viene disegnato un piccolo segno più sull'estremità meno elettronegativa per indicare l'estremità parzialmente positiva del legame. La lunghezza della freccia è proporzionale all'entità della differenza di elettronegatività tra i due atomi. [[File:Momento_dipolare.png|centro|miniatura|528x528px|(a) C'è una piccola differenza nell'elettronegatività tra C e H, rappresentata come un vettore corto. (b) La differenza di elettronegatività tra B e F è molto maggiore, quindi il vettore che rappresenta il momento di legame è molto più lungo]] Un'intera molecola può anche avere una separazione di carica, a seconda della sua struttura molecolare e della polarità di ciascuno dei suoi legami. Se esiste una tale separazione di carica, si dice che la molecola è una '''molecola polare''' (o dipolo); altrimenti la molecola si dice non polare. Il '''momento dipolare''' misura l'entità della separazione netta di carica nella molecola nel suo insieme. Determiniamo il momento di dipolo sommando i momenti di legame nello spazio tridimensionale, tenendo conto della struttura molecolare. Per le molecole biatomiche, esiste un solo legame, quindi il suo momento dipolare di legame determina la polarità molecolare. Le molecole biatomiche omonucleari come Br₂ e N₂ non hanno differenze di elettronegatività, quindi il loro momento dipolare è zero. Per le molecole eteronucleari come la CO, c'è un piccolo momento dipolare. Per HF, c'è un momento di dipolo maggiore perché c'è una maggiore differenza di elettronegatività. Quando una molecola contiene più di un legame, è necessario tener conto della geometria. Se i legami in una molecola sono disposti in modo tale che i loro momenti di legame si annullano (la somma vettoriale è uguale a zero), allora la molecola è non polare. Questa è la situazione della CO₂ ( Figura 4.27 ). Ciascuno dei legami è polare, ma la molecola nel suo insieme è non polare. Dalla struttura di Lewis e utilizzando la teoria VSEPR, determiniamo che la molecola di CO₂ è lineare con legami polari C=O sui lati opposti dell'atomo di carbonio. I momenti di legame si annullano perché sono rivolti in direzioni opposte. Nel caso della molecola d'acqua ( Figura sotto), la struttura di Lewis mostra ancora una volta che ci sono due legami con un atomo centrale, e la differenza di elettronegatività mostra ancora una volta che ciascuno di questi legami ha un momento di legame diverso da zero. In questo caso, però, la struttura molecolare è piegata a causa delle coppie solitarie sull’O, e i due momenti di legame non si annullano. Pertanto, l'acqua ha un momento dipolare netto ed è una molecola polare (dipolo). [[File:Momento_dipolare_complessivo.png|centro|miniatura|404x404px|Il momento di dipolo complessivo di una molecola dipende dai singoli momenti di dipolo di legame e da come sono disposti. (a) Ciascun legame CO ha un momento dipolare di legame, ma puntano in direzioni opposte in modo che la molecola netta di CO 2 sia non polare. (b) Al contrario, l’acqua è polare perché i momenti dei legami OH non si annullano]] La molecola dell'OCS ha una struttura simile alla CO₂, ma un atomo di zolfo ha sostituito uno degli atomi di ossigeno. Per determinare se questa molecola è polare, disegniamo la struttura molecolare. La teoria VSEPR prevede una molecola lineare: Il legame CO è notevolmente polare. Sebbene C e S abbiano valori di elettronegatività molto simili, S è leggermente più elettronegativo di C, e quindi il legame CS è solo leggermente polare. Poiché l'ossigeno è più elettronegativo dello zolfo, l'estremità dell'ossigeno della molecola è l'estremità negativa. Il clorometano, CH₃Cl, è una molecola tetraedrica con tre legami CH leggermente polari e un legame C-Cl più polare. L'elettronegatività relativa degli atomi legati è H < C < Cl, quindi i momenti di legame puntano tutti verso l'estremità Cl della molecola e si sommano per produrre un considerevole momento dipolare (le molecole sono relativamente polari). Per molecole ad alta simmetria come BF₃ (trigonale planare), CH₄ (tetraedrico), PF₅ (bipiramidale trigonale) e SF₆ (ottaedrico), tutti i legami hanno la stessa polarità (stesso momento di legame) e sono orientati in geometrie che producono molecole non polari (il momento dipolare è zero). Molecole con minore simmetria geometrica, tuttavia, possono essere polari anche quando tutti i momenti di legame sono identici. Per queste molecole, le direzioni dei momenti di legame uguali sono tali che si sommano per dare un momento di dipolo diverso da zero e una molecola polare. Esempi di tali molecole includono idrogeno solforato, H₂S (non lineare), e ammoniaca, NH₃ (piramidale trigonale). [[File:SH2_e_NH3_polarità.png|centro|miniatura|389x389px|SH2 e NH3 polarità]] Riassumendo, per essere polare, una molecola deve: # Contengono almeno un legame covalente polare. # Hanno una struttura molecolare tale che la somma dei vettori di ciascun momento dipolare di legame non si annulla. == Esercizi == https://openstax.org/books/chemistry-atoms-first-2e/pages/4-exercises == Fonte == https://openstax.org/books/chemistry-atoms-first-2e/pages/4-6-molecular-structure-and-polarity [[Categoria:Chimica per il liceo|Geometria molecolare]] c93vrzc0v4agjbih60dgqrsfv7rb02x 0 57642 478121 477915 2025-06-25T12:20:38Z Monozigote 19063 /* PREFAZIONE */ avanz. 478121 wikitext text/x-wiki {{Ambox | immagine = [[File:Crystal Savoir-Faire.png|40px]] | immaginedestra= [[File:Wikilibraio.svg|60px|Wikilibraio]] | testo = '''LAVORI IN CORSO! - WORK IN PROGRESS!''' <br/>Testo in preparazione e di prossimo svolgimento — '''[[Utente:Monozigote|Monozigote]]''' ([[Discussioni utente:Monozigote|discussione]]) se ne sta occupando, ma è attualmente impegnato nello studio analitico del relativo materiale; non apportare modifiche, grazie. }}<noinclude>[[Categoria:Template di avviso|WIP]]</noinclude><includeonly>[[Categoria:WIP]]</includeonly> {{-}} <div style="text-align:center"> [[File:Wikibooks-logo.svg|40px|Wikibook]]<br/> ''Benvenuta/o nel wikibook:'' </div> <div style="text-align:center"><span style="font-size: 1.8em;">'''CONNESSIONI'''</span> <span style="font-size: 1.0em;">'''''EBRAISMO, ANTISEMITISMO E SHOAH'''''</span> <br/> {{-}} ''[[Serie delle interpretazioni|Nr. 28 della Serie delle interpretazioni]]'' {{-}} <span style="font-size: 1.25em;">''Autore:'' '''[[Utente:Monozigote|Monozigote]] 2025'''</span> {{-}} <br/> [[File:Leningrad Codex Folio 474a.jpg|600px|center|Leningrad Codex Folio 474a]] </div> == Indice == [[File:V08p532001 Mezuzah.jpg|150px|left|Connessioni]] [[File:V08p532001 Mezuzah.jpg|150px|right|Connessioni]] '''{{Modulo|Connessioni/Copertina|Copertina}}'''<br/> :☆ — {{Modulo|Connessioni/Introduzione|Introduzione: Chiarire le connessioni}} :;PARTE I – EBRAISMO :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 1|Capitolo 1: Cosa fa dell'ebreo un ebreo?}} :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 2|Capitolo 2: Lo straniero, mio ​​fratello}} :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 3|Capitolo 3: L'esilio e il movimento del ritorno}} :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 4|Capitolo 4: Una riflessione sul Messia}} :;PARTE II – ANTISEMITISMO :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 5|Capitolo 5: Il perché dell'antisemitismo}} :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 6|Capitolo 6: Parola, Sangue, Redenzione: l'essenza dell'antisemitismo}} :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 7|Capitolo 7: Antisionismo: un antisemitismo moralmente richiesto}} :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 8|Capitolo 8: Jihadismo islamico: l'eredità dell'antisemitismo nazista}} :;PARTE III – SHOAH :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 9|Capitolo 9: Il fondamento filosofico dell'Olocausto}} :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 10|Capitolo 10: Uccidere Dio}} :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 11|Capitolo 11: La rielaborazione nazista dell'immagine e della somiglianza: il ''Muselmann''}} :☆ — {{Modulo|Connessioni/Capitolo 12|Capitolo 12: Il recupero di un nome dopo l'aggressione al Nome: la testimonianza di diari e memorie}} '''{{Modulo|Connessioni/Bibliografia|Bibliografia scelta}}''' {{-}} == PREFAZIONE == {{Vedi anche|Interpretazione e scrittura dell'Olocausto|Shoah e identità ebraica|Il Chassidismo di Elie Wiesel|Storia e memoria}} Sebbene questo mio libro si basi su molti anni di ricerca su [[w:ebraismo|ebraismo]], [[w:antisemitismo|antisemitismo]] e [[Shoah|Olocausto]], si tratta, come suggerisce il titolo, più di una riflessione filosofica e religiosa che di un'indagine accademica, almeno nel senso comune del termine. Se l'integrazione di centinaia di testi e prove in un'analisi è il segno distintivo di ciò che potrebbe essere considerato "accademico", allora si tratta, a tutti gli effetti, di un'opera accademica. Ha un approccio interdisciplinare, che attinge a storia, religione, letteratura e filosofia. È, in un certo senso, il prodotto di una certa frustrazione, ovvero l'assenza di un serio impegno con l'ebraismo nello studio dell'antisemitismo e dell'Olocausto, quando è proprio l'ebraismo a definire chi sono gli ebrei. Nel mio lavoro, sia nello studio dell'antisemitismo che in quello della [[Olocausto]], sono sempre partito da una premessa che prende sul serio l'ebraismo. Anzi, alcuni lettori mi accusano di prenderlo un po' troppo sul serio. Ho scoperto che non solo esiste una forma di studi sull'Olocausto ''Judenrein'' – quelli che chiamo studi sull'Olocausto senza Olocausto – ma esiste anche il fenomeno degli studi sull'antisemitismo senza gli ebrei. Si tratta di studi che ridurrebbero l'antisemitismo a un altro caso di razzismo o bigottismo, offrendo spiegazioni sociologiche, storiche, culturali o psicologiche, tutte cose che, a mio avviso, ignorano l'Eterno nell'Eterno Ebreo, quelle che chiamo le origini metafisiche dell'antisemitismo, radicate nell'ebraismo. Per ebraismo non mi riferisco alla causa, ma al bersaglio, ovvero l'insegnamento e la testimonianza millenari del popolo ebraico che l'antisemita vorrebbe eliminare dal mondo. Questo, credo, contribuisce a spiegare l'assenza di sovrapposizione tra gli studiosi che si occupano dei due campi di studio, minimizzando l'ebraismo, la [[Torah]], che definisce gli ebrei. In ogni caso, molti di noi rifuggono dagli insegnamenti della Torah che ci impongono un giudizio. Da qui, a mio avviso, la necessità di queste riflessioni sulle connessioni. Una caratteristica importante del wikilibro, che lo distingue dagli altri, risiede nella matrice di interconnessioni tra i Capitoli. I quattro Capitoli di ciascuna delle tre Sezioni/Parti del testo sono disposti in una sequenza parallela, che va dalle origini metafisiche alle caratteristiche distintive, quindi dalle sfide fondamentali ai risultati finali. Ciò è visibile nello schema seguente, che scorre i Capitoli in ordine verticale, dall'1 al 4, dal 5 all'8 e dal 9 al 12. Poiché i Capitoli di ciascuna Sezione sono disposti in modo parallelo, possono anche essere letti orizzontalmente, procedendo da sinistra a destra: <center> {| class="wikitable" |- | [[Connessioni/Capitolo 1|1: Cosa fa dell'ebreo un ebreo?]] || [[Connessioni/Capitolo 5|5: Il perché dell'antisemitismo]] || [[Connessioni/Capitolo 9|9: Filosofia e Olocausto]] |- | [[Connessioni/Capitolo 2|2: Lo straniero, mio ​​fratello]] || [[Connessioni/Capitolo 6|6: Parola, Sangue, Redenzione]] || [[Connessioni/Capitolo 10|10: Assalto a Dio]] |- | [[Connessioni/Capitolo 3|3: Esilio e ritorno]] || [[Connessioni/Capitolo 7|7: Antisionismo]] || [[Connessioni/Capitolo 11|11: Il ''Muselmann'']] |- | [[Connessioni/Capitolo 4|4: Il Messia]] || [[Connessioni/Capitolo 8|8: Antisemitismo jihadista]] || [[Connessioni/Capitolo 12|12: Il recupero del Nome]] |} </center> La questione di cosa renda gli ebrei ebrei è legata al perché dell'antisemitismo, che a sua volta è legato alle categorie filosofiche di pensiero che hanno contribuito all'Olocausto. Lo status dello straniero è connesso all'appropriazione della Parola Sacra e alla purezza del sangue che caratterizza l'antisemitismo; l'attacco allo straniero e alla parola si manifesta nell'Olocausto stesso come un attacco al Santo. La condizione dell'esilio e il ritorno a Sion costituiscono il contesto dell'antisionismo; poiché il ritorno a Sion è un ritorno alla Torah che "uscirà da Sion" ({{passo biblico2|Isaia|2:3}}), esso è un'affermazione della dignità dell'essere umano, che è stata sottoposta a un attacco radicale nella creazione del ''[[w:Muselmann|Muselmann]]''. E la venuta del Messia è parallela alla visione escatologica dei [[w:jihādismo|jihadisti]], poiché il popolo ebraico si trova di fronte a un recupero dell'identità ebraica e del Santo Nome all'indomani della [[Shoah]]. Pertanto, questo mio libro può essere letto sia verticalmente che orizzontalmente, come indicato nella succitata matrice. Ancora una volta, lo studio è caratterizzato tanto dalla riflessione e dall'esplorazione quanto dalla risoluzione e dall'argomentazione, tanto dalla ricerca e dalle domande quanto dalle spiegazioni e dalle risposte. Se posso rivolgermi anche qui all'ebraismo, abbiamo un insegnamento secondo cui Dio dimora nell’''el'' della ''shelah'' (שֶׁלַח), della "domanda", e non nelle formule fisse o nelle risposte pronte che potrebbero risolvere le cose. Non c'è alcun ''[[w:Come volevasi dimostrare|QED]]'' qui, nessun ''quod erat demonstrandum''. Formule fisse e risposte pronte caratterizzano il discorso dell'antisemitismo che appartiene agli assoluti del pensiero jihadista e che trova la sua Soluzione Finale nell'Olocausto. Pertanto, in linea con questo insegnamento della tradizione, la mia speranza è che queste riflessioni siano più inquietanti che rassicuranti. Perché non c'è incontro con la Verità che non si traduca in un turbamento del testimone. {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Identità e letteratura nell'ebraismo del XX secolo}} {{Nota |allineamento = centro |larghezza = 100% |titolo = [[Image:PD-icon.svg|20px|Public domain]] Sotto lo pseudonimo [[Utente:Monozigote|Monozigote]] rilascia in dominio pubblico tutti i suoi scritti su Wikibooks [[File:Wikibooks-logo-it.svg|20px|Wikibooks]] |contenuto = Si consiglia questo ''wikilibro'' a lettori con buona conoscenza dell'[[w:ebraismo|ebraismo]] e delle lingue {{Lingue|de|el|en|es|fr|he|la|yi}}. Le citazioni estese in queste lingue sono lasciate nell'originale — nel caso di problemi nella visualizzazione dei caratteri nel testo, si consulti la pagina [[Aiuto:Unicode|Unicode]]. }} [[Categoria:Connessioni]] [[Categoria:Serie delle interpretazioni]] [[Categoria:Serie misticismo ebraico]] [[Categoria:Filosofia]] [[Categoria:Religione]] [[Categoria:Sociologia]] [[Categoria:Storia]] [[Categoria:Dewey 120]] [[Categoria:Dewey 188]] [[Categoria:Dewey 296]] [[Categoria:Dewey 390]] {{alfabetico|C}} {{Avanzamento|75%|25 giugno 2025}} ngxk5kjv2mg2csm5s05zwwlhzl74dgc 0 57685 478119 478118 2025-06-25T12:17:41Z Monozigote 19063 /* Cosa significa? */ testo+compl. 478119 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|Yellow Badge.jpg|750px|Questa immagine contiene i nomi di {{FORMATNUM:1692}} vittime della [[Shoah]], dal database centrale dello [[w:Yad Vashem|Yad Vashem]]. Il ragazzo nell'immagine è tratto dalla famosa fotografia del [[c:File:Stroop Report - Warsaw Ghetto Uprising 06.jpg|Ghetto di Varsavia]]}} == Jihadismo islamico: l'eredità dell'antisemitismo nazista == La Prima guerra mondiale fu una catastrofe globale. Lasciò l'umanità inondata da un mare di sangue, disperazione, vuoto e caos. La devastazione non risiedeva solo nel numero senza precedenti di vittime – fino a 22 milioni di morti e 23 milioni di feriti – ma anche nel radicale capovolgimento della realtà stessa. L'umanità aveva assunto una capacità di uccidere mai vista prima, i preconcetti sulla decenza umana crollarono e ogni nozione di progresso razionale e morale fu mandata completamente in bancarotta. La sofferenza diffusa, sia fisica che spirituale, era percepita non solo come orribile, ma anche come priva di significato. Come spiegare un così profondo e universale sconvolgimento di verità, comprensione e valori? Ma con gli ebrei, ovviamente! È tutto qui, ne ''I Protocolli dei Savi di Sion'', la cui diffusione divenne virale all'indomani della Prima guerra mondiale, con l'edizione in lingua tedesca pubblicata nel 1919, l'edizione in lingua inglese negli Stati Uniti e in Gran Bretagna nel 1920,<ref>[[w:Yehuda Bauer|Yehuda Bauer]], ''A History of the Holocaust'', ediz. riv. (New York: Franklin Watts, 2002), 53.</ref> e la traduzione in lingua araba nel 1921.<ref>Cfr. [[:en:w:Binjamin W. Segel|Binjamin W. Segel]], ''A Lie and a Libel: The History of The Protocols of the Elders of Zion'', trad. & cur. [[:en:w:Richard S. Levy|Richard S. Levy]] (Lincoln: University of Nebraska Press, 1995), xii.</ref> Poiché la devastazione e l'orrore erano globali, l'antisemitismo assunse una portata globale. Non solo gli ebrei erano odiati localmente, ma ora erano visti come una minaccia autenticamente universale, cosmica. E il rimedio doveva essere altrettanto universale. Assumendo dimensioni globali, l'odio millenario verso gli ebrei assunse presto un aspetto sterminazionista che divenne un principio fondamentale del nazionalsocialismo: non si poteva essere nazisti senza abbracciare questa direttiva fondamentale dello sterminio. Non poteva esserci altra soluzione alla minaccia cosmica rappresentata dagli ebrei e dall'ebraismo se non questa Soluzione Finale. Già nel 1922 Adolf Hitler dichiarò a un giornalista tedesco di nome Josef Hell: "Una volta al potere, il mio primo e principale compito sarà l'annientamento degli ebrei".<ref>Citato in Stephen E. Atkins, ''Holocaust Denial as an International Movement'' (Westport, CT: Praeger, 2009), 29.</ref> Dieci anni dopo, disse a Hermann Rauschning (1887-1982) che la sua missione nella vita come Führer era quella di distruggere il "Dio tirannico degli ebrei" e i Suoi "Dieci Comandamenti che negano la vita".<ref>Citato in Dennis Prager e Joseph Telushkin, ''Why the Jews? The Reason for Antisemitism'' (New York: Simon & Schuster, 2003), 16.</ref> L'oggetto dello sterminio nazista, quindi, non erano solo gli ebrei, ma anche l'insegnamento e la testimonianza dell'ebraismo – il Santo Stesso – che gli ebrei portano nel mondo. Qui ci rendiamo conto di cosa è ''anti-'' nell'antisemita nazista, e anche di cosa l'antisemita sterminazionista, nazista o jihadista, cerca di sterminare nello sterminio degli ebrei. Abbiamo notato che al centro della tradizione ebraica che i nazisti si proponevano di sradicare c'è una certa comprensione dell'essere umano; in effetti, l'attacco a Dio assume sempre la forma di un attacco alla nozione stessa di essere umano. Al centro dell'ebraismo c'è la visione che l'essere umano sia l'inserimento di qualcosa di più grande di tutto ciò che esiste nel mezzo di tutto ciò che esiste. Pertanto, un essere umano non è riducibile alle casualità di razza, genere, cultura o etnia; né l'essere umano è giustificato dalla ragione, dalla determinazione o dal potere. Creato a immagine e somiglianza del Santo, ''ogni'' essere umano ospita la presenza del Santo, che santifica tutto l'essere da oltre l'essere. Egli o Ella santifica ciascuno e tutti attraverso il comandamento assoluto di amare l’''altro'' essere umano, il prossimo e lo straniero allo stesso modo. ''Ogni'' essere umano, inoltre, è mio simile: tutta l'umanità è interrelata, fisicamente attraverso Adamo e metafisicamente attraverso il Creatore. Né un caso naturale né un credo ideologico possono determinare la sacralità di tale relazione, e nessun insegnamento potrebbe essere più ostile al nazionalsocialismo o al jihadismo islamico. Il primo afferma che non vi è alcun legame tra ariano e non-ariano, e il secondo insiste sul fatto che non vi è alcun legame tra credente e noncredente, men che meno tra i credenti e i "figli di maiali e scimmie", come il Profeta descrive gli ebrei (cfr. [https://sufi.it/il-sacro-corano/5-surat-al-maida/ Corano 5:60]). L'ariano è l'essere umano perfetto, separato da tutta l'umanità, giustificato da una volontà di potenza che trascende i comandamenti "che negano la vita" venuti nel mondo attraverso gli ebrei. Allo stesso modo, al credente jihadista è garantito un posto in paradiso, e tutti coloro che rifiutano la vera fede dell'Islam vengono consegnati al Fuoco ([https://sufi.it/il-sacro-corano/3-surat-al-imran/ Corano 3:131]). Più che una categoria biologica o antropologica, la "razza" per i nazisti è una categoria ''metafisica''. Nell'ideologia nazista la nozione di razza non è riducibile al colore della pelle o alla fisionomia; piuttosto, è una categoria ideologica in cui corpo e anima, biologia ed essere, si fondono in un tutt'uno. La categoria ha un nome: ''Rassenseele''. Spiegando il concetto nazista di ''Rassenseele'' o "razza-anima", [[w:Alfred Rosenberg|Alfred Rosenberg]] scrive: "Anima significa razza vista dall'interno. E, viceversa, razza è l'esteriorizzazione dell'anima".<ref>Alfred Rosenberg, ''Race and Race History and Other Essays'', ed. Robert Pais (New York: Harper & Row, 1974), 34.</ref> Se la razza può essere vista dall'interno, allora non è riducibile a nessuna manifestazione esteriore come il colore della pelle o la consistenza dei capelli; è ''concettuale'' e quindi un'astrazione. "Questo atteggiamento eroico [del nazionalsocialismo]", afferma Rosenberg, "si discosta dalla ''singola'' ma ''assolutamente'' decisiva ammissione, ''vale a dire dall'ammissione che sangue e carattere, razza e anima sono semplicemente designazioni diverse per la stessa entità''".<ref>Citato in Max Weinreich, ''Hitler’s Professors: The Part of Scholarship in Germany’s Crimes Against the Jewish People'' (New Haven, CT: Yale University Press, 1999), 26.</ref> Se il carattere e l'anima degli ebrei sono nel loro sangue, allora lo è anche l'ebraismo, o almeno l'inclinazione verso l'ebraismo. Pertanto, la minaccia ebraica all'umanità "non cambierebbe", spiega Rosenberg, "se l'ebreo negasse il Talmud, perché il carattere nazionale, che rimane lo stesso, continuerebbe a rappresentare un punto di vista altrettanto inflessibile e dogmatico in altri ambiti".<ref>Rosenberg, ''Race and Race History'', 183.</ref> Con il carattere nel sangue e il sangue nell'anima, l'ebreo rappresenta una minaccia ''essenziale'' all’''essenza'' ariana. L'ebreo è, come dichiararono i nazisti, la malattia che minaccia il corpo dell'umanità dall'interno, il che rende l'ebreo una minaccia ''patologica''. Nel 1935 la rivista dell'Associazione dei Medici Tedeschi affermava: "Proprio come il corpo umano non assorbe i germi della tubercolosi nel suo organismo generale, così una società naturale e omogenea non può assorbire gli ebrei nella sua associazione organica".<ref>Citato in H. H. Ben-Sasson, ed., ''A History of the Jewish People'' (Cambridge: Harvard University Press, 1976), 1019.</ref> Allo stesso modo, il leader di Hezbollah, Hassan Nasrallah, prese in prestito la metafora di Hitler sugli ebrei e l'ebraismo come malattia,<ref>Adolf Hitler, ''Mein Kampf'', trad. Ralph Manheim (Boston, MA: Houghton Mifflin, 1971),233.</ref> affermando che gli ebrei sono una "crescita cancerosa e un microbo dannoso, un'entità senza confini".<ref>Hassan Nasrallah, ''Voice of Hezbollah: The Statements of Sayyed Hassan Nasrallah'', trad. Ellen Khouri, ed. Nicholas Noe (London: Verso, 2007), 189.</ref> Ogni ebreo è portatore del contagio dell'ebraismo, quindi lo sterminio degli ebrei deve essere totale, il che conferisce una dimensione apocalittica alla lotta: se "l'ebreo è vittorioso sugli altri popoli del mondo", dichiarò Hitler, "la sua corona sarà la corona funebre dell'umanità".<ref>Hitler, ''Mein Kampf'', 65.</ref> Nella lotta dei nazisti contro gli ebrei e l'ebraismo, Hitler, come i jihadisti, è il salvatore dell'umanità, che muove guerra a un male satanico. Si tratta, infatti, di una guerra santa condotta contro il Dio satanico degli ebrei. La natura metafisica della nozione nazista di razza-anima rende la categoria di ''Rassenseele'' molto meno estranea e persino gradita all'Islam. Mentre l'Islam rifiuta il razzismo basato sul colore, predica una certa segregazione basata sul credo: secondo la ''Sharia'', o legge islamica, ai non-musulmani di ogni livello viene negata la considerazione concessa ai musulmani, poiché "Dio non ama i miscredenti" ([https://sufi.it/il-sacro-corano/3-surat-al-imran/ Corano 3:32]). Naturalmente, contrariamente alla visione nazista secondo cui un non-ariano non può diventare ariano, l'Islam insegna che, in linea di principio, qualsiasi non-musulmano può diventare musulmano. Quando si tratta di odio verso gli ebrei, tuttavia, il moderno jihadismo islamico ha più in comune con l'ideologia nazista che con l'insegnamento musulmano tradizionale. "Proprio come il [[w:Partito del Giovane Egitto|movimento del Giovane Egitto]] prese a prestito dal ''Nationalsozialistische Deutsche Arbeiterpartei (NSDAP)''", osserva [[:en:w:Laurent Murawiec|Laurent Murawiec]], "così il movimento islamista radicale nel suo complesso [prese a prestito] il suo razzismo e antisemitismo. Questo includeva il sostegno alla filosofia nazista [e] la propaganda ferocemente antiebraica nella stampa di partito. [Così] gli estremisti islamici acquisirono la perversa forma moderna di razzismo, razzismo biologico e teoria razziale".<ref>Laurent Murawiec, ''The Mind of Jihad'' (Cambridge, UK: Cambridge University Press, 2008), 255 – mia trad.</ref> In questa forma specificamente razzista di odio verso gli ebrei, in cui la razza non è solo una categoria biologica ma anche metafisica, i jihadisti non solo sono paralleli ai nazisti, ma li imitano. Sayyid Qutb, l'ideologo più influente dei Fratelli Musulmani e del jihadismo islamico, sosteneva che "gli ebrei erano ''per natura'' determinati a combattere la Verità di Allah e a seminare corruzione e confusione",<ref>Citato in Ronald L. Nettler, ''Past Trials and Present Tribulations: A Muslim Fundamentalist’s View of the Jews'' (Oxford, UK: Pergamon, 1987), 35; corsivo aggiunto.</ref> che la "passione degli ebrei di controllare gli altri" era una "forza trainante del loro ''carattere nazionale''"<ref>''Ibid.'', 37–38; corsivo aggiunto.</ref> e che "la causa più profonda dell'odio ebraico per l'Islam era la ''malevola natura ebraica''".<ref>''Ibid.'', 44; corsivo aggiunto.</ref> Come i nazisti, che comprendevano che il male ebraico risiedeva nell'essenza ebraica, l'obiettivo dei jihadisti "is not simply to morally delegitimize Israel as a Jewish State and a national entity in the Middle East, but to dehumanize Judaism and the Jewish people as such".<ref>Kenneth R. Timmerman, ''Preachers of Hate: Islam and the War on America'' (New York: Three Rivers Press, 2004), 63.</ref> Una volta disumanizzato, l'ebreo è facilmente considerato malvagio. Una volta considerati malvagi, agli ebrei non può essere concessa la stessa possibilità di conversione che è aperta al resto dell'umanità. In quanto fonte di ogni male, gli ebrei possono solo essere sradicati. Mentre il Führer si nascondeva nel suo bunker e si preparava al suicidio, scrisse il suo ultimo testamento politico. Concluse le sue ultime parole scritte con un appello al mondo affinché continuasse a "resistere senza pietà all'avvelenatore di tutte le nazioni, l'ebraismo internazionale",<ref>Citato in David Welch, ''Hitler'' (London: UCL Press, 1998), 97.</ref> un appello ascoltato con la massima attenzione e sistematicità dai jihadisti islamici. Ai nostri fini, ci concentreremo su uno dei gruppi jihadisti più noti al mondo, il [[w:Hamas|Movimento Islamico di Resistenza (Harakat al-Muqawama al-Islamiya)]], più comunemente noto con l'acronimo [[w:Hamas|Hamas]]. Prima di passare ad Hamas, tuttavia, è necessario spendere qualche parola sulla [[w:Fratelli Musulmani|Fratellanza Musulmana]] da cui Hamas ha origine e su [[w:Amin al-Husseini|Haj Amin al-Husseini]], la chiave dei legami che uniscono Hitler ad Hamas. === Fratellanza Musulmana: il canale chiave === Fondamentale per l'adesione jihadista all'antisemitismo nazista è la Fratellanza Musulmana. Nel marzo del 1928 Hasan al-Banna e altri cinque fondarono la Fratellanza e ne redassero il credo: "Allah è il nostro obiettivo. Il Profeta è la nostra guida. Il Corano è la nostra legge. Jihad è la nostra via. La morte al servizio di Allah è il nostro desiderio più alto". Ispirato da Hitler, al-Banna affermò di aver imparato dal Führer il potere della propaganda nella lotta contro gli ebrei,<ref>Hasan al-Banna, ''Five Tracts of Hasan al-Banna: A Selection from the Majmuat Rasail al-Imam al-Shahid Hasan al-Banna'', trad. Charles Wendell (Berkeley: University of California Press, 1978), 45–46.</ref> come mezzo non di persuasione ma di incitamento, l'istigazione all'odio contro gli ebrei.<ref>Hitler, ''Mein Kampf'', 632.</ref> Con l'ascesa della Fratellanza, [[w:Bernard Lewis|Bernard Lewis]] (1916-2018) osserva: {{citazione|To an astonishing degree the ideas, literature, even the crudest inventions of the Nazis and their predecessors have, so to speak, been internalized and Islamicized. The major themes – the ''Protocols'', the invented Talmud quotations, ritual murder, the hatred of mankind, the Masonic and the rest of the conspiracy theories, poisoning the wells and taking over the world – remain; but they are given an Islamic, even a Quranic twist.|Bernard Lewis, ''Semites and Anti-Semites: An Inquiry into Conflict and Prejudice'' (New York: W. W. Norton, 1986), 267}} Un'opera che dimostra la precoce influenza dei nazisti sui jihadisti è ''Escape from Baghdad'' (1938) di [[:en:w:Carl Raswan|Carl Raswan]]. Viaggiatore tedesco celebre ai suoi tempi, Raswan riferì di aver incontrato intensi sentimenti filo-nazisti tra gli arabi, che gli dissero: "Stiamo imparando da Mussolini e Hitler".<ref>Carl Raswan, ''Escape from Baghdad'', ediz. facsimile (New York: George Olms, 1978), 137.</ref> E così fecero. Ispirati dai nazisti, i jihadisti di tutta la regione non solo imitarono la forma tedesca di odio verso gli ebrei, ma la amplificarono. [[:en:w:Łukasz Hirszowicz|Łukasz Hirszowicz]] sottolinea che la collaborazione arabo-nazista non avvenne solo a livello politico e militare, ma soprattutto a livello ideologico: più che a un processo di imitazione, osserviamo un processo di inculcazione ed elaborazione. In una visita a Berlino nel 1937, "Dr. Said Abdel-Fattah Iman of the Damascus Arab Club proposed, inter alia, to promote National Socialist ideology among the Arabs and Muslims generally".<ref>Lukasz Hirszowicz, ''The Third Reich and the Arab East'' (London: Routledge & Kegan Paul, 1966), 35–36.</ref> Nel maggio 1937, "on the occasion of the observance of Mohammed’s birth, German and Italian flags were displayed [in Palestine] as well as portraits of Hitler and Mussolini".<ref>''Ibid.'', 27.</ref> Assistendo a una tale dimostrazione di sostegno musulmano all’agenda nazista, il 1° giugno 1937, il ministro degli Esteri tedesco, [[w:Konstantin von Neurath|Konstantin von Neurath]] (1873–1956), dichiarò che la Germania "ha interesse a rafforzare il mondo arabo come contrappeso contro un possibile aumento di potere dell’ebraismo mondiale".<ref>''Ibid.'', 30.</ref> Confermando che l’odio per gli ebrei costituiva il legame comune tra tedeschi e musulmani, l’edizione del 9 gennaio 1938 del quotidiano arabo ''Al-Jamia al-Islamiyya'' commentò: "Molti arabi considerano la Germania un'amica degli arabi. Questa amicizia è forse il risultato dell'odio tedesco per gli ebrei".<ref>''Ibid.'', 42.</ref> Più tardi quello stesso anno, il 16 ottobre, il ''New York Times'' pubblicò un articolo di Harold Callender, il quale riportava: "the Nazi press this week gave vent to an outburst of sympathy for the Arabs in Palestine who were reported to be forming a ‘free corps’ on the Sudeten German model, in order to ‘fight against Judaism.’".<ref>Joseph B. Schechtman, ''The Mufti and the Fuehrer: The Rise and Fall of Haj Amin el-Husseini'' (New York: Thomas Yoseloff, 1965), 81.</ref> L'uso del termine ''free corps'' è un ovvio riferimento ai ''Freikorps'', un gruppo di tedeschi disillusi del dopoguerra da cui emerse il Partito Nazista nel 1920. Qui vediamo il passaggio dal parallelismo all'influenza: ancora una volta, non solo i Fratelli e gli altri musulmani imitavano i tedeschi, ma stavano anche imparando da loro. "The close and at times active relationship that developed between Nazi Germany and sections of the Arab leadership, in the years from 1933 to 1945", scrive Lewis, "was due not to a German attempt to win over the Arabs but rather to a series of Arab approaches to the Germans".<ref>Lewis, ''Semites and Anti-Semites'', 140.</ref> Le unità militari jihadiste adottarono la marcia a passo d'oca, come anche il saluto nazista, e continuano a usarli ancora oggi, come testimoniano le scene dei raduni di Hezbollah e delle parate militari iraniane. I primi telegrammi di congratulazioni a Hitler per la sua nomina a Cancelliere, il 30 gennaio 1933, provenivano da arabi musulmani. Quando le Leggi di Norimberga furono approvate il 15 settembre 1935 e i nazisti iniziarono a confiscare le proprietà ebraiche, ricevettero altri telegrammi simili da tutto il mondo arabo islamico. Se i nazisti continuarono a consentire e persino a incoraggiare l'emigrazione ebraica in Palestina, fu perché erano convinti che gli arabi li avrebbero sterminati.<ref>Cfr. Timmerman, ''Preachers of Hate'', 104.</ref> Con l'avvento della [[w:Grande rivolta araba|Rivolta Araba in Palestina]] nel 1936-39, la Fratellanza inviò le proprie unità militari in Palestina e il numero dei suoi membri aumentò da 800 a oltre 2000. Dal 1935 in poi, inviarono delegazioni ai raduni nazisti a Norimberga. Nel 1938 guidarono manifestazioni contro gli ebrei egiziani e tennero la Conferenza Parlamentare per i Paesi Arabi e Musulmani al Cairo, dove distribuirono traduzioni in arabo del ''Mein Kampf'' e dei ''Protocolli dei Savi di Sion''. Nel 1939 la Fratellanza bombardò una sinagoga del Cairo e alcune case di ebrei. Con lo scoppio della guerra, i nazisti godettero del loro pieno appoggio. Nel 1941 [[w:Anwar al-Sadat|Anwar Sadat]] si unì all'organizzazione militare della Fratellanza e nel 1943 fu arrestato come spia nazista. Quando [[w:Fārūq I d'Egitto|re Farouk]] concesse asilo al criminale di guerra nazista Haj Amin al-Husseini il 20 giugno 1946, al-Banna e la Fratellanza acclamarono l'ex Mufti di Gerusalemme come un eroe e un grande jihadista. Infatti, al-Banna dichiarò che "in Berlin he [al-Husseini] had been carrying out jihad [just as the Nazis had done]".<ref>Citato in Matthias Küntzel, ''Jihad and Jew-Hatred: Islamism, Nazism and the Roots of 9/11'', trad. Colin Meade (New York: Telos Press, 2007), 46.</ref> Al-Husseini incontrò anche Sayyid Qutb, l'uomo che sarebbe diventato il più influente ideologo jihadista della Fratellanza. In al-Husseini, quindi, abbiamo una chiave importante per trasmettere l'eredità dell'antisemitismo nazista al jihadismo islamico. === Il jihadista nazista === Haj Amin al-Husseini salì al potere grazie a un atto di pacificazione britannico, dopo essere stato processato in contumacia e riconosciuto colpevole di aver incitato alle rivolte in Palestina nel 1920; nel tentativo di calmare la popolazione araba, il governatore del mandato britannico [[w:Herbert Samuel|Herbert Samuel]] (1870-1963) lo nominò Mufti di Gerusalemme l'8 maggio 1921. Tra le prime azioni del neo-nominato Mufti ci fu una dichiarazione di jihad contro gli inglesi e gli ebrei.<ref>David G. Dalin e John F. Rothman, ''Icon of Evil: Hitler’s Mufti and the Rise of Radical Islam'' (New York: Random House, 2008), 131.</ref> Il 31 marzo 1933, effettuò la sua prima visita ufficiale al nuovo console generale nazista tedesco Heinrich Wolff a Gerusalemme. Nel 1935 incontrò per la prima volta Abdul Rahman al-Banna, fratello di Hasan al-Banna; iniziò così una relazione a lungo termine tra il Mufti e la Fratellanza Musulmana. Hirszowicz sostiene che l'ideologia dei Fratelli Musulmani "svolse un ruolo importante nella rivolta palestinese del 1936-39".<ref>Hirszowicz, ''The Third Reich and the Arab East'', 13.</ref> Il Mufti aveva un rapporto così stretto con i nazisti che questi gli fornirono fondi per scatenare la rivolta araba del 1936-39. [[:en:w:Matthias Küntzel|Matthias Küntzel]] osserva che la rivolta "si svolse sullo sfondo della svastica; le organizzazioni giovanili... sfilavano come ‘naziscout’ e i bambini arabi si salutavano con il saluto nazista".<ref>Matthias Küntzel, "National Socialism and Anti-Semitism in the Arab World", ''Jewish Political Studies Review 17 (Spring 2005)''.</ref> Per scongiurare l'idea che l'antisemitismo, fondamento del nazionalsocialismo, potesse includere gli arabi, il Ministero degli Esteri tedesco dichiarò nel 1936 che "le leggi razziali di Norimberga sono rivolte solo agli ebrei"<ref>Jeffrey Herf, ''Nazi Propaganda for the Arab World'' (New Haven, CT: Yale University Press, 2009), 19.</ref> e non agli arabi. Il 2 ottobre 1937, al-Husseini incontrò il vice di Adolf Eichmann, Herbert Hagen, per discutere di ulteriori modi in cui il Mufti avrebbe potuto contribuire agli obiettivi nazisti contro gli ebrei in Medio Oriente. Il 13 ottobre, nuovamente ricercato dagli inglesi per aver incitato alla rivolta araba, al-Husseini fuggì dalla Palestina. Due anni dopo, ormai ufficialmente al soldo dei nazisti, al-Husseini stabilì una base operativa a Baghdad, dove il 3 aprile 1941 guidò un colpo di stato contro il governo iracheno sostenuto dagli inglesi. Il 9 maggio, in un discorso radiofonico, annunciò una jihad contro gli inglesi e gli ebrei.<ref>Schechtman, ''The Mufti and the Fuehrer'', 110.</ref> Entro la fine di maggio, tuttavia, gli inglesi avevano represso il colpo di stato. Al-Husseini fuggì a Teheran, ma non prima di aver organizzato il massacro di 600 ebrei a Baghdad il 1° giugno 1941, in un'azione nota come Farhud.<ref>Lewis, ''Semites and Anti-Semites'', 158.</ref> Da Teheran il Mufti si recò a Roma, e da Roma a Berlino, dove ebbe il suo primo incontro con il Führer il 28 novembre 1941. E scrisse nelle sue memorie: {{citazione|Our fundamental condition for cooperating with Germany was a free hand to eradicate every last Jew from Palestine and the Arab world. I asked Hitler for an explicit undertaking to allow us to solve the Jewish problem in a manner befitting our national and racial aspirations and according to the scientific methods innovated by Germany in the handling of its Jews. The answer I got was: “The Jews are yours.”|Citato in Ami Isseroff e Peter Fitzgerald-Morris, "The Iraq Coup Attempt of 1941, the Mufti, and the Farhud", ''Mideast Web''}} Ancora una volta scopriamo il legame tra nazionalsocialismo e jihadismo islamico, sia come influenza che come affinità. Poco dopo il suo incontro con Hitler, al-Husseini incontrò Eichmann, che gli comunicò il piano per la "Soluzione Finale della Questione Ebraica in Europa",<ref>Klaus Gensicke, ''Der Mufti von Jerusalem, Amin el-Husseini, und die Nationalsozialisten'' (Frankfurt am Main: Peter Lang, 1988), 165; mia trad.</ref> un piano che ben si adattava non solo al desiderio di al-Husseini di annientare gli ebrei, ma anche al suo obiettivo di Mufti di portare la salvezza a tutti i veri credenti dell'Islam, poiché aveva sempre predicato che uccidere gli ebrei compiace Allah ed è essenziale per la salvezza. Se compiace Allah, allora per Hamas e altri jihadisti islamici, uccidere gli ebrei non significa "liberare la Palestina", cacciare un "oppressore" o persino vendicarsi. Si tratta di servire Dio, ed è inevitabile. Proprio come un nazista non può essere un vero nazista senza assassinare ebrei, così un jihadista islamico non può essere un vero jihadista senza assassinare ebrei. Il biglietto per il paradiso del jihadista è un ebreo morto. Perché un ebreo morto compiace Allah. Già nel gennaio del 1941, il ''Grossmufti'', come lo chiamavano i tedeschi, si era recato in Bosnia per convincere i leader musulmani che una divisione SS musulmana avrebbe portato onore e gloria ai seguaci dell'Islam. [[w:David Gil Dalin|David Dalin]] e [[:en:w:John Rothmann|John Rothmann]] stimano che al-Husseini abbia reclutato fino a {{FORMATNUM:100000}} musulmani per le unità di morte delle SS naziste.<ref>Dalin e Rothman, ''[[:en:w:Icon of Evil|Icon of Evil]]'', 55.</ref> Ogni battaglione di musulmani aveva il suo [[w:imam|imam]] e ogni reggimento il suo [[w:mullā|mullā]]. Il Mufti istituì una scuola per i mullā con sede a Dresda e li indottrinava sui legami essenziali tra nazisti e jihadisti, assicurando loro che "esistono notevoli somiglianze tra i principi islamici e quelli del nazionalsocialismo".<ref>Citato in Chuck Morse, ''The Nazi Connection to Islamic Terrorism'' (New York: iUniverse, 2003), 77.</ref> Il reclutamento del Mufti per la 13a Divisione Handschar delle Waffen-SS iniziò nel febbraio del 1943; con {{FORMATNUM:21065}} uomini, era la più grande delle unità di morte delle SS musulmane bosniache. In un discorso alle SS pronunciato l'11 gennaio 1944, "Himmler sostenne che il legame tra nazismo e Islam si fondava su valori comuni duraturi e sulla condivisione di nemici in guerra. Presentò inoltre Hitler come un dono inviato da Dio – e da Allah".<ref>Herf, ''Nazi Propaganda for the Arab World'', 200.</ref> Il comandante della Divisione Handschar, Karl-Gustav Sauberzweig, "riferì che le reclute musulmane adottavano volentieri la dottrina nazista e persino che ‘i musulmani, gli uomini delle SS nella Divisione e i civili stanno iniziando a vedere nel nostro Führer la missione di un secondo profeta’, cioè uno che segue Maometto".<ref>''Ibid.'', 201.</ref> Un'altra unità di sterminio delle SS di al-Husseini era la Divisione Skanderberg proveniente dall'Albania, con il suo Arabisches Freiheitskorps o "Corpo Arabo della Libertà" operativo in Macedonia. I musulmani che al-Husseini reclutò per le SS avrebbero svolto un ruolo fondamentale nel rendere i Balcani ''Judenrein'' nell'inverno 1943-4.<ref>Cfr. anche ''[[:en:w:Relations between Nazi Germany and the Arab world|Relations between Nazi Germany and the Arab world]]'' su en.wiki.</ref> A seguito delle sue azioni omicide al servizio dei nazisti, al-Husseini si distinse per essere annoverato tra i criminali di guerra nazisti. Dopo aver trovato rifugio in Francia per un certo periodo, il 20 giugno 1946 si recò in Egitto, dove entrò a far parte della Fratellanza Musulmana. Nello stesso anno il Mufti prese sotto la sua ala protettrice il suo parente Yasser Arafat e chiamò un ex ufficiale di commando nazista per insegnare al suo protetto "i dettagli della guerriglia".<ref>David N. Bossie, “Yasser Arafat: Nazi Trained,” ''Washington Times'', 9 agosto 2002.</ref> Verso la fine della sua vita, nel 2002, Arafat affermò l'impatto decisivo che al-Husseini aveva sempre avuto su di lui.<ref>Cfr. Shlomo Ben-Ami, ''Scars of War, Wounds of Peace: The Israeli-Arab Tragedy'' (Oxford, UK: Oxford University Press, 2007), 214.</ref> Chuck Morse presenta una convincente argomentazione secondo cui "al- Husseini was himself most likely the true founder of the al-Fatah, . . . Arafat’s terror cell, . . . the nucleus of the PLO".<ref>Morse, ''The Nazi Connection to Islamic Terrorism'', 90.</ref> E così vediamo gli intricati legami che uniscono i nazisti alla Fratellanza Musulmana e all'Organizzazione per la Liberazione della Palestina. Poiché l'OLP e Hamas sarebbero diventati i nemici più immediati dello Stato ebraico, è opportuno spendere una parola sull'OLP. === Il PLO jihadista nazista === Nell'ottobre del 1959 Yasser Arafat, Salah Khalaf, Khalil al-Wazir, Farouq Qaddoumi e Khaled al-Hassan fondarono l'organizzazione jihadista [[w:Fatah|Fatah]], parola che significa "conquista" ed è l'acronimo inverso di Harakat al-Tahirir al-Watani al-Filastini, "Movimento di liberazione nazionale palestinese".<ref>Efraim Karsh, ''Arafat’s War: The Man and His Battle for Israeli Conquest'' (New York: Grove Press, 2003), 23.</ref> Due anni dopo Arafat entrò in contatto per la prima volta con Mahmoud Abbas, il revisionista dell'Olocausto che gli sarebbe poi succeduto alla guida dell'OLP. Il 29 maggio 1964, il Consiglio nazionale palestinese redasse il Patto nazionale palestinese per diventare l'Organizzazione per la liberazione della Palestina.<ref>''Ibid.'', 36.</ref> Il 2 febbraio 1969, Arafat divenne presidente dell'OLP. Con l'obiettivo dichiarato di distruggere l'ebreo "per prendere il suo posto",<ref>Barry Rubin, ''Revolution Until Victory? The Politics and History of the PLO'' (Cambridge, MA: Harvard University Press, 1994), 27.</ref> l'ideologia jihadista dell'OLP, come l'ideologia nazista, non lasciava spazio a negoziati; anche loro, come i nazisti, erano disposti a dare l’impressione di negoziare per raggiungere l’obiettivo più alto dell’annientamento, adottando quella che chiamavano una "strategia a fasi".<ref>Karsh, ''Arafat’s War'', 4.</ref> L’Autorità Nazionale Palestinese continua ad aggrapparsi a questa strategia. Nel luglio 1968 l'OLP produsse la bozza finale del suo statuto.<ref>Per una copia dello Statuto, cfr. Leila S. Kadi, ed., ''Basic Political Documents of the Armed Palestinian Resistance Movement'' (Beirut: Palestine Research Centre, 1969), 137–141.</ref> Il loro obiettivo finale, come affermato nello statuto, è "l'annientamento dell'entità sionista in tutte le sue manifestazioni economiche, politiche, militari e culturali".<ref>Rubin, ''Revolution Until Victory?'', 22.</ref> Ricordando i nazisti, l'articolo quattro dello statuto stabilisce un tono razzista, affermando che "l'identità palestinese è una caratteristica genuina, essenziale e intrinseca; si trasmette dai genitori ai figli". Poiché "il destino della nazione araba e, in effetti, l'esistenza araba stessa dipendono dal destino della causa palestinese" (articolo quattordici), l'eliminazione degli ebrei è una questione esistenziale: proprio come gli ebrei minacciavano l'esistenza e l'essenza della nazione ariana, così minacciano l'esistenza e l'essenza della nazione araba. Tutto ciò che possa legittimare l'esistenza ebraica, quindi, deve essere smentito, ed è questo il punto dell'articolo venti: "Le affermazioni di legami storici o religiosi degli ebrei con la Palestina sono incompatibili con i fatti storici". Gli ebrei non hanno posto in Palestina. O meglio: ''non hanno posto''. Punto. Questa è l'implicazione dell'articolo ventidue, che riecheggia il ''Mein Kampf'' di Hitler: Israele è la "base geografica dell'imperialismo mondiale... Israele è una fonte costante di minaccia per la pace in Medio Oriente e nel mondo intero". Sì, ''il mondo intero'': proprio come i nazisti avrebbero liberato l'umanità dal male ebraico, così l'OLP avrebbe salvato l'umanità. Nel 1972, Arafat dichiarò che nella lotta per salvare l'umanità dalla minaccia sionista, ogni ebreo è un bersaglio.<ref>Murawiec, ''The Mind of Jihad'', 34.</ref> Il 22 novembre 1974, l'ONU dichiarò l'OLP rappresentante dei palestinesi (Risoluzione 3236) e le concesse lo status di osservatore (Risoluzione 3237). In seguito a tale riconoscimento, il capo dell'OLP Salah Khalaf, noto anche come Abu Iyad (1933-1991), affermò: "An independent state on the West Bank and Gaza is the beginning of the final solution",<ref>Citato in Rubin, ''Revolution Until Victory?'', 47.</ref> un'evidente allusione al discorso nazista che aveva influenzato la prospettiva jihadista dell'OLP. Nel febbraio del 1979, pochi giorni dopo la Rivoluzione islamica in Iran, Arafat fu il primo "diplomatico" ad essere accolto a Teheran,<ref>Said K. Aburish, ''Arafat: From Defender to Dictator'' (London: Bloomsbury, 1999), 164.</ref> dove dichiarò a Khomeini, il qutbista dichiarato che aveva ricevuto la sua formazione ideologica dalla Fratellanza: "La via [jihadista] che abbiamo scelto è identica",<ref>Murawiec, ''The Mind of Jihad'', 318.</ref> una via che ha come obiettivo finale lo sterminio degli ebrei. Questa adesione alla Rivoluzione islamica, come anche le radici di Arafat nella Fratellanza, dimostrano che l'OLP non è così "laica" come molti suppongono. Nel 1987 Arafat affermò che "la tendenza religiosa è parte integrante dell’OLP"<ref>Citato Rubin, ''Revolution Until Victory?'', 66.</ref> e Salah Khalaf affermò: "The beginning of the Islamic awakening lay in sanctified jihad, which was started by Fatah".<ref>Citato in ''ibid.''</ref> Quando Hamas fu fondata nel 1987, subito dopo lo scoppio della Prima Intifada, Arafat diede ai leader la sua benedizione: "My brother Sheik Yassin, my holy brother Hadi Hunam, I cherish your participation in the struggle for the liberation of Palestine".<ref>Citato in Karsh, ''Arafat’s War'', 116.</ref> L’articolo ventisette della carta di Hamas afferma: "the PLO is the closest to the heart of the Islamic Resistance Movement".<ref>Yonah Alexander, ''Palestinian Religious Terrorism: Hamas and Islamic Jihad'' (Ardsley, NY: Transnational Publishers, 2002), 64.</ref> Così il capo politico dell’OLP Farouq Qaddoumi (n. 1931) dichiarò: "We were never different from Hamas".<ref>Citato in Karsh, ''Arafat’s War'', 120.</ref> Una differenza tra le tattiche impiegate da Hamas e dall'OLP, tuttavia, risiede nella strategia a fasi di quest'ultima, esemplificata in modo più drammatico con la firma degli [[w:Accordi di Oslo|Accordi di Oslo]] il 13 settembre 1993. Appena un anno prima di apporre la sua firma al documento, Arafat aveva nuovamente vilipeso gli ebrei – non gli israeliani, ma gli ''ebrei'' – dicendo: "Damn their [the Jews’] fathers. The dogs. Filth and dirt... Treachery flows in their blood, as the Quran testifies".<ref>Citato in Rubin, ''Revolution Until Victory?'', 180.</ref> Per instillare nei bambini palestinesi un tale rabbioso odio per gli ebrei, Arafat fece in modo che l'accordo consentisse ai palestinesi di mantenere il controllo sui programmi scolastici. In effetti, Efraim Karsh sostiene: "Arafat’s indoctrination of hatred among Palestinian children was unparalleled since Nazi Germany".<ref>Karsh, ''Arafat’s War'', 247.</ref> Continuando a incorporare il discorso nazista nel discorso dell’OLP, il leader di Fatah, [[:en:w:Sakher Habash|Sakhr Habash]] (1939-2009), commentò l’accordo di Oslo dicendo che una volta che i palestinesi avessero avuto il controllo di Gaza e della Cisgiordania, avrebbero proceduto verso la “soluzione finale”,<ref>''Ibid.'', 62.</ref> incorporando ancora una volta il discorso nazista nel discorso del jihadismo islamico. Nell'ottobre 1994 Arafat nominò Mufti di Gerusalemme [[:en:w:Ekrima Sa'id Sabri|Ikrima Sabri]] (n. 1939), che nei suoi sermoni denunciò gli ebrei come "discendenti di maiali e scimmie" e come cospiratori di una "cospirazione sionista mondiale".<ref>Cfr. ''ibid.'', 103–104 - mia trad.</ref> Un altro religioso jihadista, Ahmad Abu Halabiya, gridò il 13 ottobre 2000: "Non abbiate pietà degli ebrei, non importa dove si trovino, in qualunque paese".<ref>''Ibid.'', 104–105 - mia trad.</ref> Secondo questa visione, il male da sconfiggere non è lo Stato ebraico, ma la presenza degli ebrei e dell'ebraismo nel mondo. Così il male generato dai nazisti trovò la strada fino alle porte di Israele, prima attraverso l'OLP e poi attraverso Hamas. === L’eredità nazista dell’antisemitismo jihadista === Il 9 dicembre 1987, Hamas emerse come ala militante palestinese dei Fratelli Musulmani. L'autoproclamata organizzazione jihadista fu fondata dallo sceicco [[w:Ahmed Yassin|Ahmed Yassin]] (1937-2004) e dai suoi compagni, i dottori [[w:Abd al-Aziz al-Rantissi|Abdel Aziz al-Rantisi]] (1947-2004) e [[w:Mahmoud al-Zahar|Mahmoud al-Zahar]] (n. 1945).<ref>Zaki Chehab, ''Inside Hamas: The Untold Story of the Militant Islamic Movement'' (New York: Nation Books, 2007), 25.</ref> Come nel caso dei nazisti, questi ideologi, per i quali l'odio sterminazionista verso gli ebrei era fondamentale, non provenivano dalle vittime ignoranti ed emarginate della società – ma esattamente il contrario: provenivano dai più alti ranghi sociali e culturali del mondo arabo musulmano, come lo stesso Mahmoud al-Zahar si vantava.<ref>Cfr. Küntzel, Jihad and Jew-Hatred, 105.</ref> Nato ad Ashkelon nel 1938, Yassin crebbe ammirando Haj Amin al-Husseini.<ref>Dalin e Rothman, ''Icon of Evil'', 139.</ref> Entrò a far parte della Fratellanza Musulmana nel 1957 e nel 1973 fondò il Congresso Islamico a Gaza; nel 1978 guidò la fondazione dell'Università Islamica di Gaza, il cui rettore, il dottor Ahmad Abu Halabiya, come abbiamo visto, è noto per aver pubblicamente incitato al massacro degli ebrei ovunque. Yassin e i suoi complici, nota lo studioso [[:en:w:Ziad Abu Amr|Ziad Abu-Amr]], abbracciarono la visione dei nazisti secondo cui gli ebrei sono "the dirtiest and meanest of all races, making no distinctions between Jews, Zionists, and Israelis".<ref>Ziad Abu-Amr, ''Islamic Fundamentalism in the West Bank and Gaza: Muslim Brotherhood and Islamic Jihad'' (Bloomington: Indiana University Press, 1994), 26.</ref> Lo studio di Esther Webman sulla propaganda di Hamas conferma le scoperte di Abu-Amr: "The anti-Semitic rhetoric in Hamas leaflets is frequent and intense... Generally no differentiation is made in the leaflets between Jew and Zionist, inasmuch as Judaism was perceived as embracing Zionism".<ref>Esther Webman, ''Anti-Semitic Motifs in the Ideology of Hizballah and Hamas'' (Tel Aviv: Tel Aviv University, 1994), 22.</ref> Come in tutte le ideologie guidate dall'odio per gli ebrei, dai nazionalsocialisti ai jihadisti islamici, dove l'ebreo è il nemico ― l'ebraismo è il nemico. Notando le influenze europee su Hamas, Beverley Milton-Edwards osserva: "While Hamas, like other modern-day Islamic Jihadists, has developed its argument on the Jewish question by relying on Qur’anic and other Islamic sources, it also... [borrows] from such classical Western anti-Semitic sources as ''The Protocols of the Elders of Zion''".<ref>Beverley Milton-Edwards, ''Islamic Politics in Palestine'' (London: I. B. Tauris, 1999), 188.</ref> Pertanto, come altri movimenti jihadisti islamici, Hamas non rappresenta un ritorno a una "mentalità medievale", ma una moderna mutazione ''sterminazionista'' dell'odio per gli ebrei, fomentata in gran parte dall'ideologia nazista. Come nel caso di altri movimenti jihadisti islamici, per Hamas, l'odio sterminazionista per gli ebrei è una base ''definitiva'' e ''fondamentale'' per l'intera visione del mondo. Nel 1983 Yassin formò l'ala militare del suo Congresso Islamico, che chiamò Mujaheddin Palestinesi; ispirato dalle SS naziste, sarebbe servito da modello per l'ala militare di Hamas formata nel 1992, l'[[:en:w:Al-Qassam Brigades|Izz ad-Din al-Qassam]]. Questo gruppo di jihadisti d'élite porta il nome di un uomo che combatté gli inglesi in Palestina e fu ucciso nel 1935. Il loro slogan è "Uccidere gli israeliani è ''ibada'' [un atto di devozione]".<ref>Chehab, ''Inside Hamas'', 50.</ref> La formazione dell'Izz ad-Din al-Qassam portò all'arresto di Yassin da parte degli israeliani nel 1984 per possesso di armi e per aver gestito un'organizzazione dedita alla distruzione dello Stato ebraico; fu rilasciato nel maggio 1985 in uno degli scambi di prigionieri israeliani. Fu nuovamente arrestato nel 1989 per rapimento e rilasciato in un altro scambio di prigionieri nel 1997. Yassin rimase al potere fino al 22 marzo 2004, quando gli israeliani lo assassinarono. Rantisi gli succedette, per poi subire la stessa sorte il 18 aprile 2004. Dopo Rantisi, l'ex fisico [[w:Khaled Mesh'al|Khaled Mashal]] (n. 1956) entrò a far parte della Fratellanza nel 1971 e fu al fianco di Hamas fin dalla sua nascita. Dopo aver aperto un ufficio a Damasco a seguito della scomparsa di Rantisi, Mashal incontrò la Guida Suprema iraniana [[w:Ali Khamenei|Ali Khamenei]] a Teheran il 27 maggio 2008, per consolidare l'alleanza tra Hamas e Hezbollah, l'organizzazione jihadista islamica che sostiene la Repubblica Islamica dell'Iran. Hamas aveva intrattenuto rapporti diplomatici con il regime islamico iraniano fin da quando i suoi delegati avevano partecipato al Congresso Islamico, riunitosi a Teheran dal 14 al 22 ottobre 1991. Nel 2006 [[w:Ismāʿīl Haniyeh|Ismail Haniyeh]] (1963-2024) fu eletto leader di Hamas a Gaza; a lui succedette [[w:Yahya Sinwar|Yahya Sinwar]] (1962-2024) nel febbraio 2017. Come i loro predecessori, Haniyeh e Sinwar applicarono le lezioni apprese dai nazisti sull'uso della propaganda per incitare quello che Hitler definì un "odio furioso" verso gli ebrei.<ref>Hitler, ''Mein Kampf'', 632.</ref> In tutto ciò, vediamo il filo conduttore che va dal nazionalsocialismo al jihadismo islamico e ad Hamas, passando attraverso i Fratelli Musulmani, Haj Amin al-Husseini, e arrivando all'OLP e ad Hamas. Da nessuna parte il collegamento è più evidente che nella carta di Hamas, attraverso la quale, sostiene Küntzel, "Hamas segue fedelmente le orme di Amin el-Husseini".<ref>Küntzel, ''Jihad and Jew-Hatred'', 111.</ref> Redatto il 18 agosto 1988, questo documento che definisce l'essenza di Hamas è considerato "La Carta di Allah", con la chiara implicazione che la parola di Hamas è la parola di Allah.<ref>Cfr. "The Covenant of the Islamic Resistance Movement (HAMAS)", ''Jewish Virtual Library'' (s.d.); cfr. anche Dmitry Kapustyan e Matt Nelson, ''The Soul of Terror: The Worldwide Conflict Between Islamic Terrorism and the Modern World'' (Washington, DC: International Affairs Press, 2007), 122–151.</ref> In un linguaggio che ricorda il discorso sulla razza padrona, la carta si apre dichiarando che i musulmani sono "la nazione migliore che sia mai stata suscitata all'umanità", mentre le altre nazioni sono "colpite da turpitudine ovunque si trovino". Citando Hasan al-Banna, il preambolo prosegue dichiarando gli obiettivi sterminatori di Hamas: "Israele esisterà e continuerà a esistere finché l'Islam non lo cancellerà", dove Israele è un riferimento al popolo ebraico, non allo Stato ebraico, poiché ''al-Banna fece la sua affermazione prima che lo Stato ebraico esistesse''. L'articolo uno afferma (e l'articolo trentatré ribadisce) che Hamas è "basata sulle concezioni comuni, coordinate e interdipendenti delle leggi dell'universo" e che scorre "nel flusso del destino". Pertanto, secondo ''le leggi dell'universo'' e l'ordine del ''destino'', che è la volontà di Allah, gli ebrei devono essere sterminati. In linea con questa visione del mondo, la carta afferma che l'obiettivo totalitario di Hamas è quello di comprendere "tutti gli aspetti della vita, della cultura, del credo, della politica, dell'economia, dell'istruzione, della società, della giustizia e del giudizio" (articolo due), poiché tali aspetti si estendono "fino alle profondità della terra e raggiungono i cieli" (articolo cinque), una portata a cui nemmeno i nazisti aspiravano. Una chiave per il dominio universale dell'Islam è lo sterminio universale degli ebrei, una posizione affermata nell'articolo sette, che invoca un insegnamento del Profeta riportato nell'Hadith di al-Bukhari, n.3593, che assomiglia molto all'Hadith 6985, che abbiamo visto nel [[Connessioni/Capitolo 6|Capitolo 6]]: "Il Profeta, Allah lo benedica e gli conceda la salvezza, ha detto: ‘Il Giorno del Giudizio non arriverà finché i musulmani non combatteranno gli ebrei (uccidendoli), quando gli ebrei si nasconderanno dietro pietre e alberi. Le pietre e gli alberi diranno: «O musulmani, o Abdullah, c'è un ebreo dietro di me, venite e uccidetelo»". La natura stessa si ribella all'esistenza degli ebrei; la natura stessa vomita gli ebrei. Hamas non può accettare compromessi sullo status della Palestina, poiché la presenza degli ebrei, come affermato nell'articolo undici, non è solo innaturale, ma anche empia: "La Palestina è una terra consacrata dal Waqf islamico per le generazioni musulmane fino al Giorno del Giudizio". In quanto "terra consacrata dal Waqf islamico", la Palestina è un territorio consacrato riservato esclusivamente ai musulmani. La questione della Palestina, quindi, non riguarda la politica o l'economia, ma la santità, qualcosa su cui nessun governo o governante può scendere a compromessi. Chiedere a un musulmano di negoziare la pace con gli ebrei equivale a chiedergli di rinunciare all'Islam. Pertanto, "le iniziative, le cosiddette soluzioni pacifiche e le conferenze internazionali sono in contraddizione con i principi del Movimento di Resistenza Islamico. Abusare di qualsiasi parte della Palestina è un abuso diretto contro una parte della religione" (articolo tredici). Affermando la lezione che al-Banna apprese dai nazisti sull'importanza della propaganda, l'articolo quindici afferma: "È necessario che scienziati, educatori e insegnanti, addetti all'informazione e ai media, così come le masse istruite, in particolare i giovani e gli sceicchi dei movimenti islamici, prendano parte all'operazione di risveglio". Risveglio a cosa? A un "odio furioso" verso gli ebrei. Pertanto, l'articolo quindici si conclude con il ritornello "Aggredirò e ucciderò, aggredirò e ucciderò, aggredirò e ucciderò" – aggredirò e ucciderò gli ebrei. Proprio come i nazisti plasmarono con cura le menti dei giovani, così l'articolo sedici sottolinea l'importanza di "formare i pensieri e la fede dello studente musulmano"; proprio come i nazisti si servirono di una conoscenza approfondita degli ebrei nel loro assalto all'anima di Israele, così l'articolo sedici richiede "uno studio completo del nemico [gli ebrei]". Poiché la jihad non è solo una guerra tattica ma una guerra santa, questo invito a conoscere gli ebrei ha lo scopo di distruggere l'insegnamento, la tradizione e la testimonianza che gli ebrei rappresentano con la loro stessa presenza nel mondo. Proseguendo nella "Carta di Allah", si nota che i jihadisti hanno preso a cuore l'affermazione di Hitler nel ''Mein Kampf'': "Solo la grandezza dei sacrifici", disse il Führer, “conquisterà nuovi combattenti per la causa".<ref>Hitler, ''Mein Kampf'', 103.</ref> Quale sacrificio è più grande del sacrificio di bambini, compiuto dalle madri che li hanno messi al mondo? Se i nazisti corrompono le anime dei loro figli, i jihadisti li distruggono addestrandoli non solo al sacrificio, ma anche all'omicidio. Perché il dovere di una buona madre musulmana verso i propri figli è "insegnare loro a compiere i doveri religiosi in preparazione al ruolo di combattimento che li attende" (articolo diciottesimo). Come gli antichi idolatri contro i quali Dio mise in guardia gli Israeliti ({{passo biblico2|Deuteronomio|18:10}}), passano i loro figli attraverso il fuoco trasformandoli in offerte sacrificali consumate dalle fiamme delle loro bombe. Ripetendo l’insistenza di Hitler sul fatto che l’ebreo è un "invisibile manipolatore" che cospira furtivamente per governare il mondo,<ref>''Ibid.'', 493. </ref> l’articolo ventidue afferma: {{citazione|[The Jews] took control of the world media, news agencies, the press, publishing houses, broadcasting stations, and others. With their money they stirred revolutions in various parts of the world . . . . They were behind the French Revolution, the Communist revolution and most of the revolutions we heard and hear about, here and there. With their money they formed secret societies, such as Freemasons, Rotary Clubs, the Lions and others in different parts of the world for the purpose of sabotaging societies and achieving Zionist interests. With their money they were able to control imperialistic countries and instigate them to colonize many countries in order to enable them to exploit their resources and spread corruption there... They were behind World War I, when they were able to destroy the Islamic Caliphate... They obtained the Balfour Declaration, formed the League of Nations through which they could rule the world. They were behind World War II, through which they made huge financial gains by trading in armaments, and paved the way for the establishment of their state. It was they who instigated the replacement of the League of Nations with the United Nations and the Security Council to enable them to rule the world through them. There is no war going on anywhere, without having their finger in it.}} In una parola, gli ebrei sono la radice nascosta di ogni male che affligge l'umanità, e Hamas è la salvezza dell'umanità dall'invasione sionista non della Palestina ma del mondo. Secondo l'articolo ventotto: {{citazione|The Zionist invasion [of the world] is a vicious invasion. It does not refrain from resorting to all methods, using ''all evil'' and contemptible ways to achieve its end... They aim at undermining societies, ''destroying values'', corrupting consciences, ''deteriorating character'' and annihilating Islam. It is behind the drug trade and alcoholism in all its kinds so as to facilitate its control and expansion... ''Israel, Judaism and Jews'' challenge Islam and the Moslem people.<ref>Tutti i testi in {{Lingue|en}} di cui sopra sono dalla relativa versione. Corsivi aggiunti.</ref>}} Abbiamo quindi l’associazione di Hamas tra ebrei ed ebraismo e il male ''in quanto tale'': in linea con l’ideologia nazionalsocialista, i jihadisti islamici insistono sul fatto che, a differenza del resto dell’umanità, gli ebrei ''non possono essere riabilitati''. {{citazione|In Article Thirty-Two we have yet another borrowing from Nazi Jew hatred:<br/>After Palestine, the Zionists aspire to expand from the Nile to the Euphrates. When they will have digested the region they overtook, they will aspire to further expansion, and so on. Their plan is embodied in the Protocols of the Elders of Zion, and their present conduct is the best proof of what we are saying. Leaving the circle of struggle with Zionism is high treason, and cursed be he who does that.}} "''High treason''/Alto tradimento" qui significa tradire Allah, poiché il jihadismo islamico fonde in un tutt'uno la sfera religiosa, nazionalista e politica. Qui ci rendiamo conto ancora una volta che la Carta di Allah cita tre testi di prova per dimostrare la veridicità delle sue diatribe: il Corano, gli Hadith e i ''[[w:Protocolli dei Savi di Sion|Protocolli dei Savi di Sion]]''. Proseguendo sul tema del tradimento di Allah, l'articolo trentaquattro invoca le parole di Allah: "Di' a coloro che non credono: Sarete sconfitti e gettati insieme all'Inferno" ([https://sufi.it/il-sacro-corano/3-surat-al-imran/ Corano 3:12]), aggiungendo: "Questo è l'unico modo per liberare la Palestina". In effetti, secondo Hamas, gettare gli ebrei all'Inferno, dove appartengono, è l'unico modo per liberare l'umanità. In questa mossa scopriamo le ramificazioni del legame tra l'antisemitismo nazionalsocialista e l'antisemitismo jihadista islamico, ma con una differenza: i nazisti non hanno mai voluto gettare gli ebrei all'Inferno nell'aldilà per guadagnarsi un posto in paradiso. Si accontentavano di trasformare questa vita in un inferno per gli ebrei. === Cosa significa? === Uno dei principali fili che collegano l'antisemitismo nazista all'antisemitismo del jihadismo islamico risiede nella descrizione dell'ebreo come "invisibile tirafili". Inserendo l'ebreo nella categoria di un male invisibile, sia i nazisti che i jihadisti lo rendono invisibile come Satana. Data l'invisibilità del male, l'antisemita non può essere certo della sua sconfitta finché non sarà diventato il sovrano di tutta l'umanità, che è, in effetti, l'obiettivo dichiarato dei jihadisti islamici.<ref>Cfr. Sayyid Qutb, ''Social Justice in Islam'', trad. John B. Hardie (New York: Octagon Books, 1963), 167–168.</ref> Come la guerra nazista contro gli ebrei, la guerra jihadista contro gli ebrei è ben più di una guerra contro l'"entità sionista". È una guerra ametafisica, come testimonia un discorso pronunciato il 17 gennaio 2009 alla televisione egiziana ''Al-Rahma'' dallo sceicco [[:en:w:Muhammad Hussein Yacoub|Muhammad Hussein Yaqoub]] (n. 1956): {{citazione|If the Jews left Palestine to us, would we start loving them? . . . The Jews are infidels – not because I say so,... but because... Allah said that they are infidels... They are enemies not because they occupied Palestine. They would have been enemies even if they did not occupy a thing... Our fighting with the Jews is eternal..., until not a single Jew remains on the face of the Earth.|Muhammad Hussein Yaqoub, "We Will Fight, Defeat, and Annihilate Them", ''Al-Rahma TV'', 17 gennaio 2009}} – questo in nome di Dio. Sì: gli ebrei devono essere sterminati ''in nome di Dio''. In questo assoluto non negoziabile troviamo il legame che unisce l'antisemitismo nazionalsocialista all'antisemitismo jihadista islamico. [[:en:w:Robert S. Wistrich|Robert Wistrich]] lo riassume così: {{citazione|Their Bible may be the ''Quran'' and not ''Mein Kampf'', but the mental structures and world view behind their actions have striking analogies with German National Socialism. The Muslim fundamentalists – like the Nazis before and during the ''[[Shoah]]'' – rant against the “anonymous powers” of globalization and the plutocratic West... Like their totalitarian predecessors, they (falsely) claim to speak for frustrated, underprivileged, and impoverished masses betrayed by more traditional Arab and Muslim ruling elites... Anti-Semitic conspiracy theories lie at the very heart of the Muslim fundamentalist and Arab nationalist world view today – linking together plutocratic finance, international freemasonry, secularism, Zionism, and communism as dark occult forces led by the giant octopus of international Jewry... This mythical structure of thought is in many ways virtually identical with Nazi anti-Semitism.|Robert S. Wistrich, "Islamic Judeophobia: An Existential Threat", in David Bukay, ed., ''Muhammad’s Monsters: A Comprehensive Guide to Radical Islam for Western Audiences'' (Green Forest, AR: Balfour Books, 2004), 196}} Se la Bibbia jihadista è il Corano, e non il ''Mein Kampf'', allora il male jihadista trascende il male nazista, in quanto il Corano è Scrittura, una rivelazione di Dio, e non solo le dichiarazioni del Führer, per quanto divino possa essere. Usurpando Dio, i nazisti hanno usurpato l'obbligo assoluto imposto dall'aldilà, cosicché la volontà e l'immaginazione interiori costituivano gli unici limiti alle loro azioni. Al contrario, appropriandosi di Dio, i jihadisti si appropriano dell'autorità di imporre dall'aldilà ciò che hanno determinato essere la volontà di Allah, che non è una questione di volontà umana, ma un obbligo assoluto. Qui abbiamo la sottile differenza tra come questo male definiva l'Olocausto allora e come cerca di provocare un altro Olocausto ora. C'è, in effetti, una linea cruciale di influenza e ispirazione da tracciare da Hitler ad Hamas. E quindi passiamo ora a Hitler. == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|75%|24 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 8]] 083nrgtooebt73uzhypsvefj23cyagt 478120 478119 2025-06-25T12:18:36Z Monozigote 19063 /* Note */ avanz. 478120 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|Yellow Badge.jpg|750px|Questa immagine contiene i nomi di {{FORMATNUM:1692}} vittime della [[Shoah]], dal database centrale dello [[w:Yad Vashem|Yad Vashem]]. Il ragazzo nell'immagine è tratto dalla famosa fotografia del [[c:File:Stroop Report - Warsaw Ghetto Uprising 06.jpg|Ghetto di Varsavia]]}} == Jihadismo islamico: l'eredità dell'antisemitismo nazista == La Prima guerra mondiale fu una catastrofe globale. Lasciò l'umanità inondata da un mare di sangue, disperazione, vuoto e caos. La devastazione non risiedeva solo nel numero senza precedenti di vittime – fino a 22 milioni di morti e 23 milioni di feriti – ma anche nel radicale capovolgimento della realtà stessa. L'umanità aveva assunto una capacità di uccidere mai vista prima, i preconcetti sulla decenza umana crollarono e ogni nozione di progresso razionale e morale fu mandata completamente in bancarotta. La sofferenza diffusa, sia fisica che spirituale, era percepita non solo come orribile, ma anche come priva di significato. Come spiegare un così profondo e universale sconvolgimento di verità, comprensione e valori? Ma con gli ebrei, ovviamente! È tutto qui, ne ''I Protocolli dei Savi di Sion'', la cui diffusione divenne virale all'indomani della Prima guerra mondiale, con l'edizione in lingua tedesca pubblicata nel 1919, l'edizione in lingua inglese negli Stati Uniti e in Gran Bretagna nel 1920,<ref>[[w:Yehuda Bauer|Yehuda Bauer]], ''A History of the Holocaust'', ediz. riv. (New York: Franklin Watts, 2002), 53.</ref> e la traduzione in lingua araba nel 1921.<ref>Cfr. [[:en:w:Binjamin W. Segel|Binjamin W. Segel]], ''A Lie and a Libel: The History of The Protocols of the Elders of Zion'', trad. & cur. [[:en:w:Richard S. Levy|Richard S. Levy]] (Lincoln: University of Nebraska Press, 1995), xii.</ref> Poiché la devastazione e l'orrore erano globali, l'antisemitismo assunse una portata globale. Non solo gli ebrei erano odiati localmente, ma ora erano visti come una minaccia autenticamente universale, cosmica. E il rimedio doveva essere altrettanto universale. Assumendo dimensioni globali, l'odio millenario verso gli ebrei assunse presto un aspetto sterminazionista che divenne un principio fondamentale del nazionalsocialismo: non si poteva essere nazisti senza abbracciare questa direttiva fondamentale dello sterminio. Non poteva esserci altra soluzione alla minaccia cosmica rappresentata dagli ebrei e dall'ebraismo se non questa Soluzione Finale. Già nel 1922 Adolf Hitler dichiarò a un giornalista tedesco di nome Josef Hell: "Una volta al potere, il mio primo e principale compito sarà l'annientamento degli ebrei".<ref>Citato in Stephen E. Atkins, ''Holocaust Denial as an International Movement'' (Westport, CT: Praeger, 2009), 29.</ref> Dieci anni dopo, disse a Hermann Rauschning (1887-1982) che la sua missione nella vita come Führer era quella di distruggere il "Dio tirannico degli ebrei" e i Suoi "Dieci Comandamenti che negano la vita".<ref>Citato in Dennis Prager e Joseph Telushkin, ''Why the Jews? The Reason for Antisemitism'' (New York: Simon & Schuster, 2003), 16.</ref> L'oggetto dello sterminio nazista, quindi, non erano solo gli ebrei, ma anche l'insegnamento e la testimonianza dell'ebraismo – il Santo Stesso – che gli ebrei portano nel mondo. Qui ci rendiamo conto di cosa è ''anti-'' nell'antisemita nazista, e anche di cosa l'antisemita sterminazionista, nazista o jihadista, cerca di sterminare nello sterminio degli ebrei. Abbiamo notato che al centro della tradizione ebraica che i nazisti si proponevano di sradicare c'è una certa comprensione dell'essere umano; in effetti, l'attacco a Dio assume sempre la forma di un attacco alla nozione stessa di essere umano. Al centro dell'ebraismo c'è la visione che l'essere umano sia l'inserimento di qualcosa di più grande di tutto ciò che esiste nel mezzo di tutto ciò che esiste. Pertanto, un essere umano non è riducibile alle casualità di razza, genere, cultura o etnia; né l'essere umano è giustificato dalla ragione, dalla determinazione o dal potere. Creato a immagine e somiglianza del Santo, ''ogni'' essere umano ospita la presenza del Santo, che santifica tutto l'essere da oltre l'essere. Egli o Ella santifica ciascuno e tutti attraverso il comandamento assoluto di amare l’''altro'' essere umano, il prossimo e lo straniero allo stesso modo. ''Ogni'' essere umano, inoltre, è mio simile: tutta l'umanità è interrelata, fisicamente attraverso Adamo e metafisicamente attraverso il Creatore. Né un caso naturale né un credo ideologico possono determinare la sacralità di tale relazione, e nessun insegnamento potrebbe essere più ostile al nazionalsocialismo o al jihadismo islamico. Il primo afferma che non vi è alcun legame tra ariano e non-ariano, e il secondo insiste sul fatto che non vi è alcun legame tra credente e noncredente, men che meno tra i credenti e i "figli di maiali e scimmie", come il Profeta descrive gli ebrei (cfr. [https://sufi.it/il-sacro-corano/5-surat-al-maida/ Corano 5:60]). L'ariano è l'essere umano perfetto, separato da tutta l'umanità, giustificato da una volontà di potenza che trascende i comandamenti "che negano la vita" venuti nel mondo attraverso gli ebrei. Allo stesso modo, al credente jihadista è garantito un posto in paradiso, e tutti coloro che rifiutano la vera fede dell'Islam vengono consegnati al Fuoco ([https://sufi.it/il-sacro-corano/3-surat-al-imran/ Corano 3:131]). Più che una categoria biologica o antropologica, la "razza" per i nazisti è una categoria ''metafisica''. Nell'ideologia nazista la nozione di razza non è riducibile al colore della pelle o alla fisionomia; piuttosto, è una categoria ideologica in cui corpo e anima, biologia ed essere, si fondono in un tutt'uno. La categoria ha un nome: ''Rassenseele''. Spiegando il concetto nazista di ''Rassenseele'' o "razza-anima", [[w:Alfred Rosenberg|Alfred Rosenberg]] scrive: "Anima significa razza vista dall'interno. E, viceversa, razza è l'esteriorizzazione dell'anima".<ref>Alfred Rosenberg, ''Race and Race History and Other Essays'', ed. Robert Pais (New York: Harper & Row, 1974), 34.</ref> Se la razza può essere vista dall'interno, allora non è riducibile a nessuna manifestazione esteriore come il colore della pelle o la consistenza dei capelli; è ''concettuale'' e quindi un'astrazione. "Questo atteggiamento eroico [del nazionalsocialismo]", afferma Rosenberg, "si discosta dalla ''singola'' ma ''assolutamente'' decisiva ammissione, ''vale a dire dall'ammissione che sangue e carattere, razza e anima sono semplicemente designazioni diverse per la stessa entità''".<ref>Citato in Max Weinreich, ''Hitler’s Professors: The Part of Scholarship in Germany’s Crimes Against the Jewish People'' (New Haven, CT: Yale University Press, 1999), 26.</ref> Se il carattere e l'anima degli ebrei sono nel loro sangue, allora lo è anche l'ebraismo, o almeno l'inclinazione verso l'ebraismo. Pertanto, la minaccia ebraica all'umanità "non cambierebbe", spiega Rosenberg, "se l'ebreo negasse il Talmud, perché il carattere nazionale, che rimane lo stesso, continuerebbe a rappresentare un punto di vista altrettanto inflessibile e dogmatico in altri ambiti".<ref>Rosenberg, ''Race and Race History'', 183.</ref> Con il carattere nel sangue e il sangue nell'anima, l'ebreo rappresenta una minaccia ''essenziale'' all’''essenza'' ariana. L'ebreo è, come dichiararono i nazisti, la malattia che minaccia il corpo dell'umanità dall'interno, il che rende l'ebreo una minaccia ''patologica''. Nel 1935 la rivista dell'Associazione dei Medici Tedeschi affermava: "Proprio come il corpo umano non assorbe i germi della tubercolosi nel suo organismo generale, così una società naturale e omogenea non può assorbire gli ebrei nella sua associazione organica".<ref>Citato in H. H. Ben-Sasson, ed., ''A History of the Jewish People'' (Cambridge: Harvard University Press, 1976), 1019.</ref> Allo stesso modo, il leader di Hezbollah, Hassan Nasrallah, prese in prestito la metafora di Hitler sugli ebrei e l'ebraismo come malattia,<ref>Adolf Hitler, ''Mein Kampf'', trad. Ralph Manheim (Boston, MA: Houghton Mifflin, 1971),233.</ref> affermando che gli ebrei sono una "crescita cancerosa e un microbo dannoso, un'entità senza confini".<ref>Hassan Nasrallah, ''Voice of Hezbollah: The Statements of Sayyed Hassan Nasrallah'', trad. Ellen Khouri, ed. Nicholas Noe (London: Verso, 2007), 189.</ref> Ogni ebreo è portatore del contagio dell'ebraismo, quindi lo sterminio degli ebrei deve essere totale, il che conferisce una dimensione apocalittica alla lotta: se "l'ebreo è vittorioso sugli altri popoli del mondo", dichiarò Hitler, "la sua corona sarà la corona funebre dell'umanità".<ref>Hitler, ''Mein Kampf'', 65.</ref> Nella lotta dei nazisti contro gli ebrei e l'ebraismo, Hitler, come i jihadisti, è il salvatore dell'umanità, che muove guerra a un male satanico. Si tratta, infatti, di una guerra santa condotta contro il Dio satanico degli ebrei. La natura metafisica della nozione nazista di razza-anima rende la categoria di ''Rassenseele'' molto meno estranea e persino gradita all'Islam. Mentre l'Islam rifiuta il razzismo basato sul colore, predica una certa segregazione basata sul credo: secondo la ''Sharia'', o legge islamica, ai non-musulmani di ogni livello viene negata la considerazione concessa ai musulmani, poiché "Dio non ama i miscredenti" ([https://sufi.it/il-sacro-corano/3-surat-al-imran/ Corano 3:32]). Naturalmente, contrariamente alla visione nazista secondo cui un non-ariano non può diventare ariano, l'Islam insegna che, in linea di principio, qualsiasi non-musulmano può diventare musulmano. Quando si tratta di odio verso gli ebrei, tuttavia, il moderno jihadismo islamico ha più in comune con l'ideologia nazista che con l'insegnamento musulmano tradizionale. "Proprio come il [[w:Partito del Giovane Egitto|movimento del Giovane Egitto]] prese a prestito dal ''Nationalsozialistische Deutsche Arbeiterpartei (NSDAP)''", osserva [[:en:w:Laurent Murawiec|Laurent Murawiec]], "così il movimento islamista radicale nel suo complesso [prese a prestito] il suo razzismo e antisemitismo. Questo includeva il sostegno alla filosofia nazista [e] la propaganda ferocemente antiebraica nella stampa di partito. [Così] gli estremisti islamici acquisirono la perversa forma moderna di razzismo, razzismo biologico e teoria razziale".<ref>Laurent Murawiec, ''The Mind of Jihad'' (Cambridge, UK: Cambridge University Press, 2008), 255 – mia trad.</ref> In questa forma specificamente razzista di odio verso gli ebrei, in cui la razza non è solo una categoria biologica ma anche metafisica, i jihadisti non solo sono paralleli ai nazisti, ma li imitano. Sayyid Qutb, l'ideologo più influente dei Fratelli Musulmani e del jihadismo islamico, sosteneva che "gli ebrei erano ''per natura'' determinati a combattere la Verità di Allah e a seminare corruzione e confusione",<ref>Citato in Ronald L. Nettler, ''Past Trials and Present Tribulations: A Muslim Fundamentalist’s View of the Jews'' (Oxford, UK: Pergamon, 1987), 35; corsivo aggiunto.</ref> che la "passione degli ebrei di controllare gli altri" era una "forza trainante del loro ''carattere nazionale''"<ref>''Ibid.'', 37–38; corsivo aggiunto.</ref> e che "la causa più profonda dell'odio ebraico per l'Islam era la ''malevola natura ebraica''".<ref>''Ibid.'', 44; corsivo aggiunto.</ref> Come i nazisti, che comprendevano che il male ebraico risiedeva nell'essenza ebraica, l'obiettivo dei jihadisti "is not simply to morally delegitimize Israel as a Jewish State and a national entity in the Middle East, but to dehumanize Judaism and the Jewish people as such".<ref>Kenneth R. Timmerman, ''Preachers of Hate: Islam and the War on America'' (New York: Three Rivers Press, 2004), 63.</ref> Una volta disumanizzato, l'ebreo è facilmente considerato malvagio. Una volta considerati malvagi, agli ebrei non può essere concessa la stessa possibilità di conversione che è aperta al resto dell'umanità. In quanto fonte di ogni male, gli ebrei possono solo essere sradicati. Mentre il Führer si nascondeva nel suo bunker e si preparava al suicidio, scrisse il suo ultimo testamento politico. Concluse le sue ultime parole scritte con un appello al mondo affinché continuasse a "resistere senza pietà all'avvelenatore di tutte le nazioni, l'ebraismo internazionale",<ref>Citato in David Welch, ''Hitler'' (London: UCL Press, 1998), 97.</ref> un appello ascoltato con la massima attenzione e sistematicità dai jihadisti islamici. Ai nostri fini, ci concentreremo su uno dei gruppi jihadisti più noti al mondo, il [[w:Hamas|Movimento Islamico di Resistenza (Harakat al-Muqawama al-Islamiya)]], più comunemente noto con l'acronimo [[w:Hamas|Hamas]]. Prima di passare ad Hamas, tuttavia, è necessario spendere qualche parola sulla [[w:Fratelli Musulmani|Fratellanza Musulmana]] da cui Hamas ha origine e su [[w:Amin al-Husseini|Haj Amin al-Husseini]], la chiave dei legami che uniscono Hitler ad Hamas. === Fratellanza Musulmana: il canale chiave === Fondamentale per l'adesione jihadista all'antisemitismo nazista è la Fratellanza Musulmana. Nel marzo del 1928 Hasan al-Banna e altri cinque fondarono la Fratellanza e ne redassero il credo: "Allah è il nostro obiettivo. Il Profeta è la nostra guida. Il Corano è la nostra legge. Jihad è la nostra via. La morte al servizio di Allah è il nostro desiderio più alto". Ispirato da Hitler, al-Banna affermò di aver imparato dal Führer il potere della propaganda nella lotta contro gli ebrei,<ref>Hasan al-Banna, ''Five Tracts of Hasan al-Banna: A Selection from the Majmuat Rasail al-Imam al-Shahid Hasan al-Banna'', trad. Charles Wendell (Berkeley: University of California Press, 1978), 45–46.</ref> come mezzo non di persuasione ma di incitamento, l'istigazione all'odio contro gli ebrei.<ref>Hitler, ''Mein Kampf'', 632.</ref> Con l'ascesa della Fratellanza, [[w:Bernard Lewis|Bernard Lewis]] (1916-2018) osserva: {{citazione|To an astonishing degree the ideas, literature, even the crudest inventions of the Nazis and their predecessors have, so to speak, been internalized and Islamicized. The major themes – the ''Protocols'', the invented Talmud quotations, ritual murder, the hatred of mankind, the Masonic and the rest of the conspiracy theories, poisoning the wells and taking over the world – remain; but they are given an Islamic, even a Quranic twist.|Bernard Lewis, ''Semites and Anti-Semites: An Inquiry into Conflict and Prejudice'' (New York: W. W. Norton, 1986), 267}} Un'opera che dimostra la precoce influenza dei nazisti sui jihadisti è ''Escape from Baghdad'' (1938) di [[:en:w:Carl Raswan|Carl Raswan]]. Viaggiatore tedesco celebre ai suoi tempi, Raswan riferì di aver incontrato intensi sentimenti filo-nazisti tra gli arabi, che gli dissero: "Stiamo imparando da Mussolini e Hitler".<ref>Carl Raswan, ''Escape from Baghdad'', ediz. facsimile (New York: George Olms, 1978), 137.</ref> E così fecero. Ispirati dai nazisti, i jihadisti di tutta la regione non solo imitarono la forma tedesca di odio verso gli ebrei, ma la amplificarono. [[:en:w:Łukasz Hirszowicz|Łukasz Hirszowicz]] sottolinea che la collaborazione arabo-nazista non avvenne solo a livello politico e militare, ma soprattutto a livello ideologico: più che a un processo di imitazione, osserviamo un processo di inculcazione ed elaborazione. In una visita a Berlino nel 1937, "Dr. Said Abdel-Fattah Iman of the Damascus Arab Club proposed, inter alia, to promote National Socialist ideology among the Arabs and Muslims generally".<ref>Lukasz Hirszowicz, ''The Third Reich and the Arab East'' (London: Routledge & Kegan Paul, 1966), 35–36.</ref> Nel maggio 1937, "on the occasion of the observance of Mohammed’s birth, German and Italian flags were displayed [in Palestine] as well as portraits of Hitler and Mussolini".<ref>''Ibid.'', 27.</ref> Assistendo a una tale dimostrazione di sostegno musulmano all’agenda nazista, il 1° giugno 1937, il ministro degli Esteri tedesco, [[w:Konstantin von Neurath|Konstantin von Neurath]] (1873–1956), dichiarò che la Germania "ha interesse a rafforzare il mondo arabo come contrappeso contro un possibile aumento di potere dell’ebraismo mondiale".<ref>''Ibid.'', 30.</ref> Confermando che l’odio per gli ebrei costituiva il legame comune tra tedeschi e musulmani, l’edizione del 9 gennaio 1938 del quotidiano arabo ''Al-Jamia al-Islamiyya'' commentò: "Molti arabi considerano la Germania un'amica degli arabi. Questa amicizia è forse il risultato dell'odio tedesco per gli ebrei".<ref>''Ibid.'', 42.</ref> Più tardi quello stesso anno, il 16 ottobre, il ''New York Times'' pubblicò un articolo di Harold Callender, il quale riportava: "the Nazi press this week gave vent to an outburst of sympathy for the Arabs in Palestine who were reported to be forming a ‘free corps’ on the Sudeten German model, in order to ‘fight against Judaism.’".<ref>Joseph B. Schechtman, ''The Mufti and the Fuehrer: The Rise and Fall of Haj Amin el-Husseini'' (New York: Thomas Yoseloff, 1965), 81.</ref> L'uso del termine ''free corps'' è un ovvio riferimento ai ''Freikorps'', un gruppo di tedeschi disillusi del dopoguerra da cui emerse il Partito Nazista nel 1920. Qui vediamo il passaggio dal parallelismo all'influenza: ancora una volta, non solo i Fratelli e gli altri musulmani imitavano i tedeschi, ma stavano anche imparando da loro. "The close and at times active relationship that developed between Nazi Germany and sections of the Arab leadership, in the years from 1933 to 1945", scrive Lewis, "was due not to a German attempt to win over the Arabs but rather to a series of Arab approaches to the Germans".<ref>Lewis, ''Semites and Anti-Semites'', 140.</ref> Le unità militari jihadiste adottarono la marcia a passo d'oca, come anche il saluto nazista, e continuano a usarli ancora oggi, come testimoniano le scene dei raduni di Hezbollah e delle parate militari iraniane. I primi telegrammi di congratulazioni a Hitler per la sua nomina a Cancelliere, il 30 gennaio 1933, provenivano da arabi musulmani. Quando le Leggi di Norimberga furono approvate il 15 settembre 1935 e i nazisti iniziarono a confiscare le proprietà ebraiche, ricevettero altri telegrammi simili da tutto il mondo arabo islamico. Se i nazisti continuarono a consentire e persino a incoraggiare l'emigrazione ebraica in Palestina, fu perché erano convinti che gli arabi li avrebbero sterminati.<ref>Cfr. Timmerman, ''Preachers of Hate'', 104.</ref> Con l'avvento della [[w:Grande rivolta araba|Rivolta Araba in Palestina]] nel 1936-39, la Fratellanza inviò le proprie unità militari in Palestina e il numero dei suoi membri aumentò da 800 a oltre 2000. Dal 1935 in poi, inviarono delegazioni ai raduni nazisti a Norimberga. Nel 1938 guidarono manifestazioni contro gli ebrei egiziani e tennero la Conferenza Parlamentare per i Paesi Arabi e Musulmani al Cairo, dove distribuirono traduzioni in arabo del ''Mein Kampf'' e dei ''Protocolli dei Savi di Sion''. Nel 1939 la Fratellanza bombardò una sinagoga del Cairo e alcune case di ebrei. Con lo scoppio della guerra, i nazisti godettero del loro pieno appoggio. Nel 1941 [[w:Anwar al-Sadat|Anwar Sadat]] si unì all'organizzazione militare della Fratellanza e nel 1943 fu arrestato come spia nazista. Quando [[w:Fārūq I d'Egitto|re Farouk]] concesse asilo al criminale di guerra nazista Haj Amin al-Husseini il 20 giugno 1946, al-Banna e la Fratellanza acclamarono l'ex Mufti di Gerusalemme come un eroe e un grande jihadista. Infatti, al-Banna dichiarò che "in Berlin he [al-Husseini] had been carrying out jihad [just as the Nazis had done]".<ref>Citato in Matthias Küntzel, ''Jihad and Jew-Hatred: Islamism, Nazism and the Roots of 9/11'', trad. Colin Meade (New York: Telos Press, 2007), 46.</ref> Al-Husseini incontrò anche Sayyid Qutb, l'uomo che sarebbe diventato il più influente ideologo jihadista della Fratellanza. In al-Husseini, quindi, abbiamo una chiave importante per trasmettere l'eredità dell'antisemitismo nazista al jihadismo islamico. === Il jihadista nazista === Haj Amin al-Husseini salì al potere grazie a un atto di pacificazione britannico, dopo essere stato processato in contumacia e riconosciuto colpevole di aver incitato alle rivolte in Palestina nel 1920; nel tentativo di calmare la popolazione araba, il governatore del mandato britannico [[w:Herbert Samuel|Herbert Samuel]] (1870-1963) lo nominò Mufti di Gerusalemme l'8 maggio 1921. Tra le prime azioni del neo-nominato Mufti ci fu una dichiarazione di jihad contro gli inglesi e gli ebrei.<ref>David G. Dalin e John F. Rothman, ''Icon of Evil: Hitler’s Mufti and the Rise of Radical Islam'' (New York: Random House, 2008), 131.</ref> Il 31 marzo 1933, effettuò la sua prima visita ufficiale al nuovo console generale nazista tedesco Heinrich Wolff a Gerusalemme. Nel 1935 incontrò per la prima volta Abdul Rahman al-Banna, fratello di Hasan al-Banna; iniziò così una relazione a lungo termine tra il Mufti e la Fratellanza Musulmana. Hirszowicz sostiene che l'ideologia dei Fratelli Musulmani "svolse un ruolo importante nella rivolta palestinese del 1936-39".<ref>Hirszowicz, ''The Third Reich and the Arab East'', 13.</ref> Il Mufti aveva un rapporto così stretto con i nazisti che questi gli fornirono fondi per scatenare la rivolta araba del 1936-39. [[:en:w:Matthias Küntzel|Matthias Küntzel]] osserva che la rivolta "si svolse sullo sfondo della svastica; le organizzazioni giovanili... sfilavano come ‘naziscout’ e i bambini arabi si salutavano con il saluto nazista".<ref>Matthias Küntzel, "National Socialism and Anti-Semitism in the Arab World", ''Jewish Political Studies Review 17 (Spring 2005)''.</ref> Per scongiurare l'idea che l'antisemitismo, fondamento del nazionalsocialismo, potesse includere gli arabi, il Ministero degli Esteri tedesco dichiarò nel 1936 che "le leggi razziali di Norimberga sono rivolte solo agli ebrei"<ref>Jeffrey Herf, ''Nazi Propaganda for the Arab World'' (New Haven, CT: Yale University Press, 2009), 19.</ref> e non agli arabi. Il 2 ottobre 1937, al-Husseini incontrò il vice di Adolf Eichmann, Herbert Hagen, per discutere di ulteriori modi in cui il Mufti avrebbe potuto contribuire agli obiettivi nazisti contro gli ebrei in Medio Oriente. Il 13 ottobre, nuovamente ricercato dagli inglesi per aver incitato alla rivolta araba, al-Husseini fuggì dalla Palestina. Due anni dopo, ormai ufficialmente al soldo dei nazisti, al-Husseini stabilì una base operativa a Baghdad, dove il 3 aprile 1941 guidò un colpo di stato contro il governo iracheno sostenuto dagli inglesi. Il 9 maggio, in un discorso radiofonico, annunciò una jihad contro gli inglesi e gli ebrei.<ref>Schechtman, ''The Mufti and the Fuehrer'', 110.</ref> Entro la fine di maggio, tuttavia, gli inglesi avevano represso il colpo di stato. Al-Husseini fuggì a Teheran, ma non prima di aver organizzato il massacro di 600 ebrei a Baghdad il 1° giugno 1941, in un'azione nota come Farhud.<ref>Lewis, ''Semites and Anti-Semites'', 158.</ref> Da Teheran il Mufti si recò a Roma, e da Roma a Berlino, dove ebbe il suo primo incontro con il Führer il 28 novembre 1941. E scrisse nelle sue memorie: {{citazione|Our fundamental condition for cooperating with Germany was a free hand to eradicate every last Jew from Palestine and the Arab world. I asked Hitler for an explicit undertaking to allow us to solve the Jewish problem in a manner befitting our national and racial aspirations and according to the scientific methods innovated by Germany in the handling of its Jews. The answer I got was: “The Jews are yours.”|Citato in Ami Isseroff e Peter Fitzgerald-Morris, "The Iraq Coup Attempt of 1941, the Mufti, and the Farhud", ''Mideast Web''}} Ancora una volta scopriamo il legame tra nazionalsocialismo e jihadismo islamico, sia come influenza che come affinità. Poco dopo il suo incontro con Hitler, al-Husseini incontrò Eichmann, che gli comunicò il piano per la "Soluzione Finale della Questione Ebraica in Europa",<ref>Klaus Gensicke, ''Der Mufti von Jerusalem, Amin el-Husseini, und die Nationalsozialisten'' (Frankfurt am Main: Peter Lang, 1988), 165; mia trad.</ref> un piano che ben si adattava non solo al desiderio di al-Husseini di annientare gli ebrei, ma anche al suo obiettivo di Mufti di portare la salvezza a tutti i veri credenti dell'Islam, poiché aveva sempre predicato che uccidere gli ebrei compiace Allah ed è essenziale per la salvezza. Se compiace Allah, allora per Hamas e altri jihadisti islamici, uccidere gli ebrei non significa "liberare la Palestina", cacciare un "oppressore" o persino vendicarsi. Si tratta di servire Dio, ed è inevitabile. Proprio come un nazista non può essere un vero nazista senza assassinare ebrei, così un jihadista islamico non può essere un vero jihadista senza assassinare ebrei. Il biglietto per il paradiso del jihadista è un ebreo morto. Perché un ebreo morto compiace Allah. Già nel gennaio del 1941, il ''Grossmufti'', come lo chiamavano i tedeschi, si era recato in Bosnia per convincere i leader musulmani che una divisione SS musulmana avrebbe portato onore e gloria ai seguaci dell'Islam. [[w:David Gil Dalin|David Dalin]] e [[:en:w:John Rothmann|John Rothmann]] stimano che al-Husseini abbia reclutato fino a {{FORMATNUM:100000}} musulmani per le unità di morte delle SS naziste.<ref>Dalin e Rothman, ''[[:en:w:Icon of Evil|Icon of Evil]]'', 55.</ref> Ogni battaglione di musulmani aveva il suo [[w:imam|imam]] e ogni reggimento il suo [[w:mullā|mullā]]. Il Mufti istituì una scuola per i mullā con sede a Dresda e li indottrinava sui legami essenziali tra nazisti e jihadisti, assicurando loro che "esistono notevoli somiglianze tra i principi islamici e quelli del nazionalsocialismo".<ref>Citato in Chuck Morse, ''The Nazi Connection to Islamic Terrorism'' (New York: iUniverse, 2003), 77.</ref> Il reclutamento del Mufti per la 13a Divisione Handschar delle Waffen-SS iniziò nel febbraio del 1943; con {{FORMATNUM:21065}} uomini, era la più grande delle unità di morte delle SS musulmane bosniache. In un discorso alle SS pronunciato l'11 gennaio 1944, "Himmler sostenne che il legame tra nazismo e Islam si fondava su valori comuni duraturi e sulla condivisione di nemici in guerra. Presentò inoltre Hitler come un dono inviato da Dio – e da Allah".<ref>Herf, ''Nazi Propaganda for the Arab World'', 200.</ref> Il comandante della Divisione Handschar, Karl-Gustav Sauberzweig, "riferì che le reclute musulmane adottavano volentieri la dottrina nazista e persino che ‘i musulmani, gli uomini delle SS nella Divisione e i civili stanno iniziando a vedere nel nostro Führer la missione di un secondo profeta’, cioè uno che segue Maometto".<ref>''Ibid.'', 201.</ref> Un'altra unità di sterminio delle SS di al-Husseini era la Divisione Skanderberg proveniente dall'Albania, con il suo Arabisches Freiheitskorps o "Corpo Arabo della Libertà" operativo in Macedonia. I musulmani che al-Husseini reclutò per le SS avrebbero svolto un ruolo fondamentale nel rendere i Balcani ''Judenrein'' nell'inverno 1943-4.<ref>Cfr. anche ''[[:en:w:Relations between Nazi Germany and the Arab world|Relations between Nazi Germany and the Arab world]]'' su en.wiki.</ref> A seguito delle sue azioni omicide al servizio dei nazisti, al-Husseini si distinse per essere annoverato tra i criminali di guerra nazisti. Dopo aver trovato rifugio in Francia per un certo periodo, il 20 giugno 1946 si recò in Egitto, dove entrò a far parte della Fratellanza Musulmana. Nello stesso anno il Mufti prese sotto la sua ala protettrice il suo parente Yasser Arafat e chiamò un ex ufficiale di commando nazista per insegnare al suo protetto "i dettagli della guerriglia".<ref>David N. Bossie, “Yasser Arafat: Nazi Trained,” ''Washington Times'', 9 agosto 2002.</ref> Verso la fine della sua vita, nel 2002, Arafat affermò l'impatto decisivo che al-Husseini aveva sempre avuto su di lui.<ref>Cfr. Shlomo Ben-Ami, ''Scars of War, Wounds of Peace: The Israeli-Arab Tragedy'' (Oxford, UK: Oxford University Press, 2007), 214.</ref> Chuck Morse presenta una convincente argomentazione secondo cui "al- Husseini was himself most likely the true founder of the al-Fatah, . . . Arafat’s terror cell, . . . the nucleus of the PLO".<ref>Morse, ''The Nazi Connection to Islamic Terrorism'', 90.</ref> E così vediamo gli intricati legami che uniscono i nazisti alla Fratellanza Musulmana e all'Organizzazione per la Liberazione della Palestina. Poiché l'OLP e Hamas sarebbero diventati i nemici più immediati dello Stato ebraico, è opportuno spendere una parola sull'OLP. === Il PLO jihadista nazista === Nell'ottobre del 1959 Yasser Arafat, Salah Khalaf, Khalil al-Wazir, Farouq Qaddoumi e Khaled al-Hassan fondarono l'organizzazione jihadista [[w:Fatah|Fatah]], parola che significa "conquista" ed è l'acronimo inverso di Harakat al-Tahirir al-Watani al-Filastini, "Movimento di liberazione nazionale palestinese".<ref>Efraim Karsh, ''Arafat’s War: The Man and His Battle for Israeli Conquest'' (New York: Grove Press, 2003), 23.</ref> Due anni dopo Arafat entrò in contatto per la prima volta con Mahmoud Abbas, il revisionista dell'Olocausto che gli sarebbe poi succeduto alla guida dell'OLP. Il 29 maggio 1964, il Consiglio nazionale palestinese redasse il Patto nazionale palestinese per diventare l'Organizzazione per la liberazione della Palestina.<ref>''Ibid.'', 36.</ref> Il 2 febbraio 1969, Arafat divenne presidente dell'OLP. Con l'obiettivo dichiarato di distruggere l'ebreo "per prendere il suo posto",<ref>Barry Rubin, ''Revolution Until Victory? The Politics and History of the PLO'' (Cambridge, MA: Harvard University Press, 1994), 27.</ref> l'ideologia jihadista dell'OLP, come l'ideologia nazista, non lasciava spazio a negoziati; anche loro, come i nazisti, erano disposti a dare l’impressione di negoziare per raggiungere l’obiettivo più alto dell’annientamento, adottando quella che chiamavano una "strategia a fasi".<ref>Karsh, ''Arafat’s War'', 4.</ref> L’Autorità Nazionale Palestinese continua ad aggrapparsi a questa strategia. Nel luglio 1968 l'OLP produsse la bozza finale del suo statuto.<ref>Per una copia dello Statuto, cfr. Leila S. Kadi, ed., ''Basic Political Documents of the Armed Palestinian Resistance Movement'' (Beirut: Palestine Research Centre, 1969), 137–141.</ref> Il loro obiettivo finale, come affermato nello statuto, è "l'annientamento dell'entità sionista in tutte le sue manifestazioni economiche, politiche, militari e culturali".<ref>Rubin, ''Revolution Until Victory?'', 22.</ref> Ricordando i nazisti, l'articolo quattro dello statuto stabilisce un tono razzista, affermando che "l'identità palestinese è una caratteristica genuina, essenziale e intrinseca; si trasmette dai genitori ai figli". Poiché "il destino della nazione araba e, in effetti, l'esistenza araba stessa dipendono dal destino della causa palestinese" (articolo quattordici), l'eliminazione degli ebrei è una questione esistenziale: proprio come gli ebrei minacciavano l'esistenza e l'essenza della nazione ariana, così minacciano l'esistenza e l'essenza della nazione araba. Tutto ciò che possa legittimare l'esistenza ebraica, quindi, deve essere smentito, ed è questo il punto dell'articolo venti: "Le affermazioni di legami storici o religiosi degli ebrei con la Palestina sono incompatibili con i fatti storici". Gli ebrei non hanno posto in Palestina. O meglio: ''non hanno posto''. Punto. Questa è l'implicazione dell'articolo ventidue, che riecheggia il ''Mein Kampf'' di Hitler: Israele è la "base geografica dell'imperialismo mondiale... Israele è una fonte costante di minaccia per la pace in Medio Oriente e nel mondo intero". Sì, ''il mondo intero'': proprio come i nazisti avrebbero liberato l'umanità dal male ebraico, così l'OLP avrebbe salvato l'umanità. Nel 1972, Arafat dichiarò che nella lotta per salvare l'umanità dalla minaccia sionista, ogni ebreo è un bersaglio.<ref>Murawiec, ''The Mind of Jihad'', 34.</ref> Il 22 novembre 1974, l'ONU dichiarò l'OLP rappresentante dei palestinesi (Risoluzione 3236) e le concesse lo status di osservatore (Risoluzione 3237). In seguito a tale riconoscimento, il capo dell'OLP Salah Khalaf, noto anche come Abu Iyad (1933-1991), affermò: "An independent state on the West Bank and Gaza is the beginning of the final solution",<ref>Citato in Rubin, ''Revolution Until Victory?'', 47.</ref> un'evidente allusione al discorso nazista che aveva influenzato la prospettiva jihadista dell'OLP. Nel febbraio del 1979, pochi giorni dopo la Rivoluzione islamica in Iran, Arafat fu il primo "diplomatico" ad essere accolto a Teheran,<ref>Said K. Aburish, ''Arafat: From Defender to Dictator'' (London: Bloomsbury, 1999), 164.</ref> dove dichiarò a Khomeini, il qutbista dichiarato che aveva ricevuto la sua formazione ideologica dalla Fratellanza: "La via [jihadista] che abbiamo scelto è identica",<ref>Murawiec, ''The Mind of Jihad'', 318.</ref> una via che ha come obiettivo finale lo sterminio degli ebrei. Questa adesione alla Rivoluzione islamica, come anche le radici di Arafat nella Fratellanza, dimostrano che l'OLP non è così "laica" come molti suppongono. Nel 1987 Arafat affermò che "la tendenza religiosa è parte integrante dell’OLP"<ref>Citato Rubin, ''Revolution Until Victory?'', 66.</ref> e Salah Khalaf affermò: "The beginning of the Islamic awakening lay in sanctified jihad, which was started by Fatah".<ref>Citato in ''ibid.''</ref> Quando Hamas fu fondata nel 1987, subito dopo lo scoppio della Prima Intifada, Arafat diede ai leader la sua benedizione: "My brother Sheik Yassin, my holy brother Hadi Hunam, I cherish your participation in the struggle for the liberation of Palestine".<ref>Citato in Karsh, ''Arafat’s War'', 116.</ref> L’articolo ventisette della carta di Hamas afferma: "the PLO is the closest to the heart of the Islamic Resistance Movement".<ref>Yonah Alexander, ''Palestinian Religious Terrorism: Hamas and Islamic Jihad'' (Ardsley, NY: Transnational Publishers, 2002), 64.</ref> Così il capo politico dell’OLP Farouq Qaddoumi (n. 1931) dichiarò: "We were never different from Hamas".<ref>Citato in Karsh, ''Arafat’s War'', 120.</ref> Una differenza tra le tattiche impiegate da Hamas e dall'OLP, tuttavia, risiede nella strategia a fasi di quest'ultima, esemplificata in modo più drammatico con la firma degli [[w:Accordi di Oslo|Accordi di Oslo]] il 13 settembre 1993. Appena un anno prima di apporre la sua firma al documento, Arafat aveva nuovamente vilipeso gli ebrei – non gli israeliani, ma gli ''ebrei'' – dicendo: "Damn their [the Jews’] fathers. The dogs. Filth and dirt... Treachery flows in their blood, as the Quran testifies".<ref>Citato in Rubin, ''Revolution Until Victory?'', 180.</ref> Per instillare nei bambini palestinesi un tale rabbioso odio per gli ebrei, Arafat fece in modo che l'accordo consentisse ai palestinesi di mantenere il controllo sui programmi scolastici. In effetti, Efraim Karsh sostiene: "Arafat’s indoctrination of hatred among Palestinian children was unparalleled since Nazi Germany".<ref>Karsh, ''Arafat’s War'', 247.</ref> Continuando a incorporare il discorso nazista nel discorso dell’OLP, il leader di Fatah, [[:en:w:Sakher Habash|Sakhr Habash]] (1939-2009), commentò l’accordo di Oslo dicendo che una volta che i palestinesi avessero avuto il controllo di Gaza e della Cisgiordania, avrebbero proceduto verso la “soluzione finale”,<ref>''Ibid.'', 62.</ref> incorporando ancora una volta il discorso nazista nel discorso del jihadismo islamico. Nell'ottobre 1994 Arafat nominò Mufti di Gerusalemme [[:en:w:Ekrima Sa'id Sabri|Ikrima Sabri]] (n. 1939), che nei suoi sermoni denunciò gli ebrei come "discendenti di maiali e scimmie" e come cospiratori di una "cospirazione sionista mondiale".<ref>Cfr. ''ibid.'', 103–104 - mia trad.</ref> Un altro religioso jihadista, Ahmad Abu Halabiya, gridò il 13 ottobre 2000: "Non abbiate pietà degli ebrei, non importa dove si trovino, in qualunque paese".<ref>''Ibid.'', 104–105 - mia trad.</ref> Secondo questa visione, il male da sconfiggere non è lo Stato ebraico, ma la presenza degli ebrei e dell'ebraismo nel mondo. Così il male generato dai nazisti trovò la strada fino alle porte di Israele, prima attraverso l'OLP e poi attraverso Hamas. === L’eredità nazista dell’antisemitismo jihadista === Il 9 dicembre 1987, Hamas emerse come ala militante palestinese dei Fratelli Musulmani. L'autoproclamata organizzazione jihadista fu fondata dallo sceicco [[w:Ahmed Yassin|Ahmed Yassin]] (1937-2004) e dai suoi compagni, i dottori [[w:Abd al-Aziz al-Rantissi|Abdel Aziz al-Rantisi]] (1947-2004) e [[w:Mahmoud al-Zahar|Mahmoud al-Zahar]] (n. 1945).<ref>Zaki Chehab, ''Inside Hamas: The Untold Story of the Militant Islamic Movement'' (New York: Nation Books, 2007), 25.</ref> Come nel caso dei nazisti, questi ideologi, per i quali l'odio sterminazionista verso gli ebrei era fondamentale, non provenivano dalle vittime ignoranti ed emarginate della società – ma esattamente il contrario: provenivano dai più alti ranghi sociali e culturali del mondo arabo musulmano, come lo stesso Mahmoud al-Zahar si vantava.<ref>Cfr. Küntzel, Jihad and Jew-Hatred, 105.</ref> Nato ad Ashkelon nel 1938, Yassin crebbe ammirando Haj Amin al-Husseini.<ref>Dalin e Rothman, ''Icon of Evil'', 139.</ref> Entrò a far parte della Fratellanza Musulmana nel 1957 e nel 1973 fondò il Congresso Islamico a Gaza; nel 1978 guidò la fondazione dell'Università Islamica di Gaza, il cui rettore, il dottor Ahmad Abu Halabiya, come abbiamo visto, è noto per aver pubblicamente incitato al massacro degli ebrei ovunque. Yassin e i suoi complici, nota lo studioso [[:en:w:Ziad Abu Amr|Ziad Abu-Amr]], abbracciarono la visione dei nazisti secondo cui gli ebrei sono "the dirtiest and meanest of all races, making no distinctions between Jews, Zionists, and Israelis".<ref>Ziad Abu-Amr, ''Islamic Fundamentalism in the West Bank and Gaza: Muslim Brotherhood and Islamic Jihad'' (Bloomington: Indiana University Press, 1994), 26.</ref> Lo studio di Esther Webman sulla propaganda di Hamas conferma le scoperte di Abu-Amr: "The anti-Semitic rhetoric in Hamas leaflets is frequent and intense... Generally no differentiation is made in the leaflets between Jew and Zionist, inasmuch as Judaism was perceived as embracing Zionism".<ref>Esther Webman, ''Anti-Semitic Motifs in the Ideology of Hizballah and Hamas'' (Tel Aviv: Tel Aviv University, 1994), 22.</ref> Come in tutte le ideologie guidate dall'odio per gli ebrei, dai nazionalsocialisti ai jihadisti islamici, dove l'ebreo è il nemico ― l'ebraismo è il nemico. Notando le influenze europee su Hamas, Beverley Milton-Edwards osserva: "While Hamas, like other modern-day Islamic Jihadists, has developed its argument on the Jewish question by relying on Qur’anic and other Islamic sources, it also... [borrows] from such classical Western anti-Semitic sources as ''The Protocols of the Elders of Zion''".<ref>Beverley Milton-Edwards, ''Islamic Politics in Palestine'' (London: I. B. Tauris, 1999), 188.</ref> Pertanto, come altri movimenti jihadisti islamici, Hamas non rappresenta un ritorno a una "mentalità medievale", ma una moderna mutazione ''sterminazionista'' dell'odio per gli ebrei, fomentata in gran parte dall'ideologia nazista. Come nel caso di altri movimenti jihadisti islamici, per Hamas, l'odio sterminazionista per gli ebrei è una base ''definitiva'' e ''fondamentale'' per l'intera visione del mondo. Nel 1983 Yassin formò l'ala militare del suo Congresso Islamico, che chiamò Mujaheddin Palestinesi; ispirato dalle SS naziste, sarebbe servito da modello per l'ala militare di Hamas formata nel 1992, l'[[:en:w:Al-Qassam Brigades|Izz ad-Din al-Qassam]]. Questo gruppo di jihadisti d'élite porta il nome di un uomo che combatté gli inglesi in Palestina e fu ucciso nel 1935. Il loro slogan è "Uccidere gli israeliani è ''ibada'' [un atto di devozione]".<ref>Chehab, ''Inside Hamas'', 50.</ref> La formazione dell'Izz ad-Din al-Qassam portò all'arresto di Yassin da parte degli israeliani nel 1984 per possesso di armi e per aver gestito un'organizzazione dedita alla distruzione dello Stato ebraico; fu rilasciato nel maggio 1985 in uno degli scambi di prigionieri israeliani. Fu nuovamente arrestato nel 1989 per rapimento e rilasciato in un altro scambio di prigionieri nel 1997. Yassin rimase al potere fino al 22 marzo 2004, quando gli israeliani lo assassinarono. Rantisi gli succedette, per poi subire la stessa sorte il 18 aprile 2004. Dopo Rantisi, l'ex fisico [[w:Khaled Mesh'al|Khaled Mashal]] (n. 1956) entrò a far parte della Fratellanza nel 1971 e fu al fianco di Hamas fin dalla sua nascita. Dopo aver aperto un ufficio a Damasco a seguito della scomparsa di Rantisi, Mashal incontrò la Guida Suprema iraniana [[w:Ali Khamenei|Ali Khamenei]] a Teheran il 27 maggio 2008, per consolidare l'alleanza tra Hamas e Hezbollah, l'organizzazione jihadista islamica che sostiene la Repubblica Islamica dell'Iran. Hamas aveva intrattenuto rapporti diplomatici con il regime islamico iraniano fin da quando i suoi delegati avevano partecipato al Congresso Islamico, riunitosi a Teheran dal 14 al 22 ottobre 1991. Nel 2006 [[w:Ismāʿīl Haniyeh|Ismail Haniyeh]] (1963-2024) fu eletto leader di Hamas a Gaza; a lui succedette [[w:Yahya Sinwar|Yahya Sinwar]] (1962-2024) nel febbraio 2017. Come i loro predecessori, Haniyeh e Sinwar applicarono le lezioni apprese dai nazisti sull'uso della propaganda per incitare quello che Hitler definì un "odio furioso" verso gli ebrei.<ref>Hitler, ''Mein Kampf'', 632.</ref> In tutto ciò, vediamo il filo conduttore che va dal nazionalsocialismo al jihadismo islamico e ad Hamas, passando attraverso i Fratelli Musulmani, Haj Amin al-Husseini, e arrivando all'OLP e ad Hamas. Da nessuna parte il collegamento è più evidente che nella carta di Hamas, attraverso la quale, sostiene Küntzel, "Hamas segue fedelmente le orme di Amin el-Husseini".<ref>Küntzel, ''Jihad and Jew-Hatred'', 111.</ref> Redatto il 18 agosto 1988, questo documento che definisce l'essenza di Hamas è considerato "La Carta di Allah", con la chiara implicazione che la parola di Hamas è la parola di Allah.<ref>Cfr. "The Covenant of the Islamic Resistance Movement (HAMAS)", ''Jewish Virtual Library'' (s.d.); cfr. anche Dmitry Kapustyan e Matt Nelson, ''The Soul of Terror: The Worldwide Conflict Between Islamic Terrorism and the Modern World'' (Washington, DC: International Affairs Press, 2007), 122–151.</ref> In un linguaggio che ricorda il discorso sulla razza padrona, la carta si apre dichiarando che i musulmani sono "la nazione migliore che sia mai stata suscitata all'umanità", mentre le altre nazioni sono "colpite da turpitudine ovunque si trovino". Citando Hasan al-Banna, il preambolo prosegue dichiarando gli obiettivi sterminatori di Hamas: "Israele esisterà e continuerà a esistere finché l'Islam non lo cancellerà", dove Israele è un riferimento al popolo ebraico, non allo Stato ebraico, poiché ''al-Banna fece la sua affermazione prima che lo Stato ebraico esistesse''. L'articolo uno afferma (e l'articolo trentatré ribadisce) che Hamas è "basata sulle concezioni comuni, coordinate e interdipendenti delle leggi dell'universo" e che scorre "nel flusso del destino". Pertanto, secondo ''le leggi dell'universo'' e l'ordine del ''destino'', che è la volontà di Allah, gli ebrei devono essere sterminati. In linea con questa visione del mondo, la carta afferma che l'obiettivo totalitario di Hamas è quello di comprendere "tutti gli aspetti della vita, della cultura, del credo, della politica, dell'economia, dell'istruzione, della società, della giustizia e del giudizio" (articolo due), poiché tali aspetti si estendono "fino alle profondità della terra e raggiungono i cieli" (articolo cinque), una portata a cui nemmeno i nazisti aspiravano. Una chiave per il dominio universale dell'Islam è lo sterminio universale degli ebrei, una posizione affermata nell'articolo sette, che invoca un insegnamento del Profeta riportato nell'Hadith di al-Bukhari, n.3593, che assomiglia molto all'Hadith 6985, che abbiamo visto nel [[Connessioni/Capitolo 6|Capitolo 6]]: "Il Profeta, Allah lo benedica e gli conceda la salvezza, ha detto: ‘Il Giorno del Giudizio non arriverà finché i musulmani non combatteranno gli ebrei (uccidendoli), quando gli ebrei si nasconderanno dietro pietre e alberi. Le pietre e gli alberi diranno: «O musulmani, o Abdullah, c'è un ebreo dietro di me, venite e uccidetelo»". La natura stessa si ribella all'esistenza degli ebrei; la natura stessa vomita gli ebrei. Hamas non può accettare compromessi sullo status della Palestina, poiché la presenza degli ebrei, come affermato nell'articolo undici, non è solo innaturale, ma anche empia: "La Palestina è una terra consacrata dal Waqf islamico per le generazioni musulmane fino al Giorno del Giudizio". In quanto "terra consacrata dal Waqf islamico", la Palestina è un territorio consacrato riservato esclusivamente ai musulmani. La questione della Palestina, quindi, non riguarda la politica o l'economia, ma la santità, qualcosa su cui nessun governo o governante può scendere a compromessi. Chiedere a un musulmano di negoziare la pace con gli ebrei equivale a chiedergli di rinunciare all'Islam. Pertanto, "le iniziative, le cosiddette soluzioni pacifiche e le conferenze internazionali sono in contraddizione con i principi del Movimento di Resistenza Islamico. Abusare di qualsiasi parte della Palestina è un abuso diretto contro una parte della religione" (articolo tredici). Affermando la lezione che al-Banna apprese dai nazisti sull'importanza della propaganda, l'articolo quindici afferma: "È necessario che scienziati, educatori e insegnanti, addetti all'informazione e ai media, così come le masse istruite, in particolare i giovani e gli sceicchi dei movimenti islamici, prendano parte all'operazione di risveglio". Risveglio a cosa? A un "odio furioso" verso gli ebrei. Pertanto, l'articolo quindici si conclude con il ritornello "Aggredirò e ucciderò, aggredirò e ucciderò, aggredirò e ucciderò" – aggredirò e ucciderò gli ebrei. Proprio come i nazisti plasmarono con cura le menti dei giovani, così l'articolo sedici sottolinea l'importanza di "formare i pensieri e la fede dello studente musulmano"; proprio come i nazisti si servirono di una conoscenza approfondita degli ebrei nel loro assalto all'anima di Israele, così l'articolo sedici richiede "uno studio completo del nemico [gli ebrei]". Poiché la jihad non è solo una guerra tattica ma una guerra santa, questo invito a conoscere gli ebrei ha lo scopo di distruggere l'insegnamento, la tradizione e la testimonianza che gli ebrei rappresentano con la loro stessa presenza nel mondo. Proseguendo nella "Carta di Allah", si nota che i jihadisti hanno preso a cuore l'affermazione di Hitler nel ''Mein Kampf'': "Solo la grandezza dei sacrifici", disse il Führer, “conquisterà nuovi combattenti per la causa".<ref>Hitler, ''Mein Kampf'', 103.</ref> Quale sacrificio è più grande del sacrificio di bambini, compiuto dalle madri che li hanno messi al mondo? Se i nazisti corrompono le anime dei loro figli, i jihadisti li distruggono addestrandoli non solo al sacrificio, ma anche all'omicidio. Perché il dovere di una buona madre musulmana verso i propri figli è "insegnare loro a compiere i doveri religiosi in preparazione al ruolo di combattimento che li attende" (articolo diciottesimo). Come gli antichi idolatri contro i quali Dio mise in guardia gli Israeliti ({{passo biblico2|Deuteronomio|18:10}}), passano i loro figli attraverso il fuoco trasformandoli in offerte sacrificali consumate dalle fiamme delle loro bombe. Ripetendo l’insistenza di Hitler sul fatto che l’ebreo è un "invisibile manipolatore" che cospira furtivamente per governare il mondo,<ref>''Ibid.'', 493. </ref> l’articolo ventidue afferma: {{citazione|[The Jews] took control of the world media, news agencies, the press, publishing houses, broadcasting stations, and others. With their money they stirred revolutions in various parts of the world . . . . They were behind the French Revolution, the Communist revolution and most of the revolutions we heard and hear about, here and there. With their money they formed secret societies, such as Freemasons, Rotary Clubs, the Lions and others in different parts of the world for the purpose of sabotaging societies and achieving Zionist interests. With their money they were able to control imperialistic countries and instigate them to colonize many countries in order to enable them to exploit their resources and spread corruption there... They were behind World War I, when they were able to destroy the Islamic Caliphate... They obtained the Balfour Declaration, formed the League of Nations through which they could rule the world. They were behind World War II, through which they made huge financial gains by trading in armaments, and paved the way for the establishment of their state. It was they who instigated the replacement of the League of Nations with the United Nations and the Security Council to enable them to rule the world through them. There is no war going on anywhere, without having their finger in it.}} In una parola, gli ebrei sono la radice nascosta di ogni male che affligge l'umanità, e Hamas è la salvezza dell'umanità dall'invasione sionista non della Palestina ma del mondo. Secondo l'articolo ventotto: {{citazione|The Zionist invasion [of the world] is a vicious invasion. It does not refrain from resorting to all methods, using ''all evil'' and contemptible ways to achieve its end... They aim at undermining societies, ''destroying values'', corrupting consciences, ''deteriorating character'' and annihilating Islam. It is behind the drug trade and alcoholism in all its kinds so as to facilitate its control and expansion... ''Israel, Judaism and Jews'' challenge Islam and the Moslem people.<ref>Tutti i testi in {{Lingue|en}} di cui sopra sono dalla relativa versione. Corsivi aggiunti.</ref>}} Abbiamo quindi l’associazione di Hamas tra ebrei ed ebraismo e il male ''in quanto tale'': in linea con l’ideologia nazionalsocialista, i jihadisti islamici insistono sul fatto che, a differenza del resto dell’umanità, gli ebrei ''non possono essere riabilitati''. {{citazione|In Article Thirty-Two we have yet another borrowing from Nazi Jew hatred:<br/>After Palestine, the Zionists aspire to expand from the Nile to the Euphrates. When they will have digested the region they overtook, they will aspire to further expansion, and so on. Their plan is embodied in the Protocols of the Elders of Zion, and their present conduct is the best proof of what we are saying. Leaving the circle of struggle with Zionism is high treason, and cursed be he who does that.}} "''High treason''/Alto tradimento" qui significa tradire Allah, poiché il jihadismo islamico fonde in un tutt'uno la sfera religiosa, nazionalista e politica. Qui ci rendiamo conto ancora una volta che la Carta di Allah cita tre testi di prova per dimostrare la veridicità delle sue diatribe: il Corano, gli Hadith e i ''[[w:Protocolli dei Savi di Sion|Protocolli dei Savi di Sion]]''. Proseguendo sul tema del tradimento di Allah, l'articolo trentaquattro invoca le parole di Allah: "Di' a coloro che non credono: Sarete sconfitti e gettati insieme all'Inferno" ([https://sufi.it/il-sacro-corano/3-surat-al-imran/ Corano 3:12]), aggiungendo: "Questo è l'unico modo per liberare la Palestina". In effetti, secondo Hamas, gettare gli ebrei all'Inferno, dove appartengono, è l'unico modo per liberare l'umanità. In questa mossa scopriamo le ramificazioni del legame tra l'antisemitismo nazionalsocialista e l'antisemitismo jihadista islamico, ma con una differenza: i nazisti non hanno mai voluto gettare gli ebrei all'Inferno nell'aldilà per guadagnarsi un posto in paradiso. Si accontentavano di trasformare questa vita in un inferno per gli ebrei. === Cosa significa? === Uno dei principali fili che collegano l'antisemitismo nazista all'antisemitismo del jihadismo islamico risiede nella descrizione dell'ebreo come "invisibile tirafili". Inserendo l'ebreo nella categoria di un male invisibile, sia i nazisti che i jihadisti lo rendono invisibile come Satana. Data l'invisibilità del male, l'antisemita non può essere certo della sua sconfitta finché non sarà diventato il sovrano di tutta l'umanità, che è, in effetti, l'obiettivo dichiarato dei jihadisti islamici.<ref>Cfr. Sayyid Qutb, ''Social Justice in Islam'', trad. John B. Hardie (New York: Octagon Books, 1963), 167–168.</ref> Come la guerra nazista contro gli ebrei, la guerra jihadista contro gli ebrei è ben più di una guerra contro l'"entità sionista". È una guerra ametafisica, come testimonia un discorso pronunciato il 17 gennaio 2009 alla televisione egiziana ''Al-Rahma'' dallo sceicco [[:en:w:Muhammad Hussein Yacoub|Muhammad Hussein Yaqoub]] (n. 1956): {{citazione|If the Jews left Palestine to us, would we start loving them? . . . The Jews are infidels – not because I say so,... but because... Allah said that they are infidels... They are enemies not because they occupied Palestine. They would have been enemies even if they did not occupy a thing... Our fighting with the Jews is eternal..., until not a single Jew remains on the face of the Earth.|Muhammad Hussein Yaqoub, "We Will Fight, Defeat, and Annihilate Them", ''Al-Rahma TV'', 17 gennaio 2009}} – questo in nome di Dio. Sì: gli ebrei devono essere sterminati ''in nome di Dio''. In questo assoluto non negoziabile troviamo il legame che unisce l'antisemitismo nazionalsocialista all'antisemitismo jihadista islamico. [[:en:w:Robert S. Wistrich|Robert Wistrich]] lo riassume così: {{citazione|Their Bible may be the ''Quran'' and not ''Mein Kampf'', but the mental structures and world view behind their actions have striking analogies with German National Socialism. The Muslim fundamentalists – like the Nazis before and during the ''[[Shoah]]'' – rant against the “anonymous powers” of globalization and the plutocratic West... Like their totalitarian predecessors, they (falsely) claim to speak for frustrated, underprivileged, and impoverished masses betrayed by more traditional Arab and Muslim ruling elites... Anti-Semitic conspiracy theories lie at the very heart of the Muslim fundamentalist and Arab nationalist world view today – linking together plutocratic finance, international freemasonry, secularism, Zionism, and communism as dark occult forces led by the giant octopus of international Jewry... This mythical structure of thought is in many ways virtually identical with Nazi anti-Semitism.|Robert S. Wistrich, "Islamic Judeophobia: An Existential Threat", in David Bukay, ed., ''Muhammad’s Monsters: A Comprehensive Guide to Radical Islam for Western Audiences'' (Green Forest, AR: Balfour Books, 2004), 196}} Se la Bibbia jihadista è il Corano, e non il ''Mein Kampf'', allora il male jihadista trascende il male nazista, in quanto il Corano è Scrittura, una rivelazione di Dio, e non solo le dichiarazioni del Führer, per quanto divino possa essere. Usurpando Dio, i nazisti hanno usurpato l'obbligo assoluto imposto dall'aldilà, cosicché la volontà e l'immaginazione interiori costituivano gli unici limiti alle loro azioni. Al contrario, appropriandosi di Dio, i jihadisti si appropriano dell'autorità di imporre dall'aldilà ciò che hanno determinato essere la volontà di Allah, che non è una questione di volontà umana, ma un obbligo assoluto. Qui abbiamo la sottile differenza tra come questo male definiva l'Olocausto allora e come cerca di provocare un altro Olocausto ora. C'è, in effetti, una linea cruciale di influenza e ispirazione da tracciare da Hitler ad Hamas. E quindi passiamo ora a Hitler. == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|100%|25 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 8]] 2sphqvd4c8fo2hqm1rfu03z5xmha6yk 0 57695 478130 478100 2025-06-25T14:40:12Z Monozigote 19063 /* Il fondamento filosofico dell'Olocausto */ testo 478130 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|KZ Neuengamme Gedenk Skulptur.jpg|750px|La scultura ''Der sterbende Häftling'' ("Il prigioniero morente") di Françoise Salmon al memoriale del [[w:Campo di concentramento di Neuengamme|Campo di concentramento di Neuengamme]]}} == Il fondamento filosofico dell'Olocausto == Tra le spiegazioni su ciò che ha portato all'Olocausto, si trova in primo piano, e a ragione, la storia dell'antisemitismo cristiano. Tale storia è una condizione necessaria per lo sterminio degli ebrei d'Europa. È una condizione che siamo fin troppo pronti a sottolineare, poiché siamo fin troppo pronti ad accusare la religione di tutto il male che si è abbattuto sul mondo. Siamo molto meno inclini a esaminare la condizione filosoficamente necessaria per lo sterminio degli ebrei. I grandi filosofi della tradizione occidentale sono sempre stati considerati una fonte di saggezza e illuminazione, il fondamento stesso della civiltà occidentale. Siamo quindi molto più riluttanti a esaminare il fondamento stesso della nostra comprensione, anche se crolla sotto i nostri piedi. [[w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]] ribadisce questo punto in una scena del suo romanzo ''Sunrise over Hell (Alba sull'inferno)'', che alcuni ritengono il primo romanzo sull'Olocausto. In questo sconvolgente racconto, Harry Preleshnik, un internato di Auschwitz modellato sull'autore, scopre il cadavere del suo amico Marcel Safran. Scrive Ka-tzetnik: "Prone before his eyes, he saw the value of all humanity’s teachings, ethics and beliefs, from the dawn of mankind to this day... He bent, stretched out his hand and caressed the head of the Twentieth Century".<ref>[[:en:w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]], ''Sunrise over Hell'', trad. Nina De-Nur (London: W. H. Allen, 1977), 111. Publ. {{Lingue|it}} ''Alba sull'inferno'', Milano, Rizzoli, 1978. Per una discussione più approfondita di Ka-tzetnik, cfr. il [[Connessioni/Capitolo 3|Capitolo 3]].</ref> "Il valore di tutti gli insegnamenti dell'umanità" è incarnato nella tradizione ontologica della filosofia occidentale, che, a differenza del cristianesimo, cancella ogni principio limitante. === L'eclissi di luce dell'Illuminismo === === Il filosofo nazista === === Speculazione e sterminio === {{clear}} == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|25%|24 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 9]] fdw9ts0x5zcaf6fblfovdhouehe3sjg 478132 478130 2025-06-25T16:46:02Z Monozigote 19063 /* Il fondamento filosofico dell'Olocausto */ testo 478132 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|KZ Neuengamme Gedenk Skulptur.jpg|750px|La scultura ''Der sterbende Häftling'' ("Il prigioniero morente") di Françoise Salmon al memoriale del [[w:Campo di concentramento di Neuengamme|Campo di concentramento di Neuengamme]]}} == Il fondamento filosofico dell'Olocausto == Tra le spiegazioni su ciò che ha portato all'Olocausto, si trova in primo piano, e a ragione, la storia dell'antisemitismo cristiano. Tale storia è una condizione necessaria per lo sterminio degli ebrei d'Europa. È una condizione che siamo fin troppo pronti a sottolineare, poiché siamo fin troppo pronti ad accusare la religione di tutto il male che si è abbattuto sul mondo. Siamo molto meno inclini a esaminare la condizione filosoficamente necessaria per lo sterminio degli ebrei. I grandi filosofi della tradizione occidentale sono sempre stati considerati una fonte di saggezza e illuminazione, il fondamento stesso della civiltà occidentale. Siamo quindi molto più riluttanti a esaminare il fondamento stesso della nostra comprensione, anche se crolla sotto i nostri piedi. [[w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]] ribadisce questo punto in una scena del suo romanzo ''Sunrise over Hell (Alba sull'inferno)'', che alcuni ritengono il primo romanzo sull'Olocausto. In questo sconvolgente racconto, Harry Preleshnik, un internato di Auschwitz modellato sull'autore, scopre il cadavere del suo amico Marcel Safran. Scrive Ka-tzetnik: "Prone before his eyes, he saw the value of all humanity’s teachings, ethics and beliefs, from the dawn of mankind to this day... He bent, stretched out his hand and caressed the head of the Twentieth Century".<ref>[[:en:w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]], ''Sunrise over Hell'', trad. Nina De-Nur (London: W. H. Allen, 1977), 111. Publ. {{Lingue|it}} ''Alba sull'inferno'', Milano, Rizzoli, 1978. Per una discussione più approfondita di Ka-tzetnik, cfr. il [[Connessioni/Capitolo 3|Capitolo 3]].</ref> "Il valore di tutti gli insegnamenti dell'umanità" è incarnato nella tradizione ontologica della filosofia occidentale, che, a differenza del cristianesimo, cancella ogni principio limitante. Lo stoico del I secolo [[w:Lucio Anneo Seneca|Seneca]] (4 AEV – 65 EV) insegnava che chiunque volesse sottomettere il mondo a sé stesso avrebbe dovuto sottomettersi alla ragione (cfr. ''[[w:Epistulae morales ad Lucilium|Epistulae morales]]'' 37:4). Questo, in effetti, è il progetto ontologico: governare la realtà attraverso la ragione e quindi appropriarsi di tutto ciò che è al di fuori di sé per sé. Come avrebbe affermato [[Baruch Spinoza]] (1632–77) secoli dopo, poiché abbiamo la ragione, "non abbiamo bisogno di alcuna rivelazione privilegiata delle intenzioni di Dio".<ref>Cfr. anche {{en}}Benedict de Spinoza, ''Ethics'', trad. Edwin Curley (New York: Penguin, 2005), viii.</ref> La conoscenza è la chiave per l'appropriazione divina della realtà da parte della ragione. "Conoscere", dice [[Emmanuel Levinas]], "non è semplicemente registrare, ma sempre comprendere",<ref>[[Emmanuel Levinas]], ''Totality and Infinity'', trad. Alphonso Lingis (Pittsburgh: Duquesne University Press, 1969), 82.</ref> dal latino ''prehendere'', "prendere" o "afferrare". In quanto comprensione, il progetto della conoscenza è "acquisizione" o "possesso", i significati del nome ''Kayin'' o Caino, che possedette suo fratello Abele nel modo più assoluto nell'atto dell'omicidio, attraverso il quale l'alterità dell'altro, suo fratello, svanì nel modo più radicale. La conoscenza riduce il bene e il male a ''concetti'', nient'altro che la comprensione e, in ultima analisi, la volontà dell'ego conoscente. La conoscenza, quindi, è potere, e il potere è l'unica realtà. La parola ebraica per "conoscenza" è ''daat'', che significa "unire" in un'identità, cosicché, una volta ridotte le categorie a un concetto umano insito nel sé percettivo, e non a un comandamento divino dall'aldilà, non vi è distinzione tra bene e male. Da qui l'avvertimento biblico: Nel giorno in cui mangerai del frutto dall'albero della conoscenza del bene e del male, certamente morirai ({{passo biblico2|Genesi|2:17}}). Non solo morirai – quel che è peggio, ucciderai, come nel caso di Caino. Con Caino vediamo il primo posizionamento dell'ego pensante al centro di tutte le cose, la prima affermazione di "Sento, penso, io, io, io, dunque io sono", la frase per la quale è famoso [[w:Cartesio|René Descartes]] (1596-1650), il padre della filosofia moderna.<ref>René Descartes, ''Meditations on First Philosophy'', 3a ed., trad. {{en}}Donald A. Cress (Indianapolis, IN: Hackett, 1993), 19–20.</ref> ''Io'' penso, dunque sono. Io penso, dunque ''sono''. E no che sono stato creato, comandato o altrimenti scelto, dunque sono. Moriamo – e uccidiamo – il giorno in cui mangiamo dall'Albero della Conoscenza del Bene e del Male perché in quel giorno trasformiamo il bene e il male in un'identità autodeterminata, in un vano tentativo di diventare "come dio", il dio egocentrico dello Stesso, che, in quanto arbitro speculativo del bene e del male secondo la sua ragione autoproclamata, è al di là di ogni rapporto pattizio, al di là del bene e del male. Ecco perché moriamo – moriamo come morì l’anima di Caino, per omicidio – quando mangiamo il frutto della filosofia ontologica speculativa che per millenni ha plasmato la coscienza dell’Occidente, da cui è nato l’Olocausto. Se "il mondo rimase in silenzio", come afferma il titolo originale del memoir di [[Elie Wiesel]], ''[[w:La notte (romanzo)|Un di velt hot geshvign]]'',<ref>[[Elie Wiesel]], ''Un di velt hot geshvign'' (Buenos Aires: Tsentṛ al-farband fun Poulishe Yidn in Argentina, 1956).</ref> è perché il mondo assunse una silenziosa indifferenza stoica verso il massacro in carne e ossa degli ebrei. Dopotutto, la carne è il nemico e la prigione dell'anima, come insegnava Platone (''Fedone'', 80a-81a). Con la ragione come assoluto del filosofo, la necessità logica è assoluta, e con la necessità logica arriva la necessità naturale, così che tutte le cose sono intrappolate in un'ineluttabile catena di causa ed effetto. Una volta che l'ego pensante si situa al centro della realtà, la sofferenza fisica, sia in sé che nell'altro, diventa una questione di indifferenza ragionata. "Che cosa è nobile?" si chiede Seneca. "Sopportare con soddisfazione le avversità, accettando qualsiasi cosa accada come se l'avessimo voluta per noi stessi" (''Naturalium Quaestionum Libros'' 3:4). Poiché tutto ciò che è, è necessariamente così, diceva [[w:Marco Aurelio|Marco Aurelio]] (121-180), "essere scontenti di qualsiasi cosa accada" degrada l'anima (''Meditazioni'' 2:16). Spinoza, l'ebreo che era un filosofo ma la cui filosofia era tutt'altro che ebraica, diceva: ''non ridere, non lugere, neque detestari, sed intelligere'' - "Non ridere, non piangere, non maledire nulla, ma comprendere".<ref>Benedictus Spinoza, ''Tractatus Politicus'', in ''Opera'', Vol. 2, 3a ed. (The Hague: Martinus Nijhoff, 1914), 4.</ref> Da qui la consolazione della filosofia, che raccomanda, riguardo all'Olocausto, di non piangere, ma comprendere. Non c'è da stupirsi che Yehiel De-Nur una volta mi abbia detto accigliato: "''Philosophy'' – it is a ''shabby'' word". L'indifferenza filosofica verso la sofferenza dell'altro essere umano deriva dall'indifferenza dell'Essere stesso, il cui dio è, nella migliore delle ipotesi, il [[w:Motore immobile|Motore Immobile]]. Il Motore Immobile non è mosso da nulla, né dalla sofferenza né dalla gioia, né dalla giustizia né dalla trasgressione, e men che meno dalla preghiera. Inteso in termini di perfezione, e non di santità, il dio ontologico dei filosofi non ha bisogno di nulla, come afferma Aristotele: non ama né ha bisogno di amore (cfr. ''Etica Eudemia'', VII, 1244b; cfr. anche ''Metafisica'', 1071b-1072b). Né ha un nome: non gridiamo "Padre!" al Primo Principio. Il Logos non è il Creatore che ci chiama alla gioia, che è scosso dalla preghiera, che nel Suo amore per noi ci comanda di amare gli altri, o che soffre per ogni nostro tradimento dell'altro essere umano. Collassando dio, mondo e umanità nelle categorie del pensiero, la tradizione ontologica speculativa colloca dio nel sé e il sé in un isolamento che alla fine si rivelerebbe fonte di puro orrore. Fin dall'inizio, quindi, la filosofia occidentale non solo si è opposta al pensiero ebraico, ma ha anche generato un modo di pensare che avrebbe aperto la strada ad Auschwitz. [[w:Emil Fackenheim|Emil Fackenheim]] spiega: {{citazione|At its apex, the God of Aristotle is... the prime mover of the universe and the ultimate cause of what order there is in it. Even so, however, he is not beyond the universe but only the highest part of it. All this is in sharp contrast to the God of the Tenach, who makes His first appearance as Creator of heaven and earth. He does not create earth alone while dwelling Himself in heaven. He rather creates heaven – heaven fully as much as earth. And yet, though infinitely above the world and the humanity that is part of it, He creates man – him alone – in His very own image! The God of Aristotle does no such thing.|Emil L. Fackenheim, ''What Is Judaism?'' (New York: Macmillan, 1987), 108–109}} Il dio di Aristotele non comanda nulla e non stipula alcun patto o alleanza. Non chiede nulla e non esige nulla, perché non ha bisogno di nulla. Semplicemente "è", senza significato o importanza. La filosofia ellenistica che abbraccia un tale dio è sempre stata ostile al Dio di Abramo, come anche ai figli di Abramo, che sono i Suoi testimoni. Dice Fackenheim: "Having created heaven and earth, the God of Abraham, as it were, ''Himself'' walks in the garden".<ref>Emil L. Fackenheim, ''God’s Presence in History: Jewish Affirmations and Philosophical Reflections'' (New York: Harper & Row, 1970), 40.</ref> Il che significa: Colui che è infinitamente ''aldilà'' di tutto ciò che esiste, è immediatamente presente ''in tutto'' ciò che esiste, rendendo l’''aldilà'' e l’''interiore'' sinonimi. Solo così inteso può Egli essere inteso come il ''Creatore'', che nel costante movimento della creazione entra in relazione, sia come Re che come Padre, con l'essere umano creato a Sua immagine e somiglianza. === L'eclissi di luce dell'Illuminismo === === Il filosofo nazista === === Speculazione e sterminio === {{clear}} == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|25%|24 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 9]] eyr93ilstxq0cciumcbrurylf3mbvtu 478133 478132 2025-06-25T16:52:31Z Monozigote 19063 /* L'eclissi di luce dell'Illuminismo */ testo 478133 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|KZ Neuengamme Gedenk Skulptur.jpg|750px|La scultura ''Der sterbende Häftling'' ("Il prigioniero morente") di Françoise Salmon al memoriale del [[w:Campo di concentramento di Neuengamme|Campo di concentramento di Neuengamme]]}} == Il fondamento filosofico dell'Olocausto == Tra le spiegazioni su ciò che ha portato all'Olocausto, si trova in primo piano, e a ragione, la storia dell'antisemitismo cristiano. Tale storia è una condizione necessaria per lo sterminio degli ebrei d'Europa. È una condizione che siamo fin troppo pronti a sottolineare, poiché siamo fin troppo pronti ad accusare la religione di tutto il male che si è abbattuto sul mondo. Siamo molto meno inclini a esaminare la condizione filosoficamente necessaria per lo sterminio degli ebrei. I grandi filosofi della tradizione occidentale sono sempre stati considerati una fonte di saggezza e illuminazione, il fondamento stesso della civiltà occidentale. Siamo quindi molto più riluttanti a esaminare il fondamento stesso della nostra comprensione, anche se crolla sotto i nostri piedi. [[w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]] ribadisce questo punto in una scena del suo romanzo ''Sunrise over Hell (Alba sull'inferno)'', che alcuni ritengono il primo romanzo sull'Olocausto. In questo sconvolgente racconto, Harry Preleshnik, un internato di Auschwitz modellato sull'autore, scopre il cadavere del suo amico Marcel Safran. Scrive Ka-tzetnik: "Prone before his eyes, he saw the value of all humanity’s teachings, ethics and beliefs, from the dawn of mankind to this day... He bent, stretched out his hand and caressed the head of the Twentieth Century".<ref>[[:en:w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]], ''Sunrise over Hell'', trad. Nina De-Nur (London: W. H. Allen, 1977), 111. Publ. {{Lingue|it}} ''Alba sull'inferno'', Milano, Rizzoli, 1978. Per una discussione più approfondita di Ka-tzetnik, cfr. il [[Connessioni/Capitolo 3|Capitolo 3]].</ref> "Il valore di tutti gli insegnamenti dell'umanità" è incarnato nella tradizione ontologica della filosofia occidentale, che, a differenza del cristianesimo, cancella ogni principio limitante. Lo stoico del I secolo [[w:Lucio Anneo Seneca|Seneca]] (4 AEV – 65 EV) insegnava che chiunque volesse sottomettere il mondo a sé stesso avrebbe dovuto sottomettersi alla ragione (cfr. ''[[w:Epistulae morales ad Lucilium|Epistulae morales]]'' 37:4). Questo, in effetti, è il progetto ontologico: governare la realtà attraverso la ragione e quindi appropriarsi di tutto ciò che è al di fuori di sé per sé. Come avrebbe affermato [[Baruch Spinoza]] (1632–77) secoli dopo, poiché abbiamo la ragione, "non abbiamo bisogno di alcuna rivelazione privilegiata delle intenzioni di Dio".<ref>Cfr. anche {{en}}Benedict de Spinoza, ''Ethics'', trad. Edwin Curley (New York: Penguin, 2005), viii.</ref> La conoscenza è la chiave per l'appropriazione divina della realtà da parte della ragione. "Conoscere", dice [[Emmanuel Levinas]], "non è semplicemente registrare, ma sempre comprendere",<ref>[[Emmanuel Levinas]], ''Totality and Infinity'', trad. Alphonso Lingis (Pittsburgh: Duquesne University Press, 1969), 82.</ref> dal latino ''prehendere'', "prendere" o "afferrare". In quanto comprensione, il progetto della conoscenza è "acquisizione" o "possesso", i significati del nome ''Kayin'' o Caino, che possedette suo fratello Abele nel modo più assoluto nell'atto dell'omicidio, attraverso il quale l'alterità dell'altro, suo fratello, svanì nel modo più radicale. La conoscenza riduce il bene e il male a ''concetti'', nient'altro che la comprensione e, in ultima analisi, la volontà dell'ego conoscente. La conoscenza, quindi, è potere, e il potere è l'unica realtà. La parola ebraica per "conoscenza" è ''daat'', che significa "unire" in un'identità, cosicché, una volta ridotte le categorie a un concetto umano insito nel sé percettivo, e non a un comandamento divino dall'aldilà, non vi è distinzione tra bene e male. Da qui l'avvertimento biblico: Nel giorno in cui mangerai del frutto dall'albero della conoscenza del bene e del male, certamente morirai ({{passo biblico2|Genesi|2:17}}). Non solo morirai – quel che è peggio, ucciderai, come nel caso di Caino. Con Caino vediamo il primo posizionamento dell'ego pensante al centro di tutte le cose, la prima affermazione di "Sento, penso, io, io, io, dunque io sono", la frase per la quale è famoso [[w:Cartesio|René Descartes]] (1596-1650), il padre della filosofia moderna.<ref>René Descartes, ''Meditations on First Philosophy'', 3a ed., trad. {{en}}Donald A. Cress (Indianapolis, IN: Hackett, 1993), 19–20.</ref> ''Io'' penso, dunque sono. Io penso, dunque ''sono''. E no che sono stato creato, comandato o altrimenti scelto, dunque sono. Moriamo – e uccidiamo – il giorno in cui mangiamo dall'Albero della Conoscenza del Bene e del Male perché in quel giorno trasformiamo il bene e il male in un'identità autodeterminata, in un vano tentativo di diventare "come dio", il dio egocentrico dello Stesso, che, in quanto arbitro speculativo del bene e del male secondo la sua ragione autoproclamata, è al di là di ogni rapporto pattizio, al di là del bene e del male. Ecco perché moriamo – moriamo come morì l’anima di Caino, per omicidio – quando mangiamo il frutto della filosofia ontologica speculativa che per millenni ha plasmato la coscienza dell’Occidente, da cui è nato l’Olocausto. Se "il mondo rimase in silenzio", come afferma il titolo originale del memoir di [[Elie Wiesel]], ''[[w:La notte (romanzo)|Un di velt hot geshvign]]'',<ref>[[Elie Wiesel]], ''Un di velt hot geshvign'' (Buenos Aires: Tsentṛ al-farband fun Poulishe Yidn in Argentina, 1956).</ref> è perché il mondo assunse una silenziosa indifferenza stoica verso il massacro in carne e ossa degli ebrei. Dopotutto, la carne è il nemico e la prigione dell'anima, come insegnava Platone (''Fedone'', 80a-81a). Con la ragione come assoluto del filosofo, la necessità logica è assoluta, e con la necessità logica arriva la necessità naturale, così che tutte le cose sono intrappolate in un'ineluttabile catena di causa ed effetto. Una volta che l'ego pensante si situa al centro della realtà, la sofferenza fisica, sia in sé che nell'altro, diventa una questione di indifferenza ragionata. "Che cosa è nobile?" si chiede Seneca. "Sopportare con soddisfazione le avversità, accettando qualsiasi cosa accada come se l'avessimo voluta per noi stessi" (''Naturalium Quaestionum Libros'' 3:4). Poiché tutto ciò che è, è necessariamente così, diceva [[w:Marco Aurelio|Marco Aurelio]] (121-180), "essere scontenti di qualsiasi cosa accada" degrada l'anima (''Meditazioni'' 2:16). Spinoza, l'ebreo che era un filosofo ma la cui filosofia era tutt'altro che ebraica, diceva: ''non ridere, non lugere, neque detestari, sed intelligere'' - "Non ridere, non piangere, non maledire nulla, ma comprendere".<ref>Benedictus Spinoza, ''Tractatus Politicus'', in ''Opera'', Vol. 2, 3a ed. (The Hague: Martinus Nijhoff, 1914), 4.</ref> Da qui la consolazione della filosofia, che raccomanda, riguardo all'Olocausto, di non piangere, ma comprendere. Non c'è da stupirsi che Yehiel De-Nur una volta mi abbia detto accigliato: "''Philosophy'' – it is a ''shabby'' word". L'indifferenza filosofica verso la sofferenza dell'altro essere umano deriva dall'indifferenza dell'Essere stesso, il cui dio è, nella migliore delle ipotesi, il [[w:Motore immobile|Motore Immobile]]. Il Motore Immobile non è mosso da nulla, né dalla sofferenza né dalla gioia, né dalla giustizia né dalla trasgressione, e men che meno dalla preghiera. Inteso in termini di perfezione, e non di santità, il dio ontologico dei filosofi non ha bisogno di nulla, come afferma Aristotele: non ama né ha bisogno di amore (cfr. ''Etica Eudemia'', VII, 1244b; cfr. anche ''Metafisica'', 1071b-1072b). Né ha un nome: non gridiamo "Padre!" al Primo Principio. Il Logos non è il Creatore che ci chiama alla gioia, che è scosso dalla preghiera, che nel Suo amore per noi ci comanda di amare gli altri, o che soffre per ogni nostro tradimento dell'altro essere umano. Collassando dio, mondo e umanità nelle categorie del pensiero, la tradizione ontologica speculativa colloca dio nel sé e il sé in un isolamento che alla fine si rivelerebbe fonte di puro orrore. Fin dall'inizio, quindi, la filosofia occidentale non solo si è opposta al pensiero ebraico, ma ha anche generato un modo di pensare che avrebbe aperto la strada ad Auschwitz. [[w:Emil Fackenheim|Emil Fackenheim]] spiega: {{citazione|At its apex, the God of Aristotle is... the prime mover of the universe and the ultimate cause of what order there is in it. Even so, however, he is not beyond the universe but only the highest part of it. All this is in sharp contrast to the God of the Tenach, who makes His first appearance as Creator of heaven and earth. He does not create earth alone while dwelling Himself in heaven. He rather creates heaven – heaven fully as much as earth. And yet, though infinitely above the world and the humanity that is part of it, He creates man – him alone – in His very own image! The God of Aristotle does no such thing.|Emil L. Fackenheim, ''What Is Judaism?'' (New York: Macmillan, 1987), 108–109}} Il dio di Aristotele non comanda nulla e non stipula alcun patto o alleanza. Non chiede nulla e non esige nulla, perché non ha bisogno di nulla. Semplicemente "è", senza significato o importanza. La filosofia ellenistica che abbraccia un tale dio è sempre stata ostile al Dio di Abramo, come anche ai figli di Abramo, che sono i Suoi testimoni. Dice Fackenheim: "Having created heaven and earth, the God of Abraham, as it were, ''Himself'' walks in the garden".<ref>Emil L. Fackenheim, ''God’s Presence in History: Jewish Affirmations and Philosophical Reflections'' (New York: Harper & Row, 1970), 40.</ref> Il che significa: Colui che è infinitamente ''aldilà'' di tutto ciò che esiste, è immediatamente presente ''in tutto'' ciò che esiste, rendendo l’''aldilà'' e l’''interiore'' sinonimi. Solo così inteso può Egli essere inteso come il ''Creatore'', che nel costante movimento della creazione entra in relazione, sia come Re che come Padre, con l'essere umano creato a Sua immagine e somiglianza. === L'eclissi di luce dell'Illuminismo === Nelle Scritture sta scritto: "Il comandamento è la lampada e la Torah è la luce" ({{passo biblico2|Proverbi|6:23}}), e l'Illuminismo fu proprio l'eclissi della Luce della Torah. Quando ci sforziamo di identificare gli elementi della civiltà occidentale e della cultura tedesca che hanno contribuito all'Olocausto, l'ultimo posto a cui guardiamo è l'[[w:Illuminismo in Germania|Illuminismo tedesco]]. Dopotutto, da quell'Illuminismo abbiamo i principi del governo democratico, dei diritti civili, della ricerca scientifica, dell'istruzione organizzata, del progresso tecnologico e altro ancora. Come poteva, allora, l'Illuminismo, un movimento che sembra aver glorificato "l'uomo" e portato così tanto di "progressista", avere qualcosa a che fare con l'Olocausto? === Il filosofo nazista === === Speculazione e sterminio === {{clear}} == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|25%|24 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 9]] sf2an3l0c7qki4irnw0m50j5q6nzibv 478134 478133 2025-06-25T21:13:18Z Monozigote 19063 /* L'eclissi di luce dell'Illuminismo */ testo 478134 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|KZ Neuengamme Gedenk Skulptur.jpg|750px|La scultura ''Der sterbende Häftling'' ("Il prigioniero morente") di Françoise Salmon al memoriale del [[w:Campo di concentramento di Neuengamme|Campo di concentramento di Neuengamme]]}} == Il fondamento filosofico dell'Olocausto == Tra le spiegazioni su ciò che ha portato all'Olocausto, si trova in primo piano, e a ragione, la storia dell'antisemitismo cristiano. Tale storia è una condizione necessaria per lo sterminio degli ebrei d'Europa. È una condizione che siamo fin troppo pronti a sottolineare, poiché siamo fin troppo pronti ad accusare la religione di tutto il male che si è abbattuto sul mondo. Siamo molto meno inclini a esaminare la condizione filosoficamente necessaria per lo sterminio degli ebrei. I grandi filosofi della tradizione occidentale sono sempre stati considerati una fonte di saggezza e illuminazione, il fondamento stesso della civiltà occidentale. Siamo quindi molto più riluttanti a esaminare il fondamento stesso della nostra comprensione, anche se crolla sotto i nostri piedi. [[w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]] ribadisce questo punto in una scena del suo romanzo ''Sunrise over Hell (Alba sull'inferno)'', che alcuni ritengono il primo romanzo sull'Olocausto. In questo sconvolgente racconto, Harry Preleshnik, un internato di Auschwitz modellato sull'autore, scopre il cadavere del suo amico Marcel Safran. Scrive Ka-tzetnik: "Prone before his eyes, he saw the value of all humanity’s teachings, ethics and beliefs, from the dawn of mankind to this day... He bent, stretched out his hand and caressed the head of the Twentieth Century".<ref>[[:en:w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]], ''Sunrise over Hell'', trad. Nina De-Nur (London: W. H. Allen, 1977), 111. Publ. {{Lingue|it}} ''Alba sull'inferno'', Milano, Rizzoli, 1978. Per una discussione più approfondita di Ka-tzetnik, cfr. il [[Connessioni/Capitolo 3|Capitolo 3]].</ref> "Il valore di tutti gli insegnamenti dell'umanità" è incarnato nella tradizione ontologica della filosofia occidentale, che, a differenza del cristianesimo, cancella ogni principio limitante. Lo stoico del I secolo [[w:Lucio Anneo Seneca|Seneca]] (4 AEV – 65 EV) insegnava che chiunque volesse sottomettere il mondo a sé stesso avrebbe dovuto sottomettersi alla ragione (cfr. ''[[w:Epistulae morales ad Lucilium|Epistulae morales]]'' 37:4). Questo, in effetti, è il progetto ontologico: governare la realtà attraverso la ragione e quindi appropriarsi di tutto ciò che è al di fuori di sé per sé. Come avrebbe affermato [[Baruch Spinoza]] (1632–77) secoli dopo, poiché abbiamo la ragione, "non abbiamo bisogno di alcuna rivelazione privilegiata delle intenzioni di Dio".<ref>Cfr. anche {{en}}Benedict de Spinoza, ''Ethics'', trad. Edwin Curley (New York: Penguin, 2005), viii.</ref> La conoscenza è la chiave per l'appropriazione divina della realtà da parte della ragione. "Conoscere", dice [[Emmanuel Levinas]], "non è semplicemente registrare, ma sempre comprendere",<ref>[[Emmanuel Levinas]], ''Totality and Infinity'', trad. Alphonso Lingis (Pittsburgh: Duquesne University Press, 1969), 82.</ref> dal latino ''prehendere'', "prendere" o "afferrare". In quanto comprensione, il progetto della conoscenza è "acquisizione" o "possesso", i significati del nome ''Kayin'' o Caino, che possedette suo fratello Abele nel modo più assoluto nell'atto dell'omicidio, attraverso il quale l'alterità dell'altro, suo fratello, svanì nel modo più radicale. La conoscenza riduce il bene e il male a ''concetti'', nient'altro che la comprensione e, in ultima analisi, la volontà dell'ego conoscente. La conoscenza, quindi, è potere, e il potere è l'unica realtà. La parola ebraica per "conoscenza" è ''daat'', che significa "unire" in un'identità, cosicché, una volta ridotte le categorie a un concetto umano insito nel sé percettivo, e non a un comandamento divino dall'aldilà, non vi è distinzione tra bene e male. Da qui l'avvertimento biblico: Nel giorno in cui mangerai del frutto dall'albero della conoscenza del bene e del male, certamente morirai ({{passo biblico2|Genesi|2:17}}). Non solo morirai – quel che è peggio, ucciderai, come nel caso di Caino. Con Caino vediamo il primo posizionamento dell'ego pensante al centro di tutte le cose, la prima affermazione di "Sento, penso, io, io, io, dunque io sono", la frase per la quale è famoso [[w:Cartesio|René Descartes]] (1596-1650), il padre della filosofia moderna.<ref>René Descartes, ''Meditations on First Philosophy'', 3a ed., trad. {{en}}Donald A. Cress (Indianapolis, IN: Hackett, 1993), 19–20.</ref> ''Io'' penso, dunque sono. Io penso, dunque ''sono''. E no che sono stato creato, comandato o altrimenti scelto, dunque sono. Moriamo – e uccidiamo – il giorno in cui mangiamo dall'Albero della Conoscenza del Bene e del Male perché in quel giorno trasformiamo il bene e il male in un'identità autodeterminata, in un vano tentativo di diventare "come dio", il dio egocentrico dello Stesso, che, in quanto arbitro speculativo del bene e del male secondo la sua ragione autoproclamata, è al di là di ogni rapporto pattizio, al di là del bene e del male. Ecco perché moriamo – moriamo come morì l’anima di Caino, per omicidio – quando mangiamo il frutto della filosofia ontologica speculativa che per millenni ha plasmato la coscienza dell’Occidente, da cui è nato l’Olocausto. Se "il mondo rimase in silenzio", come afferma il titolo originale del memoir di [[Elie Wiesel]], ''[[w:La notte (romanzo)|Un di velt hot geshvign]]'',<ref>[[Elie Wiesel]], ''Un di velt hot geshvign'' (Buenos Aires: Tsentṛ al-farband fun Poulishe Yidn in Argentina, 1956).</ref> è perché il mondo assunse una silenziosa indifferenza stoica verso il massacro in carne e ossa degli ebrei. Dopotutto, la carne è il nemico e la prigione dell'anima, come insegnava Platone (''Fedone'', 80a-81a). Con la ragione come assoluto del filosofo, la necessità logica è assoluta, e con la necessità logica arriva la necessità naturale, così che tutte le cose sono intrappolate in un'ineluttabile catena di causa ed effetto. Una volta che l'ego pensante si situa al centro della realtà, la sofferenza fisica, sia in sé che nell'altro, diventa una questione di indifferenza ragionata. "Che cosa è nobile?" si chiede Seneca. "Sopportare con soddisfazione le avversità, accettando qualsiasi cosa accada come se l'avessimo voluta per noi stessi" (''Naturalium Quaestionum Libros'' 3:4). Poiché tutto ciò che è, è necessariamente così, diceva [[w:Marco Aurelio|Marco Aurelio]] (121-180), "essere scontenti di qualsiasi cosa accada" degrada l'anima (''Meditazioni'' 2:16). Spinoza, l'ebreo che era un filosofo ma la cui filosofia era tutt'altro che ebraica, diceva: ''non ridere, non lugere, neque detestari, sed intelligere'' - "Non ridere, non piangere, non maledire nulla, ma comprendere".<ref>Benedictus Spinoza, ''Tractatus Politicus'', in ''Opera'', Vol. 2, 3a ed. (The Hague: Martinus Nijhoff, 1914), 4.</ref> Da qui la consolazione della filosofia, che raccomanda, riguardo all'Olocausto, di non piangere, ma comprendere. Non c'è da stupirsi che Yehiel De-Nur una volta mi abbia detto accigliato: "''Philosophy'' – it is a ''shabby'' word". L'indifferenza filosofica verso la sofferenza dell'altro essere umano deriva dall'indifferenza dell'Essere stesso, il cui dio è, nella migliore delle ipotesi, il [[w:Motore immobile|Motore Immobile]]. Il Motore Immobile non è mosso da nulla, né dalla sofferenza né dalla gioia, né dalla giustizia né dalla trasgressione, e men che meno dalla preghiera. Inteso in termini di perfezione, e non di santità, il dio ontologico dei filosofi non ha bisogno di nulla, come afferma Aristotele: non ama né ha bisogno di amore (cfr. ''Etica Eudemia'', VII, 1244b; cfr. anche ''Metafisica'', 1071b-1072b). Né ha un nome: non gridiamo "Padre!" al Primo Principio. Il Logos non è il Creatore che ci chiama alla gioia, che è scosso dalla preghiera, che nel Suo amore per noi ci comanda di amare gli altri, o che soffre per ogni nostro tradimento dell'altro essere umano. Collassando dio, mondo e umanità nelle categorie del pensiero, la tradizione ontologica speculativa colloca dio nel sé e il sé in un isolamento che alla fine si rivelerebbe fonte di puro orrore. Fin dall'inizio, quindi, la filosofia occidentale non solo si è opposta al pensiero ebraico, ma ha anche generato un modo di pensare che avrebbe aperto la strada ad Auschwitz. [[w:Emil Fackenheim|Emil Fackenheim]] spiega: {{citazione|At its apex, the God of Aristotle is... the prime mover of the universe and the ultimate cause of what order there is in it. Even so, however, he is not beyond the universe but only the highest part of it. All this is in sharp contrast to the God of the Tenach, who makes His first appearance as Creator of heaven and earth. He does not create earth alone while dwelling Himself in heaven. He rather creates heaven – heaven fully as much as earth. And yet, though infinitely above the world and the humanity that is part of it, He creates man – him alone – in His very own image! The God of Aristotle does no such thing.|Emil L. Fackenheim, ''What Is Judaism?'' (New York: Macmillan, 1987), 108–109}} Il dio di Aristotele non comanda nulla e non stipula alcun patto o alleanza. Non chiede nulla e non esige nulla, perché non ha bisogno di nulla. Semplicemente "è", senza significato o importanza. La filosofia ellenistica che abbraccia un tale dio è sempre stata ostile al Dio di Abramo, come anche ai figli di Abramo, che sono i Suoi testimoni. Dice Fackenheim: "Having created heaven and earth, the God of Abraham, as it were, ''Himself'' walks in the garden".<ref>Emil L. Fackenheim, ''God’s Presence in History: Jewish Affirmations and Philosophical Reflections'' (New York: Harper & Row, 1970), 40.</ref> Il che significa: Colui che è infinitamente ''aldilà'' di tutto ciò che esiste, è immediatamente presente ''in tutto'' ciò che esiste, rendendo l’''aldilà'' e l’''interiore'' sinonimi. Solo così inteso può Egli essere inteso come il ''Creatore'', che nel costante movimento della creazione entra in relazione, sia come Re che come Padre, con l'essere umano creato a Sua immagine e somiglianza. === L'eclissi di luce dell'Illuminismo === Nelle Scritture sta scritto: "Il comandamento è la lampada e la Torah è la luce" ({{passo biblico2|Proverbi|6:23}}), e l'Illuminismo fu proprio l'eclissi della Luce della Torah. Quando ci sforziamo di identificare gli elementi della civiltà occidentale e della cultura tedesca che hanno contribuito all'Olocausto, l'ultimo posto a cui guardiamo è l'[[w:Illuminismo in Germania|Illuminismo tedesco]]. Dopotutto, da quell'Illuminismo abbiamo i principi del governo democratico, dei diritti civili, della ricerca scientifica, dell'istruzione organizzata, del progresso tecnologico e altro ancora. Come poteva, allora, l'Illuminismo, un movimento che sembra aver glorificato "l'uomo" e portato così tanto di "progressista", avere qualcosa a che fare con l'Olocausto? [[w:Immanuel Kant|Immanuel Kant]] offre questa breve definizione di Illuminismo: "L'Illuminismo è la liberazione dell'uomo dalla tutela che egli stesso si è imposto. La tutela è l'incapacità dell'uomo di usare il proprio intelletto senza la guida di un altro. Questa tutela è imposta a se stesso quando la sua causa non risiede nella mancanza di ragione, ma nella mancanza di risolutezza e coraggio".<ref>Citato in Emil L. Fackenheim, ''Quest for Past and Future: Essays in Jewish Theology'' (Bloomington: Indiana University Press, 1968), 132–133.</ref> Nell'affermazione di Kant troviamo la nozione di coraggio come coraggio di trascendere, attraverso la risolutezza, qualsiasi legge che possa essere imposta dall'alto. Cos'è la tutela nella sua forma peggiore, da un punto di vista kantiano? È proprio ciò che è più essenziale per il pensiero e l'identità ebraica: la [[Torah]]. Pertanto, afferma Fackenheim, "if the belief in the creation of the world, the reality of biblical miracles, the valid law based on revelation at Sinai, is the foundation of Judaism, then one must say that modern Enlightenment has undermined its foundations".<ref>Emil L. Fackenheim, ''Jewish Philosophers and Jewish Philosophy'', ed. Michael L. Morgan (Bloomington: Indiana University Press, 1996), 48.</ref> E qual è la più urgente delle leggi rivelate sul Monte Sinai? È il divieto di omicidio. L'eclissi della Luce della Torah che caratterizza l'Illuminismo porta in ultima analisi all'indebolimento del divieto di omicidio, entrato nel mondo attraverso gli ebrei. I filosofi dell'Illuminismo erano noti per essere i paladini dei diritti umani e della tolleranza, ma raramente riservavano la stessa considerazione agli ebrei e all'ebraismo. Questo atteggiamento non era il risultato di una ricaduta in pregiudizi culturali perenni; no, era una caratteristica distintiva della prospettiva filosofica dell'Illuminismo stesso. Era una visione che giustificava e legittimava il loro antisemitismo filosofico, poiché gli ebrei rappresentavano tutto ciò che riguardava la mentalità non illuminata a cui l'Illuminismo si opponeva. Ricordiamo l'insistenza di Kant sul fatto che "l'eutanasia dell'ebraismo è la pura religione morale".<ref>Immanuel Kant, ''Conflict of the Faculties'', trad. Mary J. Gregor (New York: Abaris, 1979), 95.</ref> L'eutanasia dell'ebraismo richiede l'eliminazione del Dio di Abramo e dei suoi testimoni perenni: gli ebrei. Nel 1834 [[w:Heinrich Heine|Heinrich Heine]], egli stesso figlio dell'Illuminismo, scrisse: {{citazione|The German revolution will not be milder and gentler because it was preceded by Kant’s ''Critique'', by Fichte’s transcendental idealism, and even by the philosophy of nature. These doctrines have developed revolutionary forces that wait only for the day when they can erupt and fill the world with terror and admiration. There will be Kantians forthcoming who will hear nothing of piety in the visible world, and with sword and axe will mercilessly churn the soil of our European life, to exterminate the very last roots of the past. Armed Fichteans will enter the lists, whose fanaticism of will can be curbed neither by fear nor by self-interest... But the most terrible of all would be natural philosophers..., [who] can call up the demoniac energies of ancient Germanic pantheism... A play will be performed in Germany that will make the French Revolution seem like a harmless idyll in comparison.|Heinrich Heine, "The German Revolution" in ''Words of Prose'', trad. E. B. Ashton (New York: L. B. Fischer, 1943), 51–53}} Purtroppo, Heine si dimostrò un profeta. L'Olocausto non avvenne a causa di una rottura con "these doctrines" dell'Illuminismo, come le chiama Heine, ma, in parte, proprio perché i nazisti erano così profondamente versati nella storia intellettuale e culturale tedesca emersa dall'Illuminismo. [[:en:w:Hans Sluga|Hans Sluga]] definisce [[w:Johann Gottlieb Fichte|Johann Gottleib Fichte]] (1762-1814) "the first National Socialist philosopher".<ref>Hans Sluga, ''Heidegger’s Crisis: Philosophy and Politics in Nazi Germany'' (Cambridge, MA: Harvard University Press, 1993), 29.</ref> I fichtiani a cui Heine si riferisce sono armati della nozione fichtiana secondo cui "the real destiny of the human race... is ''in freedom to make itself'' what it really is originally".<ref>Johann Gottlieb Fichte, ''Addresses to the German Nation'', cur. George Armstrong Kelly (New York: Harper & Row, 1968), 40; corsivo aggiunto.</ref> Qui non si tratta di una creazione dell'essere umano a immagine divina. Ciò che abbiamo, in una parola, è idolatria. Afferma Fackenheim: "The new idolator of Nazi Germany is not enlightened, but he is most decidedly... a bastard child of the Age of Enlightenment".<ref>Emil L. Fackenheim, ''Encounters Between Judaism and Modern Philosophy'' (New York: Basic Books, 1993), 187.</ref> L’idolatra nazista può essere un figlio illegittimo dell’Età dell’Illuminismo, ma ne è la conseguenza logica. La critica kantiana deduce tutto dall'io pensante e quindi, come comprese [[Franz Rosenzweig]], "riduce il mondo al sé percettivo".<ref>Si veda l'introduzione di Nahum Glatzer a Franz Rosenzweig, ''Understanding the Sick and the Healthy'', trad. Nahum Glatzer (Cambridge, MA: Harvard University Press, 1999), 24.</ref> Lungi dal glorificare l'essere umano, tuttavia, la riduzione del mondo al sé percettivo è radicalmente disumanizzante. "Alla svolta copernicana di Copernico, che fece dell'uomo un granello di polvere nel tutto", afferma Rosenzweig, "corrisponde la svolta copernicana di Kant, che, a titolo di compensazione, lo pose sul trono del mondo, molto più precisamente di quanto Kant pensasse. A quella mostruosa degradazione dell'uomo, che gli costò la sua umanità, questa correzione senza misura andò, parimenti, a costo della sua umanità".<ref>[[Franz Rosenzweig]], ''Franz Rosenzweig’s “The New Thinking”'' trad. & cur. Alan Udoff e Barbara E. Galli (Syracuse, NY: Syracuse University Press, 1999), 96.</ref> Insistendo sulla creazione di se stesso a propria immagine, l'essere umano perde la sua immagine umana. Alla fine tenta di rimodellare e quindi disumanizza l’''altro'' essere umano assolvendosi da ogni legge tranne quella che ha origine dal sé. Contrariamente a quanto definito dal comandamento divino, l'essere umano è "determinabile", dice Kant, "solo attraverso leggi che egli stesso si dà attraverso la ragione".<ref>Immanuel Kant, ''The Critique of Practical Reason'', trad. Lewis White Beck (New York: Macmillan, 1985), 101.</ref> Dio perde significato non solo come Legislatore e Redentore, ma anche come Maestro e Padre. Una volta che Dio è superfluo, lo è altrettanto ogni essere umano. Dopo Kant, abbiamo Hegel. I suoi scritti, come ha osservato [[:en:w:Paul Lawrence Rose|Paul Lawrence Rose]], "conform to the basic Kantian idealist and moralist critique of Judaism. Judaism is seen as the epitome of an unfree psyche".<ref>Paul Lawrence Rose, ''German Question/Jewish Question: Revolutionary Antisemitism from Kant to Wagner'' (Princeton, NJ: Princeton University Press, 1990), 109.</ref> Similmente a Kant, Hegel sostiene che la religione rivelata sia in ultima analisi soppiantata dalla conoscenza assoluta della ragione. Con Hegel, il sé percettivo che si è appropriato del mondo si appropria della divinità. E così, la sequenza di pensiero che colloca il sé al centro marginalizza sia Dio che il prossimo. L'altro essere umano non interpella chi sono nella mia responsabilità per un altro, ma piuttosto minaccia chi sono nel mio essere-per-me stesso: l'altro essere umano diventa una minaccia alla mia libertà e autonomia. Per gli hegeliani di sinistra come Feuerbach e Marx, afferma Fackenheim, "‘l'identità della natura divina e dell'umano’ diventa l'appropriazione della natura divina da parte dell'umano" attraverso lo spirito.<ref>Fackenheim, ''Encounters Between Judaism and Modern Philosophy'', 135 - mia trad.</ref> Poi, con l'avvento di Nietzsche, Dio è ciò a cui si aspira in un'auto-apoteosi nell’''Übermensch'',<ref>Questo è il significato dell’affermazione di Nietzsche secondo cui “nell’uomo creatura e creatore sono uniti”; cfr. Friedrich Nietzsche, ''Beyond Good and Evil'', trad. Walter Kaufmann (New York: Vintage Books, 1966), 154.</ref> e gli altri esseri umani sono meri ''Untermenschen''. Con questa svolta nella storia della filosofia speculativa, con l'identificazione del pensiero con l'essere, la divinità viene interiorizzata e infine sostituita, nelle parole di Fackenheim, "da un'umanità potenzialmente infinita nella sua moderna ‘libertà’".<ref>Fackenheim, ''Encounters Between Judaism and Modern Philosophy'', 191.</ref> Infinita nella sua "libertà moderna", l'"umanità" è libera da ogni principio limitante e quindi elimina l'Uno Infinito, cosicché gli esseri umani sono liberi di fare tutto ciò che desiderano e immaginano, perdendo quindi la loro umanità. Il Dio di Abramo è morto, come dichiarò Nietzsche.<ref>La famosa dichiarazione di Nietzsche sulla morte di Dio appare nella sezione 125 de ''[[w:La gaia scienza|La gaia scienza]]''; cfr. [[w:Friedrich Nietzsche|Friedrich Nietzsche]], ''The Gay Science'', trad. {{en}}Walter Kaufmann (New York: Vintage Books, 1974).</ref> E nasce il dio del nazionalsocialismo. Alla riunione del giugno 1939 dell'Associazione Nazionalsocialista dei Docenti Universitari, il suo presidente [[:en:w:Walter Schultze|Walter Schultze]] (1894–1979) dichiarò davanti all'assemblea: "Ciò che i grandi pensatori dell'idealismo tedesco sognavano, e ciò che in definitiva era il nocciolo del loro desiderio di libertà, finalmente prende vita, assume realtà... Mai l'idea tedesca di libertà è stata concepita con maggiore vita e maggior vigore che ai nostri giorni".<ref>Citato in George L. Mosse, ''Nazi Culture'' (New York: Grosset & Dunlop, 1966), 316.</ref> Schultze comprese il legame tra la tradizione filosofica tedesca e il nazionalsocialismo. Infatti, nel 1940, quasi la metà dei filosofi tedeschi erano membri del Partito Nazista.<ref>Sluga, ''Heidegger’s Crisis'', 7.</ref> Nel 1923, Hermann Schwarz si distinse diventando il primo filosofo a sostenere pubblicamente i nazisti. Era accompagnato da [[w:Bruno Bauch|Bruno Bauch]] (1877–1942), Max Wundt, Hans Heyse (1891–1976) e [[w:Nicolai Hartmann|Nicolai Hartmann]] (1882–1950), tutti idealisti kantiani; poi c'erano il noto hegeliano [[:en:w:Theodor Haering|Theodor Haering]] (1884-1964) e i nietzschiani [[w:Alfred Baeumler|Alfred Bäumler]] (1887-1968) ed [[:en:w:Ernst Krieck|Ernst Krieck]] (1882-1947). Il più rinomato di tutti, naturalmente, fu [[Martin Heidegger]]. Il pensiero che iniziò con l'idealismo kantiano e culminò nei campi di concentramento deve mirare all'eliminazione del pensiero ebraico eteronomo e dell'ebraismo da cui esso scaturisce, poiché entrambi abbracciano l'autorità assoluta del Santo. La testimonianza ebraica al cuore dell'ebraismo è ciò di cui Heidegger si lamentava quando si lamentava della "ebraicizzazione" della mente tedesca.<ref>Riportato in ''Die Zeit'', 29 dicembre 1989; cfr. Theodore Kisiel, "Heidegger’s Apology: Biography and Philosophy and Ideology", in Tom Rockmore e Joseph Margolis, eds., ''The Heidegger Case: On Philosophy and Politics'' (Philadelphia: Temple University Press, 1992), 12.</ref> E così, il filosofo si unì al Partito che avrebbe provveduto a una soluzione finale al problema dell'ebraicizzazione. === Il filosofo nazista === === Speculazione e sterminio === {{clear}} == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|25%|24 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 9]] cxo2w8q05zlnoitqczvvxd5u4x6j0z6 478135 478134 2025-06-25T21:39:17Z Monozigote 19063 /* Il filosofo nazista */ testo 478135 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|KZ Neuengamme Gedenk Skulptur.jpg|750px|La scultura ''Der sterbende Häftling'' ("Il prigioniero morente") di Françoise Salmon al memoriale del [[w:Campo di concentramento di Neuengamme|Campo di concentramento di Neuengamme]]}} == Il fondamento filosofico dell'Olocausto == Tra le spiegazioni su ciò che ha portato all'Olocausto, si trova in primo piano, e a ragione, la storia dell'antisemitismo cristiano. Tale storia è una condizione necessaria per lo sterminio degli ebrei d'Europa. È una condizione che siamo fin troppo pronti a sottolineare, poiché siamo fin troppo pronti ad accusare la religione di tutto il male che si è abbattuto sul mondo. Siamo molto meno inclini a esaminare la condizione filosoficamente necessaria per lo sterminio degli ebrei. I grandi filosofi della tradizione occidentale sono sempre stati considerati una fonte di saggezza e illuminazione, il fondamento stesso della civiltà occidentale. Siamo quindi molto più riluttanti a esaminare il fondamento stesso della nostra comprensione, anche se crolla sotto i nostri piedi. [[w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]] ribadisce questo punto in una scena del suo romanzo ''Sunrise over Hell (Alba sull'inferno)'', che alcuni ritengono il primo romanzo sull'Olocausto. In questo sconvolgente racconto, Harry Preleshnik, un internato di Auschwitz modellato sull'autore, scopre il cadavere del suo amico Marcel Safran. Scrive Ka-tzetnik: "Prone before his eyes, he saw the value of all humanity’s teachings, ethics and beliefs, from the dawn of mankind to this day... He bent, stretched out his hand and caressed the head of the Twentieth Century".<ref>[[:en:w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]], ''Sunrise over Hell'', trad. Nina De-Nur (London: W. H. Allen, 1977), 111. Publ. {{Lingue|it}} ''Alba sull'inferno'', Milano, Rizzoli, 1978. Per una discussione più approfondita di Ka-tzetnik, cfr. il [[Connessioni/Capitolo 3|Capitolo 3]].</ref> "Il valore di tutti gli insegnamenti dell'umanità" è incarnato nella tradizione ontologica della filosofia occidentale, che, a differenza del cristianesimo, cancella ogni principio limitante. Lo stoico del I secolo [[w:Lucio Anneo Seneca|Seneca]] (4 AEV – 65 EV) insegnava che chiunque volesse sottomettere il mondo a sé stesso avrebbe dovuto sottomettersi alla ragione (cfr. ''[[w:Epistulae morales ad Lucilium|Epistulae morales]]'' 37:4). Questo, in effetti, è il progetto ontologico: governare la realtà attraverso la ragione e quindi appropriarsi di tutto ciò che è al di fuori di sé per sé. Come avrebbe affermato [[Baruch Spinoza]] (1632–77) secoli dopo, poiché abbiamo la ragione, "non abbiamo bisogno di alcuna rivelazione privilegiata delle intenzioni di Dio".<ref>Cfr. anche {{en}}Benedict de Spinoza, ''Ethics'', trad. Edwin Curley (New York: Penguin, 2005), viii.</ref> La conoscenza è la chiave per l'appropriazione divina della realtà da parte della ragione. "Conoscere", dice [[Emmanuel Levinas]], "non è semplicemente registrare, ma sempre comprendere",<ref>[[Emmanuel Levinas]], ''Totality and Infinity'', trad. Alphonso Lingis (Pittsburgh: Duquesne University Press, 1969), 82.</ref> dal latino ''prehendere'', "prendere" o "afferrare". In quanto comprensione, il progetto della conoscenza è "acquisizione" o "possesso", i significati del nome ''Kayin'' o Caino, che possedette suo fratello Abele nel modo più assoluto nell'atto dell'omicidio, attraverso il quale l'alterità dell'altro, suo fratello, svanì nel modo più radicale. La conoscenza riduce il bene e il male a ''concetti'', nient'altro che la comprensione e, in ultima analisi, la volontà dell'ego conoscente. La conoscenza, quindi, è potere, e il potere è l'unica realtà. La parola ebraica per "conoscenza" è ''daat'', che significa "unire" in un'identità, cosicché, una volta ridotte le categorie a un concetto umano insito nel sé percettivo, e non a un comandamento divino dall'aldilà, non vi è distinzione tra bene e male. Da qui l'avvertimento biblico: Nel giorno in cui mangerai del frutto dall'albero della conoscenza del bene e del male, certamente morirai ({{passo biblico2|Genesi|2:17}}). Non solo morirai – quel che è peggio, ucciderai, come nel caso di Caino. Con Caino vediamo il primo posizionamento dell'ego pensante al centro di tutte le cose, la prima affermazione di "Sento, penso, io, io, io, dunque io sono", la frase per la quale è famoso [[w:Cartesio|René Descartes]] (1596-1650), il padre della filosofia moderna.<ref>René Descartes, ''Meditations on First Philosophy'', 3a ed., trad. {{en}}Donald A. Cress (Indianapolis, IN: Hackett, 1993), 19–20.</ref> ''Io'' penso, dunque sono. Io penso, dunque ''sono''. E no che sono stato creato, comandato o altrimenti scelto, dunque sono. Moriamo – e uccidiamo – il giorno in cui mangiamo dall'Albero della Conoscenza del Bene e del Male perché in quel giorno trasformiamo il bene e il male in un'identità autodeterminata, in un vano tentativo di diventare "come dio", il dio egocentrico dello Stesso, che, in quanto arbitro speculativo del bene e del male secondo la sua ragione autoproclamata, è al di là di ogni rapporto pattizio, al di là del bene e del male. Ecco perché moriamo – moriamo come morì l’anima di Caino, per omicidio – quando mangiamo il frutto della filosofia ontologica speculativa che per millenni ha plasmato la coscienza dell’Occidente, da cui è nato l’Olocausto. Se "il mondo rimase in silenzio", come afferma il titolo originale del memoir di [[Elie Wiesel]], ''[[w:La notte (romanzo)|Un di velt hot geshvign]]'',<ref>[[Elie Wiesel]], ''Un di velt hot geshvign'' (Buenos Aires: Tsentṛ al-farband fun Poulishe Yidn in Argentina, 1956).</ref> è perché il mondo assunse una silenziosa indifferenza stoica verso il massacro in carne e ossa degli ebrei. Dopotutto, la carne è il nemico e la prigione dell'anima, come insegnava Platone (''Fedone'', 80a-81a). Con la ragione come assoluto del filosofo, la necessità logica è assoluta, e con la necessità logica arriva la necessità naturale, così che tutte le cose sono intrappolate in un'ineluttabile catena di causa ed effetto. Una volta che l'ego pensante si situa al centro della realtà, la sofferenza fisica, sia in sé che nell'altro, diventa una questione di indifferenza ragionata. "Che cosa è nobile?" si chiede Seneca. "Sopportare con soddisfazione le avversità, accettando qualsiasi cosa accada come se l'avessimo voluta per noi stessi" (''Naturalium Quaestionum Libros'' 3:4). Poiché tutto ciò che è, è necessariamente così, diceva [[w:Marco Aurelio|Marco Aurelio]] (121-180), "essere scontenti di qualsiasi cosa accada" degrada l'anima (''Meditazioni'' 2:16). Spinoza, l'ebreo che era un filosofo ma la cui filosofia era tutt'altro che ebraica, diceva: ''non ridere, non lugere, neque detestari, sed intelligere'' - "Non ridere, non piangere, non maledire nulla, ma comprendere".<ref>Benedictus Spinoza, ''Tractatus Politicus'', in ''Opera'', Vol. 2, 3a ed. (The Hague: Martinus Nijhoff, 1914), 4.</ref> Da qui la consolazione della filosofia, che raccomanda, riguardo all'Olocausto, di non piangere, ma comprendere. Non c'è da stupirsi che Yehiel De-Nur una volta mi abbia detto accigliato: "''Philosophy'' – it is a ''shabby'' word". L'indifferenza filosofica verso la sofferenza dell'altro essere umano deriva dall'indifferenza dell'Essere stesso, il cui dio è, nella migliore delle ipotesi, il [[w:Motore immobile|Motore Immobile]]. Il Motore Immobile non è mosso da nulla, né dalla sofferenza né dalla gioia, né dalla giustizia né dalla trasgressione, e men che meno dalla preghiera. Inteso in termini di perfezione, e non di santità, il dio ontologico dei filosofi non ha bisogno di nulla, come afferma Aristotele: non ama né ha bisogno di amore (cfr. ''Etica Eudemia'', VII, 1244b; cfr. anche ''Metafisica'', 1071b-1072b). Né ha un nome: non gridiamo "Padre!" al Primo Principio. Il Logos non è il Creatore che ci chiama alla gioia, che è scosso dalla preghiera, che nel Suo amore per noi ci comanda di amare gli altri, o che soffre per ogni nostro tradimento dell'altro essere umano. Collassando dio, mondo e umanità nelle categorie del pensiero, la tradizione ontologica speculativa colloca dio nel sé e il sé in un isolamento che alla fine si rivelerebbe fonte di puro orrore. Fin dall'inizio, quindi, la filosofia occidentale non solo si è opposta al pensiero ebraico, ma ha anche generato un modo di pensare che avrebbe aperto la strada ad Auschwitz. [[w:Emil Fackenheim|Emil Fackenheim]] spiega: {{citazione|At its apex, the God of Aristotle is... the prime mover of the universe and the ultimate cause of what order there is in it. Even so, however, he is not beyond the universe but only the highest part of it. All this is in sharp contrast to the God of the Tenach, who makes His first appearance as Creator of heaven and earth. He does not create earth alone while dwelling Himself in heaven. He rather creates heaven – heaven fully as much as earth. And yet, though infinitely above the world and the humanity that is part of it, He creates man – him alone – in His very own image! The God of Aristotle does no such thing.|Emil L. Fackenheim, ''What Is Judaism?'' (New York: Macmillan, 1987), 108–109}} Il dio di Aristotele non comanda nulla e non stipula alcun patto o alleanza. Non chiede nulla e non esige nulla, perché non ha bisogno di nulla. Semplicemente "è", senza significato o importanza. La filosofia ellenistica che abbraccia un tale dio è sempre stata ostile al Dio di Abramo, come anche ai figli di Abramo, che sono i Suoi testimoni. Dice Fackenheim: "Having created heaven and earth, the God of Abraham, as it were, ''Himself'' walks in the garden".<ref>Emil L. Fackenheim, ''God’s Presence in History: Jewish Affirmations and Philosophical Reflections'' (New York: Harper & Row, 1970), 40.</ref> Il che significa: Colui che è infinitamente ''aldilà'' di tutto ciò che esiste, è immediatamente presente ''in tutto'' ciò che esiste, rendendo l’''aldilà'' e l’''interiore'' sinonimi. Solo così inteso può Egli essere inteso come il ''Creatore'', che nel costante movimento della creazione entra in relazione, sia come Re che come Padre, con l'essere umano creato a Sua immagine e somiglianza. === L'eclissi di luce dell'Illuminismo === Nelle Scritture sta scritto: "Il comandamento è la lampada e la Torah è la luce" ({{passo biblico2|Proverbi|6:23}}), e l'Illuminismo fu proprio l'eclissi della Luce della Torah. Quando ci sforziamo di identificare gli elementi della civiltà occidentale e della cultura tedesca che hanno contribuito all'Olocausto, l'ultimo posto a cui guardiamo è l'[[w:Illuminismo in Germania|Illuminismo tedesco]]. Dopotutto, da quell'Illuminismo abbiamo i principi del governo democratico, dei diritti civili, della ricerca scientifica, dell'istruzione organizzata, del progresso tecnologico e altro ancora. Come poteva, allora, l'Illuminismo, un movimento che sembra aver glorificato "l'uomo" e portato così tanto di "progressista", avere qualcosa a che fare con l'Olocausto? [[w:Immanuel Kant|Immanuel Kant]] offre questa breve definizione di Illuminismo: "L'Illuminismo è la liberazione dell'uomo dalla tutela che egli stesso si è imposto. La tutela è l'incapacità dell'uomo di usare il proprio intelletto senza la guida di un altro. Questa tutela è imposta a se stesso quando la sua causa non risiede nella mancanza di ragione, ma nella mancanza di risolutezza e coraggio".<ref>Citato in Emil L. Fackenheim, ''Quest for Past and Future: Essays in Jewish Theology'' (Bloomington: Indiana University Press, 1968), 132–133.</ref> Nell'affermazione di Kant troviamo la nozione di coraggio come coraggio di trascendere, attraverso la risolutezza, qualsiasi legge che possa essere imposta dall'alto. Cos'è la tutela nella sua forma peggiore, da un punto di vista kantiano? È proprio ciò che è più essenziale per il pensiero e l'identità ebraica: la [[Torah]]. Pertanto, afferma Fackenheim, "if the belief in the creation of the world, the reality of biblical miracles, the valid law based on revelation at Sinai, is the foundation of Judaism, then one must say that modern Enlightenment has undermined its foundations".<ref>Emil L. Fackenheim, ''Jewish Philosophers and Jewish Philosophy'', ed. Michael L. Morgan (Bloomington: Indiana University Press, 1996), 48.</ref> E qual è la più urgente delle leggi rivelate sul Monte Sinai? È il divieto di omicidio. L'eclissi della Luce della Torah che caratterizza l'Illuminismo porta in ultima analisi all'indebolimento del divieto di omicidio, entrato nel mondo attraverso gli ebrei. I filosofi dell'Illuminismo erano noti per essere i paladini dei diritti umani e della tolleranza, ma raramente riservavano la stessa considerazione agli ebrei e all'ebraismo. Questo atteggiamento non era il risultato di una ricaduta in pregiudizi culturali perenni; no, era una caratteristica distintiva della prospettiva filosofica dell'Illuminismo stesso. Era una visione che giustificava e legittimava il loro antisemitismo filosofico, poiché gli ebrei rappresentavano tutto ciò che riguardava la mentalità non illuminata a cui l'Illuminismo si opponeva. Ricordiamo l'insistenza di Kant sul fatto che "l'eutanasia dell'ebraismo è la pura religione morale".<ref>Immanuel Kant, ''Conflict of the Faculties'', trad. Mary J. Gregor (New York: Abaris, 1979), 95.</ref> L'eutanasia dell'ebraismo richiede l'eliminazione del Dio di Abramo e dei suoi testimoni perenni: gli ebrei. Nel 1834 [[w:Heinrich Heine|Heinrich Heine]], egli stesso figlio dell'Illuminismo, scrisse: {{citazione|The German revolution will not be milder and gentler because it was preceded by Kant’s ''Critique'', by Fichte’s transcendental idealism, and even by the philosophy of nature. These doctrines have developed revolutionary forces that wait only for the day when they can erupt and fill the world with terror and admiration. There will be Kantians forthcoming who will hear nothing of piety in the visible world, and with sword and axe will mercilessly churn the soil of our European life, to exterminate the very last roots of the past. Armed Fichteans will enter the lists, whose fanaticism of will can be curbed neither by fear nor by self-interest... But the most terrible of all would be natural philosophers..., [who] can call up the demoniac energies of ancient Germanic pantheism... A play will be performed in Germany that will make the French Revolution seem like a harmless idyll in comparison.|Heinrich Heine, "The German Revolution" in ''Words of Prose'', trad. E. B. Ashton (New York: L. B. Fischer, 1943), 51–53}} Purtroppo, Heine si dimostrò un profeta. L'Olocausto non avvenne a causa di una rottura con "these doctrines" dell'Illuminismo, come le chiama Heine, ma, in parte, proprio perché i nazisti erano così profondamente versati nella storia intellettuale e culturale tedesca emersa dall'Illuminismo. [[:en:w:Hans Sluga|Hans Sluga]] definisce [[w:Johann Gottlieb Fichte|Johann Gottleib Fichte]] (1762-1814) "the first National Socialist philosopher".<ref>Hans Sluga, ''Heidegger’s Crisis: Philosophy and Politics in Nazi Germany'' (Cambridge, MA: Harvard University Press, 1993), 29.</ref> I fichtiani a cui Heine si riferisce sono armati della nozione fichtiana secondo cui "the real destiny of the human race... is ''in freedom to make itself'' what it really is originally".<ref>Johann Gottlieb Fichte, ''Addresses to the German Nation'', cur. George Armstrong Kelly (New York: Harper & Row, 1968), 40; corsivo aggiunto.</ref> Qui non si tratta di una creazione dell'essere umano a immagine divina. Ciò che abbiamo, in una parola, è idolatria. Afferma Fackenheim: "The new idolator of Nazi Germany is not enlightened, but he is most decidedly... a bastard child of the Age of Enlightenment".<ref>Emil L. Fackenheim, ''Encounters Between Judaism and Modern Philosophy'' (New York: Basic Books, 1993), 187.</ref> L’idolatra nazista può essere un figlio illegittimo dell’Età dell’Illuminismo, ma ne è la conseguenza logica. La critica kantiana deduce tutto dall'io pensante e quindi, come comprese [[Franz Rosenzweig]], "riduce il mondo al sé percettivo".<ref>Si veda l'introduzione di Nahum Glatzer a Franz Rosenzweig, ''Understanding the Sick and the Healthy'', trad. Nahum Glatzer (Cambridge, MA: Harvard University Press, 1999), 24.</ref> Lungi dal glorificare l'essere umano, tuttavia, la riduzione del mondo al sé percettivo è radicalmente disumanizzante. "Alla svolta copernicana di Copernico, che fece dell'uomo un granello di polvere nel tutto", afferma Rosenzweig, "corrisponde la svolta copernicana di Kant, che, a titolo di compensazione, lo pose sul trono del mondo, molto più precisamente di quanto Kant pensasse. A quella mostruosa degradazione dell'uomo, che gli costò la sua umanità, questa correzione senza misura andò, parimenti, a costo della sua umanità".<ref>[[Franz Rosenzweig]], ''Franz Rosenzweig’s “The New Thinking”'' trad. & cur. Alan Udoff e Barbara E. Galli (Syracuse, NY: Syracuse University Press, 1999), 96.</ref> Insistendo sulla creazione di se stesso a propria immagine, l'essere umano perde la sua immagine umana. Alla fine tenta di rimodellare e quindi disumanizza l’''altro'' essere umano assolvendosi da ogni legge tranne quella che ha origine dal sé. Contrariamente a quanto definito dal comandamento divino, l'essere umano è "determinabile", dice Kant, "solo attraverso leggi che egli stesso si dà attraverso la ragione".<ref>Immanuel Kant, ''The Critique of Practical Reason'', trad. Lewis White Beck (New York: Macmillan, 1985), 101.</ref> Dio perde significato non solo come Legislatore e Redentore, ma anche come Maestro e Padre. Una volta che Dio è superfluo, lo è altrettanto ogni essere umano. Dopo Kant, abbiamo Hegel. I suoi scritti, come ha osservato [[:en:w:Paul Lawrence Rose|Paul Lawrence Rose]], "conform to the basic Kantian idealist and moralist critique of Judaism. Judaism is seen as the epitome of an unfree psyche".<ref>Paul Lawrence Rose, ''German Question/Jewish Question: Revolutionary Antisemitism from Kant to Wagner'' (Princeton, NJ: Princeton University Press, 1990), 109.</ref> Similmente a Kant, Hegel sostiene che la religione rivelata sia in ultima analisi soppiantata dalla conoscenza assoluta della ragione. Con Hegel, il sé percettivo che si è appropriato del mondo si appropria della divinità. E così, la sequenza di pensiero che colloca il sé al centro marginalizza sia Dio che il prossimo. L'altro essere umano non interpella chi sono nella mia responsabilità per un altro, ma piuttosto minaccia chi sono nel mio essere-per-me stesso: l'altro essere umano diventa una minaccia alla mia libertà e autonomia. Per gli hegeliani di sinistra come Feuerbach e Marx, afferma Fackenheim, "‘l'identità della natura divina e dell'umano’ diventa l'appropriazione della natura divina da parte dell'umano" attraverso lo spirito.<ref>Fackenheim, ''Encounters Between Judaism and Modern Philosophy'', 135 - mia trad.</ref> Poi, con l'avvento di Nietzsche, Dio è ciò a cui si aspira in un'auto-apoteosi nell’''Übermensch'',<ref>Questo è il significato dell’affermazione di Nietzsche secondo cui “nell’uomo creatura e creatore sono uniti”; cfr. Friedrich Nietzsche, ''Beyond Good and Evil'', trad. Walter Kaufmann (New York: Vintage Books, 1966), 154.</ref> e gli altri esseri umani sono meri ''Untermenschen''. Con questa svolta nella storia della filosofia speculativa, con l'identificazione del pensiero con l'essere, la divinità viene interiorizzata e infine sostituita, nelle parole di Fackenheim, "da un'umanità potenzialmente infinita nella sua moderna ‘libertà’".<ref>Fackenheim, ''Encounters Between Judaism and Modern Philosophy'', 191.</ref> Infinita nella sua "libertà moderna", l'"umanità" è libera da ogni principio limitante e quindi elimina l'Uno Infinito, cosicché gli esseri umani sono liberi di fare tutto ciò che desiderano e immaginano, perdendo quindi la loro umanità. Il Dio di Abramo è morto, come dichiarò Nietzsche.<ref>La famosa dichiarazione di Nietzsche sulla morte di Dio appare nella sezione 125 de ''[[w:La gaia scienza|La gaia scienza]]''; cfr. [[w:Friedrich Nietzsche|Friedrich Nietzsche]], ''The Gay Science'', trad. {{en}}Walter Kaufmann (New York: Vintage Books, 1974).</ref> E nasce il dio del nazionalsocialismo. Alla riunione del giugno 1939 dell'Associazione Nazionalsocialista dei Docenti Universitari, il suo presidente [[:en:w:Walter Schultze|Walter Schultze]] (1894–1979) dichiarò davanti all'assemblea: "Ciò che i grandi pensatori dell'idealismo tedesco sognavano, e ciò che in definitiva era il nocciolo del loro desiderio di libertà, finalmente prende vita, assume realtà... Mai l'idea tedesca di libertà è stata concepita con maggiore vita e maggior vigore che ai nostri giorni".<ref>Citato in George L. Mosse, ''Nazi Culture'' (New York: Grosset & Dunlop, 1966), 316.</ref> Schultze comprese il legame tra la tradizione filosofica tedesca e il nazionalsocialismo. Infatti, nel 1940, quasi la metà dei filosofi tedeschi erano membri del Partito Nazista.<ref>Sluga, ''Heidegger’s Crisis'', 7.</ref> Nel 1923, Hermann Schwarz si distinse diventando il primo filosofo a sostenere pubblicamente i nazisti. Era accompagnato da [[w:Bruno Bauch|Bruno Bauch]] (1877–1942), Max Wundt, Hans Heyse (1891–1976) e [[w:Nicolai Hartmann|Nicolai Hartmann]] (1882–1950), tutti idealisti kantiani; poi c'erano il noto hegeliano [[:en:w:Theodor Haering|Theodor Haering]] (1884-1964) e i nietzschiani [[w:Alfred Baeumler|Alfred Bäumler]] (1887-1968) ed [[:en:w:Ernst Krieck|Ernst Krieck]] (1882-1947). Il più rinomato di tutti, naturalmente, fu [[Martin Heidegger]]. Il pensiero che iniziò con l'idealismo kantiano e culminò nei campi di concentramento deve mirare all'eliminazione del pensiero ebraico eteronomo e dell'ebraismo da cui esso scaturisce, poiché entrambi abbracciano l'autorità assoluta del Santo. La testimonianza ebraica al cuore dell'ebraismo è ciò di cui Heidegger si lamentava quando si lamentava della "ebraicizzazione" della mente tedesca.<ref>Riportato in ''Die Zeit'', 29 dicembre 1989; cfr. Theodore Kisiel, "Heidegger’s Apology: Biography and Philosophy and Ideology", in Tom Rockmore e Joseph Margolis, eds., ''The Heidegger Case: On Philosophy and Politics'' (Philadelphia: Temple University Press, 1992), 12.</ref> E così, il filosofo si unì al Partito che avrebbe provveduto a una soluzione finale al problema dell'ebraicizzazione. === Il filosofo nazista === Nel suo studio ''Heidegger: The Introduction of Nazism into Philosophy'', [[:en:w:Emmanuel Faye|Emmanuel Faye]] dimostra che "la questione del rapporto tra Heidegger e il nazionalsocialismo non è quella del rapporto tra l'impegno personale di un uomo temporaneamente smarrito e un'opera filosofica che rimane quasi inalterata, ma piuttosto quella di un'introduzione deliberata dei fondamenti del nazismo e dell'hitlerismo nella filosofia e nei suoi insegnamenti".<ref>Emmanuel Faye, ''Heidegger: The Introduction of Nazism into Philosophy'', trad. {{en}}Michael B. Smith (New Haven, CT: Yale University Press, 2009), xv - mia trad.</ref> Mentre il nazionalsocialismo estendeva la sua portata in ogni ambito della politica, della cultura, dell'istruzione e dell'impegno intellettuale, la filosofia è "l'area in cui il pericolo si è dimostrato maggiore, perché affrontando la filosofia, il nazismo ha tentato di sovvertire le basi del pensiero e dello spirito".<ref>''Ibid.'', 3.</ref> Il filosofo più influente e ''più pericoloso'' del ventesimo secolo, [[Martin Heidegger]], ha stabilito il legame tra l'identificazione del pensiero con l'essere e della determinazione con l'autenticità. Con Heidegger la speculazione interna del soggetto pensante assume la forma di una volontà di potenza interiore. "L'espressione ‘volontà di potenza’", afferma, "designa il carattere fondamentale dell'ente; ogni ente che è, in quanto è, è volontà di potenza".<ref>Martin Heidegger, ''Nietzsche'', Vol. 1, trad. {{en}}D. Krell (San Francisco: Harper & Row, 1979), 18 - mia trad.</ref> Pertanto Heidegger considera l’''Entschlossenheit'', ovvero la "determinazione" che alimenta la volontà, come la caratteristica distintiva dell’''autenticità'' dell'ente (ma senza elaborare ''perché'' si dovrebbe voler essere autentici, qualunque cosa ciò significhi). E la determinazione è qualcosa che riguarda solo il sé. "Il Dasein ''è il suo stesso sé''", insiste Heidegger, "nell'isolamento originario della determinazione silenziosa".<ref>Martin Heidegger, ''Sein und Zeit'' (Tübingen: Max Niemeyer, 1963), 322.</ref> E la determinazione è ''silenziosa'': nulla qui del pensiero relazionale orientato verso "il bisogno di un altro", come Rosenzweig descrive il "pensiero parlante" che è il pensiero ebraico.<ref>Rosenzweig, ''Franz Rosenzweig’s “The New Thinking”'', 87.</ref> È ''silenziosa'', separata da qualsiasi relazione con l'altro, dal divieto di omicidio rivelato e ''pronunciato'' attraverso il volto dell'altro. Cieca al volto e al suo divieto, la risolutezza di Heidegger fa il gioco dei suoi compatrioti nazisti nel progetto di sterminio degli ebrei in quanto testimoni millenari dell'ebraismo. E lo sapeva. === Speculazione e sterminio === {{clear}} == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|25%|24 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 9]] ie34cfoufc3tqpmfpigp91q48izg22z 478136 478135 2025-06-25T21:40:15Z Monozigote 19063 /* Note */ avanz. 478136 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|KZ Neuengamme Gedenk Skulptur.jpg|750px|La scultura ''Der sterbende Häftling'' ("Il prigioniero morente") di Françoise Salmon al memoriale del [[w:Campo di concentramento di Neuengamme|Campo di concentramento di Neuengamme]]}} == Il fondamento filosofico dell'Olocausto == Tra le spiegazioni su ciò che ha portato all'Olocausto, si trova in primo piano, e a ragione, la storia dell'antisemitismo cristiano. Tale storia è una condizione necessaria per lo sterminio degli ebrei d'Europa. È una condizione che siamo fin troppo pronti a sottolineare, poiché siamo fin troppo pronti ad accusare la religione di tutto il male che si è abbattuto sul mondo. Siamo molto meno inclini a esaminare la condizione filosoficamente necessaria per lo sterminio degli ebrei. I grandi filosofi della tradizione occidentale sono sempre stati considerati una fonte di saggezza e illuminazione, il fondamento stesso della civiltà occidentale. Siamo quindi molto più riluttanti a esaminare il fondamento stesso della nostra comprensione, anche se crolla sotto i nostri piedi. [[w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]] ribadisce questo punto in una scena del suo romanzo ''Sunrise over Hell (Alba sull'inferno)'', che alcuni ritengono il primo romanzo sull'Olocausto. In questo sconvolgente racconto, Harry Preleshnik, un internato di Auschwitz modellato sull'autore, scopre il cadavere del suo amico Marcel Safran. Scrive Ka-tzetnik: "Prone before his eyes, he saw the value of all humanity’s teachings, ethics and beliefs, from the dawn of mankind to this day... He bent, stretched out his hand and caressed the head of the Twentieth Century".<ref>[[:en:w:Yehiel De-Nur|Ka-tzetnik 135633]], ''Sunrise over Hell'', trad. Nina De-Nur (London: W. H. Allen, 1977), 111. Publ. {{Lingue|it}} ''Alba sull'inferno'', Milano, Rizzoli, 1978. Per una discussione più approfondita di Ka-tzetnik, cfr. il [[Connessioni/Capitolo 3|Capitolo 3]].</ref> "Il valore di tutti gli insegnamenti dell'umanità" è incarnato nella tradizione ontologica della filosofia occidentale, che, a differenza del cristianesimo, cancella ogni principio limitante. Lo stoico del I secolo [[w:Lucio Anneo Seneca|Seneca]] (4 AEV – 65 EV) insegnava che chiunque volesse sottomettere il mondo a sé stesso avrebbe dovuto sottomettersi alla ragione (cfr. ''[[w:Epistulae morales ad Lucilium|Epistulae morales]]'' 37:4). Questo, in effetti, è il progetto ontologico: governare la realtà attraverso la ragione e quindi appropriarsi di tutto ciò che è al di fuori di sé per sé. Come avrebbe affermato [[Baruch Spinoza]] (1632–77) secoli dopo, poiché abbiamo la ragione, "non abbiamo bisogno di alcuna rivelazione privilegiata delle intenzioni di Dio".<ref>Cfr. anche {{en}}Benedict de Spinoza, ''Ethics'', trad. Edwin Curley (New York: Penguin, 2005), viii.</ref> La conoscenza è la chiave per l'appropriazione divina della realtà da parte della ragione. "Conoscere", dice [[Emmanuel Levinas]], "non è semplicemente registrare, ma sempre comprendere",<ref>[[Emmanuel Levinas]], ''Totality and Infinity'', trad. Alphonso Lingis (Pittsburgh: Duquesne University Press, 1969), 82.</ref> dal latino ''prehendere'', "prendere" o "afferrare". In quanto comprensione, il progetto della conoscenza è "acquisizione" o "possesso", i significati del nome ''Kayin'' o Caino, che possedette suo fratello Abele nel modo più assoluto nell'atto dell'omicidio, attraverso il quale l'alterità dell'altro, suo fratello, svanì nel modo più radicale. La conoscenza riduce il bene e il male a ''concetti'', nient'altro che la comprensione e, in ultima analisi, la volontà dell'ego conoscente. La conoscenza, quindi, è potere, e il potere è l'unica realtà. La parola ebraica per "conoscenza" è ''daat'', che significa "unire" in un'identità, cosicché, una volta ridotte le categorie a un concetto umano insito nel sé percettivo, e non a un comandamento divino dall'aldilà, non vi è distinzione tra bene e male. Da qui l'avvertimento biblico: Nel giorno in cui mangerai del frutto dall'albero della conoscenza del bene e del male, certamente morirai ({{passo biblico2|Genesi|2:17}}). Non solo morirai – quel che è peggio, ucciderai, come nel caso di Caino. Con Caino vediamo il primo posizionamento dell'ego pensante al centro di tutte le cose, la prima affermazione di "Sento, penso, io, io, io, dunque io sono", la frase per la quale è famoso [[w:Cartesio|René Descartes]] (1596-1650), il padre della filosofia moderna.<ref>René Descartes, ''Meditations on First Philosophy'', 3a ed., trad. {{en}}Donald A. Cress (Indianapolis, IN: Hackett, 1993), 19–20.</ref> ''Io'' penso, dunque sono. Io penso, dunque ''sono''. E no che sono stato creato, comandato o altrimenti scelto, dunque sono. Moriamo – e uccidiamo – il giorno in cui mangiamo dall'Albero della Conoscenza del Bene e del Male perché in quel giorno trasformiamo il bene e il male in un'identità autodeterminata, in un vano tentativo di diventare "come dio", il dio egocentrico dello Stesso, che, in quanto arbitro speculativo del bene e del male secondo la sua ragione autoproclamata, è al di là di ogni rapporto pattizio, al di là del bene e del male. Ecco perché moriamo – moriamo come morì l’anima di Caino, per omicidio – quando mangiamo il frutto della filosofia ontologica speculativa che per millenni ha plasmato la coscienza dell’Occidente, da cui è nato l’Olocausto. Se "il mondo rimase in silenzio", come afferma il titolo originale del memoir di [[Elie Wiesel]], ''[[w:La notte (romanzo)|Un di velt hot geshvign]]'',<ref>[[Elie Wiesel]], ''Un di velt hot geshvign'' (Buenos Aires: Tsentṛ al-farband fun Poulishe Yidn in Argentina, 1956).</ref> è perché il mondo assunse una silenziosa indifferenza stoica verso il massacro in carne e ossa degli ebrei. Dopotutto, la carne è il nemico e la prigione dell'anima, come insegnava Platone (''Fedone'', 80a-81a). Con la ragione come assoluto del filosofo, la necessità logica è assoluta, e con la necessità logica arriva la necessità naturale, così che tutte le cose sono intrappolate in un'ineluttabile catena di causa ed effetto. Una volta che l'ego pensante si situa al centro della realtà, la sofferenza fisica, sia in sé che nell'altro, diventa una questione di indifferenza ragionata. "Che cosa è nobile?" si chiede Seneca. "Sopportare con soddisfazione le avversità, accettando qualsiasi cosa accada come se l'avessimo voluta per noi stessi" (''Naturalium Quaestionum Libros'' 3:4). Poiché tutto ciò che è, è necessariamente così, diceva [[w:Marco Aurelio|Marco Aurelio]] (121-180), "essere scontenti di qualsiasi cosa accada" degrada l'anima (''Meditazioni'' 2:16). Spinoza, l'ebreo che era un filosofo ma la cui filosofia era tutt'altro che ebraica, diceva: ''non ridere, non lugere, neque detestari, sed intelligere'' - "Non ridere, non piangere, non maledire nulla, ma comprendere".<ref>Benedictus Spinoza, ''Tractatus Politicus'', in ''Opera'', Vol. 2, 3a ed. (The Hague: Martinus Nijhoff, 1914), 4.</ref> Da qui la consolazione della filosofia, che raccomanda, riguardo all'Olocausto, di non piangere, ma comprendere. Non c'è da stupirsi che Yehiel De-Nur una volta mi abbia detto accigliato: "''Philosophy'' – it is a ''shabby'' word". L'indifferenza filosofica verso la sofferenza dell'altro essere umano deriva dall'indifferenza dell'Essere stesso, il cui dio è, nella migliore delle ipotesi, il [[w:Motore immobile|Motore Immobile]]. Il Motore Immobile non è mosso da nulla, né dalla sofferenza né dalla gioia, né dalla giustizia né dalla trasgressione, e men che meno dalla preghiera. Inteso in termini di perfezione, e non di santità, il dio ontologico dei filosofi non ha bisogno di nulla, come afferma Aristotele: non ama né ha bisogno di amore (cfr. ''Etica Eudemia'', VII, 1244b; cfr. anche ''Metafisica'', 1071b-1072b). Né ha un nome: non gridiamo "Padre!" al Primo Principio. Il Logos non è il Creatore che ci chiama alla gioia, che è scosso dalla preghiera, che nel Suo amore per noi ci comanda di amare gli altri, o che soffre per ogni nostro tradimento dell'altro essere umano. Collassando dio, mondo e umanità nelle categorie del pensiero, la tradizione ontologica speculativa colloca dio nel sé e il sé in un isolamento che alla fine si rivelerebbe fonte di puro orrore. Fin dall'inizio, quindi, la filosofia occidentale non solo si è opposta al pensiero ebraico, ma ha anche generato un modo di pensare che avrebbe aperto la strada ad Auschwitz. [[w:Emil Fackenheim|Emil Fackenheim]] spiega: {{citazione|At its apex, the God of Aristotle is... the prime mover of the universe and the ultimate cause of what order there is in it. Even so, however, he is not beyond the universe but only the highest part of it. All this is in sharp contrast to the God of the Tenach, who makes His first appearance as Creator of heaven and earth. He does not create earth alone while dwelling Himself in heaven. He rather creates heaven – heaven fully as much as earth. And yet, though infinitely above the world and the humanity that is part of it, He creates man – him alone – in His very own image! The God of Aristotle does no such thing.|Emil L. Fackenheim, ''What Is Judaism?'' (New York: Macmillan, 1987), 108–109}} Il dio di Aristotele non comanda nulla e non stipula alcun patto o alleanza. Non chiede nulla e non esige nulla, perché non ha bisogno di nulla. Semplicemente "è", senza significato o importanza. La filosofia ellenistica che abbraccia un tale dio è sempre stata ostile al Dio di Abramo, come anche ai figli di Abramo, che sono i Suoi testimoni. Dice Fackenheim: "Having created heaven and earth, the God of Abraham, as it were, ''Himself'' walks in the garden".<ref>Emil L. Fackenheim, ''God’s Presence in History: Jewish Affirmations and Philosophical Reflections'' (New York: Harper & Row, 1970), 40.</ref> Il che significa: Colui che è infinitamente ''aldilà'' di tutto ciò che esiste, è immediatamente presente ''in tutto'' ciò che esiste, rendendo l’''aldilà'' e l’''interiore'' sinonimi. Solo così inteso può Egli essere inteso come il ''Creatore'', che nel costante movimento della creazione entra in relazione, sia come Re che come Padre, con l'essere umano creato a Sua immagine e somiglianza. === L'eclissi di luce dell'Illuminismo === Nelle Scritture sta scritto: "Il comandamento è la lampada e la Torah è la luce" ({{passo biblico2|Proverbi|6:23}}), e l'Illuminismo fu proprio l'eclissi della Luce della Torah. Quando ci sforziamo di identificare gli elementi della civiltà occidentale e della cultura tedesca che hanno contribuito all'Olocausto, l'ultimo posto a cui guardiamo è l'[[w:Illuminismo in Germania|Illuminismo tedesco]]. Dopotutto, da quell'Illuminismo abbiamo i principi del governo democratico, dei diritti civili, della ricerca scientifica, dell'istruzione organizzata, del progresso tecnologico e altro ancora. Come poteva, allora, l'Illuminismo, un movimento che sembra aver glorificato "l'uomo" e portato così tanto di "progressista", avere qualcosa a che fare con l'Olocausto? [[w:Immanuel Kant|Immanuel Kant]] offre questa breve definizione di Illuminismo: "L'Illuminismo è la liberazione dell'uomo dalla tutela che egli stesso si è imposto. La tutela è l'incapacità dell'uomo di usare il proprio intelletto senza la guida di un altro. Questa tutela è imposta a se stesso quando la sua causa non risiede nella mancanza di ragione, ma nella mancanza di risolutezza e coraggio".<ref>Citato in Emil L. Fackenheim, ''Quest for Past and Future: Essays in Jewish Theology'' (Bloomington: Indiana University Press, 1968), 132–133.</ref> Nell'affermazione di Kant troviamo la nozione di coraggio come coraggio di trascendere, attraverso la risolutezza, qualsiasi legge che possa essere imposta dall'alto. Cos'è la tutela nella sua forma peggiore, da un punto di vista kantiano? È proprio ciò che è più essenziale per il pensiero e l'identità ebraica: la [[Torah]]. Pertanto, afferma Fackenheim, "if the belief in the creation of the world, the reality of biblical miracles, the valid law based on revelation at Sinai, is the foundation of Judaism, then one must say that modern Enlightenment has undermined its foundations".<ref>Emil L. Fackenheim, ''Jewish Philosophers and Jewish Philosophy'', ed. Michael L. Morgan (Bloomington: Indiana University Press, 1996), 48.</ref> E qual è la più urgente delle leggi rivelate sul Monte Sinai? È il divieto di omicidio. L'eclissi della Luce della Torah che caratterizza l'Illuminismo porta in ultima analisi all'indebolimento del divieto di omicidio, entrato nel mondo attraverso gli ebrei. I filosofi dell'Illuminismo erano noti per essere i paladini dei diritti umani e della tolleranza, ma raramente riservavano la stessa considerazione agli ebrei e all'ebraismo. Questo atteggiamento non era il risultato di una ricaduta in pregiudizi culturali perenni; no, era una caratteristica distintiva della prospettiva filosofica dell'Illuminismo stesso. Era una visione che giustificava e legittimava il loro antisemitismo filosofico, poiché gli ebrei rappresentavano tutto ciò che riguardava la mentalità non illuminata a cui l'Illuminismo si opponeva. Ricordiamo l'insistenza di Kant sul fatto che "l'eutanasia dell'ebraismo è la pura religione morale".<ref>Immanuel Kant, ''Conflict of the Faculties'', trad. Mary J. Gregor (New York: Abaris, 1979), 95.</ref> L'eutanasia dell'ebraismo richiede l'eliminazione del Dio di Abramo e dei suoi testimoni perenni: gli ebrei. Nel 1834 [[w:Heinrich Heine|Heinrich Heine]], egli stesso figlio dell'Illuminismo, scrisse: {{citazione|The German revolution will not be milder and gentler because it was preceded by Kant’s ''Critique'', by Fichte’s transcendental idealism, and even by the philosophy of nature. These doctrines have developed revolutionary forces that wait only for the day when they can erupt and fill the world with terror and admiration. There will be Kantians forthcoming who will hear nothing of piety in the visible world, and with sword and axe will mercilessly churn the soil of our European life, to exterminate the very last roots of the past. Armed Fichteans will enter the lists, whose fanaticism of will can be curbed neither by fear nor by self-interest... But the most terrible of all would be natural philosophers..., [who] can call up the demoniac energies of ancient Germanic pantheism... A play will be performed in Germany that will make the French Revolution seem like a harmless idyll in comparison.|Heinrich Heine, "The German Revolution" in ''Words of Prose'', trad. E. B. Ashton (New York: L. B. Fischer, 1943), 51–53}} Purtroppo, Heine si dimostrò un profeta. L'Olocausto non avvenne a causa di una rottura con "these doctrines" dell'Illuminismo, come le chiama Heine, ma, in parte, proprio perché i nazisti erano così profondamente versati nella storia intellettuale e culturale tedesca emersa dall'Illuminismo. [[:en:w:Hans Sluga|Hans Sluga]] definisce [[w:Johann Gottlieb Fichte|Johann Gottleib Fichte]] (1762-1814) "the first National Socialist philosopher".<ref>Hans Sluga, ''Heidegger’s Crisis: Philosophy and Politics in Nazi Germany'' (Cambridge, MA: Harvard University Press, 1993), 29.</ref> I fichtiani a cui Heine si riferisce sono armati della nozione fichtiana secondo cui "the real destiny of the human race... is ''in freedom to make itself'' what it really is originally".<ref>Johann Gottlieb Fichte, ''Addresses to the German Nation'', cur. George Armstrong Kelly (New York: Harper & Row, 1968), 40; corsivo aggiunto.</ref> Qui non si tratta di una creazione dell'essere umano a immagine divina. Ciò che abbiamo, in una parola, è idolatria. Afferma Fackenheim: "The new idolator of Nazi Germany is not enlightened, but he is most decidedly... a bastard child of the Age of Enlightenment".<ref>Emil L. Fackenheim, ''Encounters Between Judaism and Modern Philosophy'' (New York: Basic Books, 1993), 187.</ref> L’idolatra nazista può essere un figlio illegittimo dell’Età dell’Illuminismo, ma ne è la conseguenza logica. La critica kantiana deduce tutto dall'io pensante e quindi, come comprese [[Franz Rosenzweig]], "riduce il mondo al sé percettivo".<ref>Si veda l'introduzione di Nahum Glatzer a Franz Rosenzweig, ''Understanding the Sick and the Healthy'', trad. Nahum Glatzer (Cambridge, MA: Harvard University Press, 1999), 24.</ref> Lungi dal glorificare l'essere umano, tuttavia, la riduzione del mondo al sé percettivo è radicalmente disumanizzante. "Alla svolta copernicana di Copernico, che fece dell'uomo un granello di polvere nel tutto", afferma Rosenzweig, "corrisponde la svolta copernicana di Kant, che, a titolo di compensazione, lo pose sul trono del mondo, molto più precisamente di quanto Kant pensasse. A quella mostruosa degradazione dell'uomo, che gli costò la sua umanità, questa correzione senza misura andò, parimenti, a costo della sua umanità".<ref>[[Franz Rosenzweig]], ''Franz Rosenzweig’s “The New Thinking”'' trad. & cur. Alan Udoff e Barbara E. Galli (Syracuse, NY: Syracuse University Press, 1999), 96.</ref> Insistendo sulla creazione di se stesso a propria immagine, l'essere umano perde la sua immagine umana. Alla fine tenta di rimodellare e quindi disumanizza l’''altro'' essere umano assolvendosi da ogni legge tranne quella che ha origine dal sé. Contrariamente a quanto definito dal comandamento divino, l'essere umano è "determinabile", dice Kant, "solo attraverso leggi che egli stesso si dà attraverso la ragione".<ref>Immanuel Kant, ''The Critique of Practical Reason'', trad. Lewis White Beck (New York: Macmillan, 1985), 101.</ref> Dio perde significato non solo come Legislatore e Redentore, ma anche come Maestro e Padre. Una volta che Dio è superfluo, lo è altrettanto ogni essere umano. Dopo Kant, abbiamo Hegel. I suoi scritti, come ha osservato [[:en:w:Paul Lawrence Rose|Paul Lawrence Rose]], "conform to the basic Kantian idealist and moralist critique of Judaism. Judaism is seen as the epitome of an unfree psyche".<ref>Paul Lawrence Rose, ''German Question/Jewish Question: Revolutionary Antisemitism from Kant to Wagner'' (Princeton, NJ: Princeton University Press, 1990), 109.</ref> Similmente a Kant, Hegel sostiene che la religione rivelata sia in ultima analisi soppiantata dalla conoscenza assoluta della ragione. Con Hegel, il sé percettivo che si è appropriato del mondo si appropria della divinità. E così, la sequenza di pensiero che colloca il sé al centro marginalizza sia Dio che il prossimo. L'altro essere umano non interpella chi sono nella mia responsabilità per un altro, ma piuttosto minaccia chi sono nel mio essere-per-me stesso: l'altro essere umano diventa una minaccia alla mia libertà e autonomia. Per gli hegeliani di sinistra come Feuerbach e Marx, afferma Fackenheim, "‘l'identità della natura divina e dell'umano’ diventa l'appropriazione della natura divina da parte dell'umano" attraverso lo spirito.<ref>Fackenheim, ''Encounters Between Judaism and Modern Philosophy'', 135 - mia trad.</ref> Poi, con l'avvento di Nietzsche, Dio è ciò a cui si aspira in un'auto-apoteosi nell’''Übermensch'',<ref>Questo è il significato dell’affermazione di Nietzsche secondo cui “nell’uomo creatura e creatore sono uniti”; cfr. Friedrich Nietzsche, ''Beyond Good and Evil'', trad. Walter Kaufmann (New York: Vintage Books, 1966), 154.</ref> e gli altri esseri umani sono meri ''Untermenschen''. Con questa svolta nella storia della filosofia speculativa, con l'identificazione del pensiero con l'essere, la divinità viene interiorizzata e infine sostituita, nelle parole di Fackenheim, "da un'umanità potenzialmente infinita nella sua moderna ‘libertà’".<ref>Fackenheim, ''Encounters Between Judaism and Modern Philosophy'', 191.</ref> Infinita nella sua "libertà moderna", l'"umanità" è libera da ogni principio limitante e quindi elimina l'Uno Infinito, cosicché gli esseri umani sono liberi di fare tutto ciò che desiderano e immaginano, perdendo quindi la loro umanità. Il Dio di Abramo è morto, come dichiarò Nietzsche.<ref>La famosa dichiarazione di Nietzsche sulla morte di Dio appare nella sezione 125 de ''[[w:La gaia scienza|La gaia scienza]]''; cfr. [[w:Friedrich Nietzsche|Friedrich Nietzsche]], ''The Gay Science'', trad. {{en}}Walter Kaufmann (New York: Vintage Books, 1974).</ref> E nasce il dio del nazionalsocialismo. Alla riunione del giugno 1939 dell'Associazione Nazionalsocialista dei Docenti Universitari, il suo presidente [[:en:w:Walter Schultze|Walter Schultze]] (1894–1979) dichiarò davanti all'assemblea: "Ciò che i grandi pensatori dell'idealismo tedesco sognavano, e ciò che in definitiva era il nocciolo del loro desiderio di libertà, finalmente prende vita, assume realtà... Mai l'idea tedesca di libertà è stata concepita con maggiore vita e maggior vigore che ai nostri giorni".<ref>Citato in George L. Mosse, ''Nazi Culture'' (New York: Grosset & Dunlop, 1966), 316.</ref> Schultze comprese il legame tra la tradizione filosofica tedesca e il nazionalsocialismo. Infatti, nel 1940, quasi la metà dei filosofi tedeschi erano membri del Partito Nazista.<ref>Sluga, ''Heidegger’s Crisis'', 7.</ref> Nel 1923, Hermann Schwarz si distinse diventando il primo filosofo a sostenere pubblicamente i nazisti. Era accompagnato da [[w:Bruno Bauch|Bruno Bauch]] (1877–1942), Max Wundt, Hans Heyse (1891–1976) e [[w:Nicolai Hartmann|Nicolai Hartmann]] (1882–1950), tutti idealisti kantiani; poi c'erano il noto hegeliano [[:en:w:Theodor Haering|Theodor Haering]] (1884-1964) e i nietzschiani [[w:Alfred Baeumler|Alfred Bäumler]] (1887-1968) ed [[:en:w:Ernst Krieck|Ernst Krieck]] (1882-1947). Il più rinomato di tutti, naturalmente, fu [[Martin Heidegger]]. Il pensiero che iniziò con l'idealismo kantiano e culminò nei campi di concentramento deve mirare all'eliminazione del pensiero ebraico eteronomo e dell'ebraismo da cui esso scaturisce, poiché entrambi abbracciano l'autorità assoluta del Santo. La testimonianza ebraica al cuore dell'ebraismo è ciò di cui Heidegger si lamentava quando si lamentava della "ebraicizzazione" della mente tedesca.<ref>Riportato in ''Die Zeit'', 29 dicembre 1989; cfr. Theodore Kisiel, "Heidegger’s Apology: Biography and Philosophy and Ideology", in Tom Rockmore e Joseph Margolis, eds., ''The Heidegger Case: On Philosophy and Politics'' (Philadelphia: Temple University Press, 1992), 12.</ref> E così, il filosofo si unì al Partito che avrebbe provveduto a una soluzione finale al problema dell'ebraicizzazione. === Il filosofo nazista === Nel suo studio ''Heidegger: The Introduction of Nazism into Philosophy'', [[:en:w:Emmanuel Faye|Emmanuel Faye]] dimostra che "la questione del rapporto tra Heidegger e il nazionalsocialismo non è quella del rapporto tra l'impegno personale di un uomo temporaneamente smarrito e un'opera filosofica che rimane quasi inalterata, ma piuttosto quella di un'introduzione deliberata dei fondamenti del nazismo e dell'hitlerismo nella filosofia e nei suoi insegnamenti".<ref>Emmanuel Faye, ''Heidegger: The Introduction of Nazism into Philosophy'', trad. {{en}}Michael B. Smith (New Haven, CT: Yale University Press, 2009), xv - mia trad.</ref> Mentre il nazionalsocialismo estendeva la sua portata in ogni ambito della politica, della cultura, dell'istruzione e dell'impegno intellettuale, la filosofia è "l'area in cui il pericolo si è dimostrato maggiore, perché affrontando la filosofia, il nazismo ha tentato di sovvertire le basi del pensiero e dello spirito".<ref>''Ibid.'', 3.</ref> Il filosofo più influente e ''più pericoloso'' del ventesimo secolo, [[Martin Heidegger]], ha stabilito il legame tra l'identificazione del pensiero con l'essere e della determinazione con l'autenticità. Con Heidegger la speculazione interna del soggetto pensante assume la forma di una volontà di potenza interiore. "L'espressione ‘volontà di potenza’", afferma, "designa il carattere fondamentale dell'ente; ogni ente che è, in quanto è, è volontà di potenza".<ref>Martin Heidegger, ''Nietzsche'', Vol. 1, trad. {{en}}D. Krell (San Francisco: Harper & Row, 1979), 18 - mia trad.</ref> Pertanto Heidegger considera l’''Entschlossenheit'', ovvero la "determinazione" che alimenta la volontà, come la caratteristica distintiva dell’''autenticità'' dell'ente (ma senza elaborare ''perché'' si dovrebbe voler essere autentici, qualunque cosa ciò significhi). E la determinazione è qualcosa che riguarda solo il sé. "Il Dasein ''è il suo stesso sé''", insiste Heidegger, "nell'isolamento originario della determinazione silenziosa".<ref>Martin Heidegger, ''Sein und Zeit'' (Tübingen: Max Niemeyer, 1963), 322.</ref> E la determinazione è ''silenziosa'': nulla qui del pensiero relazionale orientato verso "il bisogno di un altro", come Rosenzweig descrive il "pensiero parlante" che è il pensiero ebraico.<ref>Rosenzweig, ''Franz Rosenzweig’s “The New Thinking”'', 87.</ref> È ''silenziosa'', separata da qualsiasi relazione con l'altro, dal divieto di omicidio rivelato e ''pronunciato'' attraverso il volto dell'altro. Cieca al volto e al suo divieto, la risolutezza di Heidegger fa il gioco dei suoi compatrioti nazisti nel progetto di sterminio degli ebrei in quanto testimoni millenari dell'ebraismo. E lo sapeva. === Speculazione e sterminio === {{clear}} == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|50%|25 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 9]] qd8infm8yyinadd698spjf96q2j19y9 0 57697 478144 2025-06-26T10:09:27Z Monozigote 19063 layout+pic 478144 wikitext text/x-wiki {{Immagine grande|Auschwitz gate.jpg|1010px|}} {{Connessioni}} == Uccidere Dio == {{clear}} == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|25%|26 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 10]] 5tf5qdi24e5dedqccz7des57uj6uh62 478151 478144 2025-06-26T11:31:30Z Monozigote 19063 /* Uccidere Dio */ lnk 478151 wikitext text/x-wiki {{Immagine grande|Auschwitz gate.jpg|1010px|}} {{Connessioni}} == Uccidere Dio == {{Vedi anche|Interpretazione e scrittura dell'Olocausto|etichetta1=Interpretazione e scrittura dell'Olocausto: Narrazioni drammatiche e storiche di una catastrofe}} {{clear}} == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|25%|26 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 10]] jg6i0a6oos0sayq52ja755a352xolgx 0 57698 478145 2025-06-26T10:21:06Z Monozigote 19063 layout+pic 478145 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|Holocaust Exhibit.jpg|740px|}} == La rielaborazione nazista dell'immagine e della somiglianza: il ''Muselmann'' == {{clear}} == Note == {{Vedi anche|Serie delle interpretazioni|Serie misticismo ebraico|Serie maimonidea|Serie letteratura moderna|Serie dei sentimenti}} <div style="height: 180px; overflow: auto; padding: 3px; border:1px solid #AAAAAA; reflist4"><references/></div> {{Avanzamento|25%|26 giugno 2025}} [[Categoria:Connessioni|Capitolo 11]] 9g07wdoscxou07qwoshizicmv7gj28f 0 57699 478146 2025-06-26T11:02:00Z Monozigote 19063 layout+pic 478146 wikitext text/x-wiki {{Connessioni}} {{Immagine grande|Buchenwald Slave Laborers Liberation.jpg|740px|[[w:Campo di concentramento di Buchenwald|Campo di concentramento di Buchenwald]], foto scattata il 16 aprile 1945, cinque giorni dopo la liberazione del campo. 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