# Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom

### Z Wikipédie

Bipolárny tranzistor s izolovaným hradlom (po anglicky Insulated Gate Bipolar Transistor, skratka IGBT) je druh tranzistorov pre obrovské spínané výkony (rádove 10 MW) a vysokú pulznú frekvenciu.

Sú potrebné pri zariadeniach ako napr. meniče (DC/AC, AC/AC).

Pred zhruba 10-20 rokmi bolo pomerne ťažké vytvárať krátke vysokovýkonové impulzy rádove 10 MW, pretože napr. bipolárne a hlavne tyristory boli síce silné ale pomalé a NMOS boli zase slabé.

Preto sa vytvorili IGBT. Tie ale boli veľmi drahé a tiež nespoľahlivé. Postupne sa však vyvíjali a ich cena v poslednom čase klesla natoľko, že sú už cenovo dostupné dokonca aj pre hobby.

| Tento článok z oblasti elektroniky nie je dokončený (prípadne je príliš krátky, tzv. "výhonok") a vyžaduje si doplnenie. Môžeš pomôcť Wikipédii rozšíriť ho tak, že hore klikneš na záložku "úprava" (alebo alternatívne sem) a dopíšeš alebo zmeníš text.

Zdroj: "http://sk.wikipedia.org../../../b/i/p/Bipol%C3%A1rny_tranzistor_s_izolovan%C3%BDm_hradlom.html"

Kategórie: Elektronické výhonky | Elektrické súčiastky

##### Views

- Stránka
- Diskusia
- Aktuálna verzia

##### Hľadaj

##### Iné jazyky

- Català
- Dansk
- Deutsch
- English
- Español
- Français
- עברית
- Bahasa Indonesia
- Italiano
- 日本語
- 한국어
- Nederlands
- Polski
- Русский
- Türkçe
- Tiếng Việt
- 中文