통합 게이트 정류 사이리스터
위키백과 ― 우리 모두의 백과사전.
통합 게이트 정류 사이리스터(Integrated Gate Commutated Thyristor, IGCT)는 대용량의 전류를 제어할 수 있는 신형 반도체 소자다. IGCT는 GTO와 비슷한 사이리스터의 일종으로, 게이트 신호로 켜고 끌 수 있으며 GTO에 비해 전도 손실이 적은 것이 특징이다.
또한 IGCT는 GTO에 비해 조금 더 고속의 스위칭이 가능하다. 최고 400KHz까지의 스위칭이 가능하지만, 변환 손실이 크기 때문에 보통은 500Hz 정도로 스위칭한다.
개발사는 스위스의 ABB이다.
[편집] 외부 링크
제조사:
관련 글:
| 이 문서는 기술에 관한 토막글입니다. 서로의 지식을 모아 알차게 문서를 완성해 갑시다. |

