# 게이트 턴 오프 사이리스터

### 위키백과 ― 우리 모두의 백과사전.

게이트 턴 오프 사이리스터 (Gate Turn-Off thyristor; GTO)는, 반도체 소자의 일종으로서, 게이트에 역방향의 전류를 흐르게 하는 것으로 턴 오프할 수 있는 기능을 가진 사이리스터이다.

## [편집] 용도와 특징

유도전동기를 구동하는 인버터의 스위칭용 소자로서 1977년에 처음으로 사용된 이후 오늘까지 공업 분야나 전기 철도 등에 널리 사용되어 왔지만, 최근에는 IGBT에 그 지위를 양보하고 있다. 이유로서는 다음과 같은 것들이 있다.

- 턴오프 했을 때 어노드와 음극간에 일시적으로 발생하는 스파이크 전압을 완화하기 위한 다이오드, 저항기, 콘덴서를 이용한 부가 회로(스너버 회로)가 불가결하고, 회로가 복잡하다.
- 턴오프 후 어노드와 음극간의 전압이 완전히 안정될 때까지의 시간(테일 시간)이 트랜지스터보다 길기 때문에, 스위칭 주파수를 가청 영역(인간의 귀로 들리는 영역)보다 높이기 어렵다. 때문에 이 소자로 모터의 회전수나 토크를 제어하는 경우, 스위칭에 의해 모터로부터 발생하는 소음이 크게 느껴지게 된다.
- 턴오프하기 위한 게이트 전류가 수분의 1 정도로 크고(트랜지스터는 수십~수천분의1), 게이트 전류가 전부 열손실이 되기 때문에 소비전력이나 발열이 커진다.

## [편집] 관련 항목

- 절연 게이트 양극성 트랜지스터 - IGBT
- 파워일렉트로닉스

| 이 문서는 기술에 관한 토막글입니다. 서로의 지식을 모아 알차게 문서를 완성해 갑시다.

원본 주소 ‘http://ko.wikipedia.org../../../%EA%B2%8C/%EC%9D%B4/%ED%8A%B8/%EA%B2%8C%EC%9D%B4%ED%8A%B8_%ED%84%B4_%EC%98%A4%ED%94%84_%EC%82%AC%EC%9D%B4%EB%A6%AC%EC%8A%A4%ED%84%B0.html’

분류: 반도체 | 사이리스터 | 전력 전자공학 | 기술 토막글

##### Views

- 문서
- 토론
- 현재 버전

##### 찾기

##### 다른 언어

- Deutsch
- English
- Français
- 日本語
- Русский
- 中文